R、C选值原则

通常缓冲电容容量根据饱和期最大峰值电流、变压器初、次级漏感，市电整流后的电压、开关管允许最大击穿电压来选择。必须使漏感激起的电压与市电整流后的电压之和限制在允许击穿电压内。漏感Ls激起的电压峰值为Ls除以C的商开平方后乘上电流峰值。C越大Ls激起的电压越低，但C太大，将进一步吸收初级电感中的能量，矫枉过正，浪费能量，C2吸收的能量又须经R泄放，再加上R值过小，在C的充电期还要多耗电，R肯定过热。
正：RC常数要小于0。5倍的Toff，应为T。
但根据此数据算出的R值可能太小，所以为降低损耗一般增加R值，但为消耗掉漏感能量，逼迫C上的电压升高，从而Vds也升高。
同志们，C越大时并不会“进一步吸收初级电感中的能量，矫枉过正”。而是根据能量平衡，C上的电压变化会变小，而C上的电压变化量决定了漏感的电流变化率，也就是反激过程的转变时间，C越大，电压变化越小，反激过程变慢，电路损耗增加，这才是C大效率会变低的原因，而用TVS时，瞬间内允许电压的变化量很大（TVS稳压值）所以电路转化速度很快，效率很高。所有这一切可以通过用示波器看MOS关断时Vds的斜率来得到实验验证。
这是一个钳位电路!电阻仅消耗开关关断时漏感给C充电的能量。
我认为sendswitch 说的；“其中电阻的选取需考虑变压器原边漏感的大小，即要求Clamp电容上的电压只钳制漏感产生的尖峰，对副边导通时反映到原边的电压是不起作用的，”是正确地，因为C上的电压在任何时刻都高于副边导通时反映到原边的电压，不然的话就是电阻阻值太小，就会消耗反激能量。
CCM说的；“而C上的电压变化量决定了漏感的电流变化率，也就是反激过程的转变时间，C越大，电压变化越小，反激过程变慢，电路损耗增加，这才是C大效率会变低的原因，”我认为是错误的，因为是钳位电路而不是吸收电路，C只在开关管关断后电压上升到高于副边导通时反映到原边的电压时（也就是漏感产生的电压尖峰）才通过D充电，其它任任何时刻都与开关管无关。理论上钳位电路的C是越大越好，但实际中如C过大对第一二个周期有影向，因为这时C上还没有电压


电阻的选取需考虑变压器原边漏感的大小，即要求Clamp电容上的电压只钳制漏感产生的尖峰，对副边导通时反映到原边的电压是不起作用的”这处观点是不对的。
分析其工作原理，在开关管关断时，可以画出相应的等效电路，若忽略开关管的DS和变压器的匝间电容，（不然分析过程相当复杂），漏感的储能在对电容充电的过程中，次级反射电压自然要加到此回路中，此电压中直接参与影响到漏感的储能释放到0 的时间t， t直接影响到Clamp在一个周期所消耗的平均功率=0。5LS I（2）t/T =U（2）/R。也就是说电阻的选取与副边导通时反映到原边的电压是相关的。
C上的电压在任何时刻都高于副边导通时反映到原边的电压，从而使漏感为反压而释放能量。
C上的电压变化量决定了漏感的电流变化率，这一个相互过程，C大漏感的电流变化率小，但随着电容电压变大，漏感的电流变化率变大，而且电容大放电时电容电压下降也较低，所以在工程中可能将C作恒压源处理。一般先计算出R，再计算C，最后校对实际的Clamp电压