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未解决

boost电路中这几个原件是干嘛的额？

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gaohq

gaohq
离线
LV10
总工程师

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帖子：3247

积分:12614

LV10

总工程师

2013-3-15 13:09:28

10问答币

如图，一个典型的BOOST电路，不明白其中的R10，D3，C3是干嘛的？

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		2 yanbin0427 yanbin0427 离线 LV3 助理工程师积分：283 \| 主题：56 \| 帖子：87 访问空间发消息积分:283 LV3 助理工程师 2013-3-15 13:28:56
		是保护三极管PN结不被方向击穿的二极管回复 \| 举报 \|

			4 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-15 13:37:46
			？？回复 \| 举报 \|

			5 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12614 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12614 LV10 总工程师 2013-3-15 13:45:46
			没有三极管啊，详细分析下。回复 \| 举报 \|

			17 唐兵唐兵离线 LV2 本网技师积分：102 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:102 LV2 本网技师 2013-3-15 18:35:44
			这个电路看不懂呀！上面还有个D2呀！回复 \| 举报 \|

		3 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-15 13:35:33
		这个电路挺有趣的，可以仿真看看回复 \| 举报 \|

			6 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-15 13:55:39
			如果D4是主整流管，多半R10位置画错了回复 \| 举报 \|

				12 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12614 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12614 LV10 总工程师 2013-3-15 16:30:51
				很肯定的说，没错。回复 \| 举报 \|

					13 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-15 16:43:11
					那可以肯定这几个件白放了，去掉节省点成本吧。如果是实际产品，方便可以贴下完整电路、型号，没准用于某种控制？回复 \| 举报 \|

		7 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-15 14:11:27
		RCD 吸收的变形而已。但是，有用吗？回复 \| 举报 \|

		8 20020672 20020672 离线 LV6 高级工程师积分：1742 \| 主题：14 \| 帖子：531 访问空间发消息积分:1742 LV6 高级工程师 2013-3-15 14:25:03
		我用过，是RCD吸收回复 \| 举报 \|

			11 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-15 14:53:36
			R10目前的位置根本没吸收效果回复 \| 举报 \|

				15 20020672 20020672 离线 LV6 高级工程师积分：1742 \| 主题：14 \| 帖子：531 访问空间发消息积分:1742 LV6 高级工程师 2013-3-15 17:16:56
				这么绝对？ C3上的电压通过R10放到输出电容上去。回复 \| 举报 \|

					16 庞展庞展离线 LV8 副总工程师积分：5858 \| 主题：232 \| 帖子：2135 访问空间发消息积分:5858 LV8 副总工程师 2013-3-15 17:26:20
					纹波补偿？让电压、电流输出更加平滑？回复 \| 举报 \|

						34 20020672 20020672 离线 LV6 高级工程师积分：1742 \| 主题：14 \| 帖子：531 访问空间发消息积分:1742 LV6 高级工程师 2013-3-18 11:34:44
						说白了，就是将MOS管的尖峰能量通过R放到输出电容上去，而不是通过R来完全消耗掉回复 \| 举报 \|

					35 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-18 12:03:19
					C3上的电压为什么会高于输出电压？合理布局这个是没必要的。回复 \| 举报 \|

						36 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-18 12:11:27
						我自己搭了PSPICE仿真，C3电压确实略高于Vo，会受输出负载影响变化。回复 \| 举报 \|

							37 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-18 12:43:14
							那么D4两端波形什么样子？D3左边又是什么样子？回复 \| 举报 \|

								38 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-18 13:32:18
								D3,D4左侧节点，绿色回复 \| 举报 \|

									39 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-18 13:34:58
									D4左右两侧电压相差10V？二极管压降？回复 \| 举报 \|

										40 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-18 13:43:12
										相差1V左右的管压降，因为模型建立可能不是很准确，所以很多寄生参数的特性表现不出来回复 \| 举报 \|

											42 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-18 14:02:35
											那哪里是1V，290V左右的是不是输出的？也就是D4右边的？回复 \| 举报 \|

										41 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-18 13:52:22
										等晚上有空的时候用Saber搭个模型试试看，pispice器件基本是理想的回复 \| 举报 \|

						43 20020672 20020672 离线 LV6 高级工程师积分：1742 \| 主题：14 \| 帖子：531 访问空间发消息积分:1742 LV6 高级工程师 2013-3-18 14:12:34
						C3上的电压不就和MOS上电压差一个二极管压降么？ MOS上的电压不会高于输出电压？回复 \| 举报 \|

					44 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-18 21:30:20
					是啊，从电路取值看功率不大，功率回路应该不难设计，没必要单设个吸收电容。这样设计远不如按RCD吸收缓冲关断时电压上升率回复 \| 举报 \|

