EMI辐射测试的时候为何高压裕量比低压好？

1） 最近有测一款电源24V/0.75A，输入端EMI滤波电路为整流桥前一个300uH的共模电感和整流桥后一个18mH共模电感。很奇怪的是测试辐射的时候，高压裕量比较好，低压裕量比较低。
2） 初步考虑，低压和高压相比，考虑到是这么两个差别，1)低压di/dt大。2）低压的dv/dt少，据此，考虑是主要是差模电流引起的辐射造成的差异。
3） 但若依次的推断，传导测试的时候，在低频段，低压要比高压差才对（有说法：150K-500K主要是差模电流引起的）。但实际情况是低压的传导完全比高压要好的多。
这么一思考，就无法得出上2）的结论了。那么实际上是什么原因造成的？