3)变压器的效率X=0.8, PIN=POUT/X=12*2/0.8=24/0.8=30W
1)最低输入电压Vdc(min)=[(Vac(min)*1.414-2Po(T/2-Tc)/Cin]的开根;取Tc=3ms.
2)最高输入电压Vdc(max)=265*1.414=375(V)
取f=50kHZ,Dmax取0.45,T=1/f=20us,Ton(max)=T*Dmax=20*0.45=9us
Ipk=2*Pin/Vdc(min)*Dmax=2*30/100*0.45=1.33A)
根据Aw*Ae=Pout*10^6/2*Ko*Kc*f*Bm*j*X
Ap=Aw*Ae=24*10^6/2*0.4*1*66500*1500*5*0.8
注: Ae为铁氧体磁芯的有效截面积, Aw为窗口面积
=[677uH*1.2A/0.52(CM^2)*0.25T]*10^8 ( 取@B=0.25 )
=[0.812*10^(-3)H*1.2A)/0.52(cm^2)*0.25T]*10^8
=[0.9*10^(-7)H/0.13]*10^8
Ns=[(Vo+Vf)/Vfly]*Np (取Vf=0.5的电压降)
MOS管的耐压:Vds=Vdc(max)+(Vo*Np/Ns)+V漏感 (一般V漏感取50V)
选用IRFBC20-MOS管:电流2.5A,耐压600V
耐压在550V下,Vfly的值=550-50-375=125V
10.再计算Ns=[(Vo+Vf)/Vfly]*Np
Dmax=Ton/Ton+Toff=1.25Toff/2.25Toff=0.56
在f=50KHZ不变的情况下,Ton=T*Dmax=20us*0.56=11.2us
Ip=Iavg*2/Dmax=0.3*2/0.56=1.07(A)
Lp=Vdc(min)*Ton/Ip=100*11.2us/1.07(A)=1.046(mH)
Np=[Lp*Ip/Ae*@B]*10^8=[1.046*(10^-3)H*1.07A/0.52*(10^-4m)*0.25T]*10^8=[1.119*10^(-7)/0.13]*10^8
Ns=[(Vo+Vf)/Vfly]*86=[(12+0.55)/125]*86=8.6=9(T)
Nb=[Vb(max)/Vdc(max)]*Np [Vb(max)为MOS管的G栅极电压,在这里取25V]
VDCmin时Vb=(22/Np)*VDCmin=(6/86)*100=7V
初级线圈的有效值Iprms=Ip*[(Donmax/3T)]^1/2=1.07*[(0.56/3*20us)]^1/2=0.327A
当开关管截止时,变压器之间匝数(Ampere-turns N1)不会改变,因为@B并没有相对的改变,因此开关截止时,初级峰值电流与匝数的
乘积等于次级各绕组匝数与峰值电流乘积之和: Np*Ip=Ns1*Is1p+Ns2*Is2p
· 次级线圈Ns的有效值Isrms=Isp*{[(Doff)/3]^1/2}
线径=[Isrms*4/3.14J]=[3.83*4/3.14*4]
二极管的耐压:VD=Vo+Vdc(max)*Ns/Np
例如:1500UF/10V的电解电容它的Ir(max)=1450mA*1.3=1.885(A)
1000UF/10V的电解电容它的Ir(max)=1060mA*1.3=1.4(A)
Vclamp=Vfly+V漏感=125+50=175V
R=Vclamp*Vclamp/P=175*175/1.2=25.52K=25K
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