| | YTDFWANGWEI- 积分:109919
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45932
积分:109919 版主 | | | 我想问一下,EMI的产生到底是由于开关管的开关速度快造成的还是由于分布参数造成的 ?如果不考虑分布参数,开关速度跟EMI还有关系吗? |
|
|
| | | | | | | 一直认为EMI的源头是开关速度(及振铃波)引起的,工频线性电源就没提到过EMI |
|
|
| | | | | | | 不考虑分布参数的影响的话,开关速度及引起的振荡应该是源头 |
|
|
| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109919
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45932
积分:109919 版主 | | | | | 呵呵,我的意思是如果不考虑分布参数,开关速度能引起震荡吗?也就是EMI的源头到底是开关速度还是分布参数多一些? |
|
|
| | | | | | | 我个人认为,考虑寄生参数的话,开关速度源头,影响非常大。如果不考虑分布参数的话,开关速度对EMI影响很小。
现在所说的就是由于寄生参数无可完全消除,来讨论速度的问题。 |
|
|
|
|
|
| | | | | 开关动作对于EMI的影响我认为有以下几个方面:
1. MOSFET的Vds电压变化是EMI共模干扰的主要源头,耦合途径是MOSFET与散热器之间的电容,散热器与机壳之间的电容
2. MOSFET的Ids电流变化是EMI差模干扰的主要源头,耦合途径以沿线传导为主,以电磁场场辐射为辅(如果PCB设计不合理,有可能空间辐射要超过沿线传导)
3. 二极管的反向恢复问题既是EMI差模干扰的源头也是共模干扰的源头,电流变化引起沿线传导的差模信号,同时反向恢复还会引起电压的振铃,导致共模干扰信号
5. 变压器和电感的电磁场辐射也是另外一个很大的EMI干扰源头,共模差模信号混杂,通常要加屏蔽或接地处理
4. 差模信号和共模信号都不是绝对的,会相互转化,取决于回路的阻抗特性 |
|
|
| | | | | | | 这个分析很细致,有了这个基础,对应的解决措施就很容易了。 |
|
|
|
|
|
| | | | | 不知道今后会不会出现超快开关速度的管子,,让EMI干扰的频段远远超出标准限定的频段,,这样对EMI和效率都非常有好处。 |
|
|