| | | | | 三极管没有漏源极,MOS 是PNP还是NPN, N沟道结型场效应管工作时,需要在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD(或沟道电阻)的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。 |
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| | | | | | | 我找个三极管、MOS管和IGBT,都做实验了,现在能确定在(BE)GS间加正压(MOS12V左右,三极管0.5左右)管子都导通了,而且正反向都能导通。现在就是想知道这正向导通电流与反向导通电流能差多少?谁大啊。
PS:以前做过同步整流就是用的MOS反向导通,IGBT和三极管没见到过同步整流应用 |
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| | | | | | | | | 反向是可以的,但有点问题.三极管C、E可以反向使用,放大倍数就会很小了 |
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| | | | | | | | | | | MOS导通时一般是流经漏极的电流,且是从漏极到源级,至于反向的电流就不清楚,就知道是双向导通的 |
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| | | | | | | | | | | | | 哪个大,这个实际操作中好像毫无意义吧...管它的跟着大部队走! |
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