| | | | | 导通损耗和开关损耗。导通损耗:电流乘以二极管压降乘以占空比+导通电阻乘以电流的平方乘以占空比。要注意一般二极管的数据手册给的是25°时的导通电阻。二极管自身的开关损耗很小,但它的反向恢复电流会使mosfet的开关损耗大大增加。 |
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| | | | | | | 导通损耗:电流乘以二极管压降乘以占空比+导通电阻乘以电流的平方乘以占空比 只要计算前面那部分就可以了吧。 |
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| | | | | | | | | 如果把二极管模拟成一个电阻串联一个电源的话,应该要加上后面的部分吧。 |
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| | | | | | | | | | | 电阻*电流+电源电压=二极管压降?可能你对二极管压降的定义是单只那个纯理想二极管。
至少二极管的datasheet没见过给内阻的,都是电流电压曲线。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我应该是理解错了。内阻的损耗是mosfet的。我把串联电阻的模型理解成了二极管的slope resistance。
请见谅。
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| | | | | | | | | | | | | 根据二极管的数据手册上面会给出IF与VF的曲线,曲线关系可以模拟成一个电压源加电阻的等效模型。只是根据具体的二极管实验波形计算损耗的时候,根据公式
P=电压*电流+电阻&电流2
变化的只有电流值吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如 liujiyang_84 所说的,按照二极管数据手册计算损耗的时候是不需要加入等效电阻的。如果是采用模型的话,等效的电阻的损耗是需要计算的。
流过二极管的电流是与占空比有关的,并且需要计算等效电阻的损耗时要用电流的有效值。
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