		9 happjsh happjsh 离线 LV8 副总工程师积分：3584 \| 主题：56 \| 帖子：1255 访问空间发消息积分:3584 LV8 副总工程师 2013-3-15 14:32:09
		这种电路在IGBT上常用叫放电阻止型RCD吸收回复 \| 举报 \|

			10 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-15 14:32:39
			那你分析分析原理？回复 \| 举报 \|

		14 庞展庞展离线 LV8 副总工程师积分：5858 \| 主题：232 \| 帖子：2135 访问空间发消息积分:5858 LV8 副总工程师 2013-3-15 17:03:01
		整个电路都是错误的。回复 \| 举报 \|

		18 joezzhang joezzhang 离线 LV8 副总工程师积分：6686 \| 主题：5 \| 帖子：1800 访问空间发消息积分:6686 LV8 副总工程师 2013-3-15 20:18:45
		Q3关断，L1和杂散电感串联通过D3和C3续流； Q3开通，C3通过R10向输出放电。如果Q3的Cds接近或者大于C3，这个电路的作用就很有限；同时如果C3太大，L1中的能量过多的转移到C3上，会导致R10上的损耗增加、效率降低。回复 \| 举报 \|

			19 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-15 20:37:09
			如果C3上的电压高于输出电压，那么在MOS管关断过程中，为什么不直接通过主二极管向输出流通而是通过D3流向C3? 回复 \| 举报 \|

				21 joezzhang joezzhang 离线 LV8 副总工程师积分：6686 \| 主题：5 \| 帖子：1800 访问空间发消息积分:6686 LV8 副总工程师 2013-3-15 20:49:05
				因为从L1到Q3之间不是理想导线，总有一些杂散电感，但杂散电感一般来说很小，所以C3也不宜过大。D3和主二极管的压降也不一样。 C3和输出电容是并联关系，在C3电压不高过输出电容太多时，因不同的二极管压降，会有部分电流流向C3。如果布局和走线优化一下，同时Q3留够足够的耐压余量，这几个器件是完全可以省掉的，至少我从来没用过。不过原理上分析，某些场合还是有一定的作用。回复 \| 举报 \|

					22 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2013-3-15 21:03:44
					在D2位置是电感而不是二极管的时候，这个电路用过。回复 \| 举报 \|

			20 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-15 20:42:46
			1）其实这个电路把bulk电容和负载加上就好理解一些。 2）我用Pspice仿真过，C3点的电压是要比输出稍高一点，看起来C3没有其他放电路径，只有在通过R10流到输出端去。不过我今天仿真时没有考虑Q3的Coss所以，模型建的不是太准确。回复 \| 举报 \|

				23 zhijie240 zhijie240 离线 LV6 高级工程师积分：1196 \| 主题：21 \| 帖子：432 访问空间发消息积分:1196 LV6 高级工程师 2013-3-15 22:34:47
				围观，听分析.... 回复 \| 举报 \|

					24 siderlee siderlee 离线 LV8 副总工程师积分：2062 \| 主题：3 \| 帖子：302 访问空间发消息积分:2062 LV8 副总工程师 2013-3-15 22:42:56
					看样子不像是无损吸收。。我开始以为是那个回复 \| 举报 \|

		25 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5033 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5033 LV8 副总工程师 2013-3-16 09:05:47
		除了D2多数时候不能少，其它的应该是吸收吧。回复 \| 举报 \|

		26 天剑002 天剑002 离线 LV8 副总工程师积分：3263 \| 主题：167 \| 帖子：1293 访问空间发消息积分:3263 LV8 副总工程师 2013-3-16 11:26:47
		弄明白没？把结果说说回复 \| 举报 \|

			28 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12614 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12614 LV10 总工程师 2013-3-16 12:54:25
			就是个放电阻止型RCD吸收电路。用百度搜的，也没具体明白。回复 \| 举报 \|

		27 dxsmail dxsmail 离线 LV8 副总工程师积分：2958 \| 主题：1 \| 帖子：709 访问空间发消息积分:2958 LV8 副总工程师 2013-3-16 11:43:05
		关注一下。。。还不理解。。。。回复 \| 举报 \|

		29 庞展庞展离线 LV8 副总工程师积分：5858 \| 主题：232 \| 帖子：2135 访问空间发消息积分:5858 LV8 副总工程师 2013-3-16 14:06:47
		逆变器用IGBT吸收电路的Matlab仿真研究.pdf 回复 \| 举报 \|

			31 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-16 15:34:52
			里边也没有见到楼主的相关电路啊回复 \| 举报 \|

		30 mcu_ch mcu_ch 离线 LV2 本网技师积分：135 \| 主题：3 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:135 LV2 本网技师 2013-3-16 14:26:45
		总结28楼的，是RCD吸收电路回复 \| 举报 \|

