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请教这里的电容和电阻串联起什么作用

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神奇的电
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-5 17:06:54
10问答币
电容和
的电阻串联的作用

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MOS管开通瞬间,C9上没有电压,R42跟R46分压,SCR-B点电压比较大,提供高电器启动,当C9上充满电后R43跟R46分压,低电压维持。
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YTDFWANGWEI
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版主
  • 2013-1-5 17:12:43
 
MOS管开通瞬间,C9上没有电压,R42跟R46分压,SCR-B点电压比较大,提供高电器启动,当C9上充满电后R43跟R46分压,低电压维持。
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2013-1-5 17:58:11
 
Q2 有没有画错?
神奇的电
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-5 18:22:20
 
嗯 画错了 原图是N沟道增强型MOS管
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2013-1-6 10:19:09
 
N沟道????
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-5 18:22:57
 
应该是个阻容吸收电路,很明显Q2工作在开关状态,所以RC的吸收电阻并联在Q2的漏极和源极之间比较好,但并联在漏极电阻上,也问题不大.
因为Q2的开关,会在与负载的回路中产生感应电压(由于环路的分布电感引起的),加入RC吸收后,显然RLC电路会抑制振荡,因为R为5.6欧姆,还是应该足够的.
简单地说就是,MOSFET的开关导致环路电流在短时间内发生很大的变化,所以L* di/dt为很大的脉冲电压,但经过RLC的滤波后,震荡幅度减小,这主要是电阻R的功劳,因为LC只能是震荡加剧.
神奇的电
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-5 18:32:09
 
在一本书上也见过类似的放在这个位置上的吸收电路,但忘了在哪本书了,自己分析理解不了抑制尖峰的过程. 从瞬间开关的过程,感觉1楼说的挺好理解的.
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-5 18:35:37
 
嗯,对.涉及到分布参数的问题,总是不太好说,或怎么说都行.
但定性的来说,就是开关过程产生感应电压,通过RC的吸收,而大幅度降低感应电压,或认为是感应电压通过RC释放了,所以就是RC吸收电路了!
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-5 18:37:22
 
并联在漏源极间的吸收电路号理解,电容电压不能突变,放在这个位置上咋理解呢????困惑
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-5 18:39:16
 
没区别!
本来两者就比较近,而且感应电压是在mosfet和负载的大回路中产生的 ,所以哪里吸收问题不大!
神奇的电
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-5 18:46:06
 
嗯 我再想想. 这个电路是用来驱动可控硅的,实际上源极电阻是100欧姆,为了便于直接分析电路,改成50欧姆的.可控硅导通后门极电压在1-2V ,驱动电流在20-100ma.
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-5 18:57:40
 
嗯,对! 其实不管MOSFET是开还是关,环路都有感应电压,RC都起到缓冲吸收至作用.
既然是实际电路,你可以做实验看看,有没有RC,源极电阻电压的变化,或改变一下RC的位置,来看看电压波形,就能大概其知道其作用了.
就算是效果不明显,但原理和作用应该就是如此了.至于是否还有其他的作用,那当然还值得探讨.
但作为设计者,可能是设计之初,就这样设计了,也可能是调试过程中发现RC吸收还是很有必要的.
实践是检验的标准,试试看!
神奇的电
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-5 19:12:22
 
好的 明天我把(有没有这个串联电阻电容)实测漏源电压的波形发上来 谢谢
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-5 19:14:02
 
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 21:01:48
 
实测一些节点的波形,一楼分析的有道理
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 21:04:36
 
实测波形
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-6 08:22:49
 
没有这个电阻电容,估计你的可控硅就无法正常工作了。可以肯定的告诉你,这个RC不是阻容吸收。
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-6 08:18:10
 
这个不是RC吸收,这个应该是软启动电路,Q2也应该不是工作在开关状态。
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 21:00:01
 
实测了一些节点的波形
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-6 21:16:30
 
知道了!
C 主要是个加速作用,不是针对分布电感问题,而是对付分布电容,使得MOSFET栅极为高电平的时候,迅速导通。就是说如果没有C,那么漏极的150R电阻对分布电容的充电会导致MOSFET的导通滞后,而有了C起到短路作用,就是5.6R的电阻对分布电容充电,这就快多了!
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2013-1-7 09:35:27
  • 倒数2
 
这个电容的作用不是针对分布参数,是针对的后面的负载,也就是可控硅。 (当然你要非说对分布电容充电有影响,我也不反对)
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 21:18:50
  • 倒数10
 
从实测波形观察Q2,不仅仅工作在开关状态,中间是有段时间是处于放大区.佩服电路设计者当初的想法是不是想增加可控硅的瞬间触发电流,确保可控硅正常工作??这个启动时间怎么掌控?可控硅也没说启动要大电流啊,正常工作时门极电流为20-100MA,最大也就限制为100MA. 不过这里的电流是连续的. 最大峰值门极电流倒是为2A.设计电路两者都要兼顾吗?困惑.以我个人的观点 完全可以不要这个电路
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-6 21:25:10
  • 倒数9
 
你测试的不是源极电阻吗?
驱动栅极的高电平是多少V?

这个可以决定MOSFET到底是饱和方式还是线性方式.
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-6 21:38:40
  • 倒数8
 
不会工作在饱和区的!
就算高电平是3V,源极电流也接近0.1A,电阻是50+150=200R,这可是20V的电压,你电源电压才12V,所以不可能,MOSFET肯定是在线性区,DS间电压很小的.
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 21:59:58
  • 倒数7
 
栅极电压没测,但在8V+以上,最终50欧姆的电阻并联后一级的电路,它上面的电压在1V左右,电流约为20ma,而150V电阻上的电压在11V左右,电流为75ma左右,也就是有55ma的电流流过后级负载.这时管子压降小接近0V,以为在饱和区呢,不对吗?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-6 22:26:57
  • 倒数6
 
对,但MOSFET的饱和区对应三极管的放大区,都是恒流区。MOS的线性区对应三极管的饱和区。
你的测试结果肯定是对的。按我的估算,如果没有负载的话,源极电阻电压为3V,漏极电阻为9V,MOS的漏源电压接近0V。
如果去掉RC,测试过吗?
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-1-6 22:37:24
  • 倒数5
 
RC电路只在管子导通瞬间对输出电压有影响,其他时刻有没有一样.按你说的mos管的线性区对应三极管的饱和区,那一般mos作为开关管工作在线性放大区和截至区?看来我搞错了,我再看看mos管
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-6 22:51:00
  • 倒数4
 
那就对了,看来RC在MOS的导通瞬间,的确能起到加速之作用。你要是可以肯定这一点,那这个RC电路的作用问题,也就应该解决了!
MOS开关方式 工作在线性区,就像三极管的饱和区一样。
钜微电源-小罗
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-7 09:29:44
  • 倒数3
 
一般我们设计的电路 工作在线性区的时间很短的吧
神奇的电
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高级工程师
最新回复
  • 2013-1-7 19:49:52
  • 倒数1
 
嗯 是的 MOS管的饱和区又叫恒流区 相当于三极管的放大区 而mos管作为开关管 主要工作在可变电阻区和截至区
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