			32 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-3-16 19:44:02
			电路明显是新手画的，明显画错了。功能无非有两个嘛！其一，RCD吸收电路，0.5W的电阻太小了；其二，EMI抑制，R9、C2肯定效果来的更直接。回复 \| 举报 \|

				33 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12614 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12614 LV10 总工程师 2013-3-16 20:54:09
				新手？ R9 ,C2 是给D4缓冲吸收的。另外的是给开关管吸收的。回复 \| 举报 \|

		45 小Y 小Y 离线 LV6 高级工程师积分：836 \| 主题：6 \| 帖子：231 访问空间发消息积分:836 LV6 高级工程师 2013-3-19 21:00:20
		都是些抑制吸收电路，BOOST 搞那么繁琐··· 回复 \| 举报 \|

			46 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5033 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5033 LV8 副总工程师 2013-3-20 09:23:57
			大功率上面应该很正常了回复 \| 举报 \|

				47 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-20 10:57:47
				看参数功率一丁点。。。回复 \| 举报 \|

					48 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5033 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5033 LV8 副总工程师 2013-3-20 11:04:00
					如果是小功率想在哪找点能量出来，感觉得不尝失。回复 \| 举报 \|

						49 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12614 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12614 LV10 总工程师 2013-3-20 13:09:09
						是2KW的镇流器上用的回复 \| 举报 \|

							51 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-20 17:03:55 倒数9
							2KW这么用还不错，可以降低点布线要求。做仿真往MOS上串联个杂散电感就看到效果了。不过330uH的电感做2KW有点忒奢侈了。回复 \| 举报 \|

								58 zq841102 zq841102 离线 LV6 高级工程师积分：452 \| 主题：31 \| 帖子：145 访问空间发消息积分:452 LV6 高级工程师 2013-7-4 12:56:56 倒数2
								可以这么说，MOSFET关断的尖峰其实杂散电感所引起的原因是很小的一部分而已，并不是真正的元凶啊。回复 \| 举报 \|

							52 wolfdeer wolfdeer 离线 LV6 高级工程师积分：489 \| 主题：1 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:489 LV6 高级工程师 2013-3-20 17:05:47 倒数8
							而且R9C2的参数用在这个功率等级上实在意义不大回复 \| 举报 \|

		50 boy4477 boy4477 离线 LV6 高级工程师积分：1052 \| 主题：36 \| 帖子：261 访问空间发消息积分:1052 LV6 高级工程师 2013-3-20 16:35:39 倒数10
		这个是吸收电路回复 \| 举报 \|

		53 yanpm yanpm 离线 LV8 副总工程师积分：3011 \| 主题：23 \| 帖子：1573 访问空间发消息积分:3011 LV8 副总工程师 2013-3-24 17:13:46 倒数7
		今天在Infineon的APP Note上看到的page 7 for同步整流提高效率的应用,是为了将C吸收到的一部分能量通过R传递至输出端，而不是如同RC吸收一样，都消耗掉，通过这样提供效率。比RC型吸收大概高0.6%的效率。以下需要注意的地方： 1）因为C点的电压比母线电压要高，所以器件选型时需要选择比母线电压高的电容。 2）C通过spike的能量求得； 3）R通过RC时间常数求得。 4）需要试验验证并调整RC。 Simple Design Techniques for Optimizing Synchronous Rectification.pdf 回复 \| 举报 \|

			54 eric.wentx eric.wentx 离线 LV7 版主积分：46976 \| 主题：485 \| 帖子：17006 访问空间发消息积分:46976 版主 2013-3-24 17:24:23 倒数6
			回复 \| 举报 \|

			59 wangjx02 wangjx02 离线 LV6 高级工程师积分：527 \| 主题：0 \| 帖子：33 访问空间发消息积分:527 LV6 高级工程师最新回复 2013-7-25 21:44:27 倒数1
			坐下来听课！！回复 \| 举报 \|

		55 leds-lux leds-lux 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：10 \| 帖子：71 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2013-3-24 19:00:58 倒数5
		D2是干嘛的？？回复 \| 举报 \|

			56 20020672 20020672 离线 LV6 高级工程师积分：1742 \| 主题：14 \| 帖子：531 访问空间发消息积分:1742 LV6 高级工程师 2013-3-25 13:53:50 倒数4
			抗冲击电流的回复 \| 举报 \|

				57 zq841102 zq841102 离线 LV6 高级工程师积分：452 \| 主题：31 \| 帖子：145 访问空间发消息积分:452 LV6 高级工程师 2013-7-4 12:55:26 倒数3
				准确的说应该是给输出电容预充电的，防止电感刚上电时饱和。另外这个电路在大功率时是正确的，R10上的功耗不会很大的，一般1-2W的电阻就够了的。回复 \| 举报 \|

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