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EMC原理小结

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not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-23 13:51:22
最近看了一些介绍EMC的书和资料,自己想做个小结并且在这里与大家分享一下。由于本人没有整改EMI的经验,所以涉及的东西都是原理性的内容。如果大家不嫌弃,还请多多帮忙,给我普及一下EMC的知识,因为我现在连EMC的门都不一定摸到了。 另外,如果想要获得一些能够指导设计的内容的话,个人比较推荐香港科技大学的几位教授的培训资料,论坛是有下载的。

在开始之前先套用greendot老师的一篇回帖,“降低EMI大体不外乎降低di/dt ,dv/dt,减少电压尖峰,高频振荡,PCB layout 尽量减少寄生电感电容,高速大电流的环路包围的面积小,高压快速升降的点线与地的电容小”。既然套用了greendot老师的话,那就按照这个顺序来讲讲原理。
分析用的工具:傅里叶变换。EMI有两种传导方式:传导(Conducted Emission)和辐射(Radiated Emission)EMC测试的频率范围从几百KHz到上GHz,针对不同传导方式的测量范围和标准也不同。由于是测试的范围基本上是高于电路的工作频率,所以需要用到傅里叶变换进行谐波分析。


1.为什么要降低电路中的di/dt ,dv/dt和电压电流的尖峰?
电源中的开关管是一个重要的EMI来源,其中流过的电流和两端的电压可以下面的这张图来表示。




为了提高电路的效率,我们希望开关管的开关速度越快越好,因为这样可以减小开关损耗。但是快速的关断和开启意味着较大的di/dt, dv/dt. 为了方便对上图的波形进行傅里叶分析,我们先假设梯形波的上升时间和下降时间是相同的,稍后在再讨论上升和下降时间不同的情况。经过变换后得到傅里叶系数如下,


(1)


其中τ(tau)是占空比,指的是从上升沿的50%到下降沿的50%所占的时间与一个周期时间的比值,τr(tau sub r)是上升沿的时间,A是波形的幅值,n是傅里叶级数,w0是周期。将上式进行频率分析,类似于画波特图,可以看出这个波形在不同频率上的幅值大小,并且可以下以此对症下药。得到的图形如下,





需要说明的是,这个频率分析图画出的是包络线。因为式(1)中含有的sinc函数(sin(x)/x),实际的波形多个呈衰减趋势的半周期正弦波形,正如从谱频分析仪上看到的那样。。

由上图的分析可以看出,一个主要限制高频谐波的的因素是上升时间和下降时间。当这两个时间变大时,上图中的第二个极点(1/(pi*τr))将会向左移动,使得谐波更早的以-40dB/dec的速度下降,这样便能更加有效的削弱高频谐波分量。同样可以通过上面的表达式中看出,谐波分量的初始值与梯形波的峰值有关,所以减小电压电流的峰值能够有效的减小高频谐波的幅值。
在现实中,梯形波的上升和下降沿所占用的时间是不一样的,为了保证符合CE的标准,可以采用上升沿和下降沿中时间较短的一个用在式(1)中。


参考资料:
1. Introduction to Electromagnetic Compatibility by C.R.Paul
2. Explanation of EMI in SPS by Franki Poon, Bryan M.H.Pong
3. https://bbs.21dianyuan.com/169778.html by andy_2020
收藏收藏3
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-23 14:04:00
 
2.为什么要减小高频振荡、杂散电感和电容?

结合在1楼中讨论中用到的波形图,当传输线路中加入杂散电感和电容时,波形的上升和下降会因此而震荡,电感电容的值越大,对应的Q值就越大,引起的震荡幅值也就越大。假设震荡的波形可以用一个衰减的正选波形(K*e-at*sin(wr*t))表示,得到的新的波形如下:







对上图进行傅里叶分析后,得到的傅里叶系数如下:







其中p=s=jwt,。将傅里叶系数进行频率分析后,可得到下图:





从上图中可以看出,在震荡频率wr附近,谐波的幅值会因为震荡而上升。尽量减小元件的引脚,如果成本允许的话可以使用贴片元件降低寄生电感和电容。如果没有很好的办法来减小杂散电感电容的话,或者说是在处理高速的信号传输路径上,可以串联一个电阻到驱动电路的输出,从而减小输出线路的Q值降低电平变化时产生的震荡。







admin
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管理员
  • 2013-12-23 14:04:51
 
顶一下
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-23 14:14:57
 
因为之前我也不相信开关速度会影响EMI,所以我用示波器做了一个小测试。由于没有spectrum analyzer,所以测试的不够严谨,在这里只是想和大家分享一下。





这幅图对应的mosfet基极电阻为10 ohm,IR2110的输出15V驱动,电路为boost,测量的是输出负载的两端。



这幅图对应的mosfet基极电阻为47 ohm,其他的条件不变。对比之下可以看出,通过增大基极串联电阻来降低mosfet的开关速度可以适当的降低高频谐波。
y576110325
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本网技师
  • 2013-12-23 17:48:16
 
站个位置。
Inuhbdref
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  • 2013-12-24 11:05:43
 
谢谢分享
andah
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  • 2013-12-23 17:39:50
 
学习了!!!!!!!!!
jiekou514
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  • 2013-12-23 18:25:46
 
谢谢楼主!加油!!!
not2much
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  • 2013-12-24 08:40:13
 
3.为什么要尽量减小流过高频大电流的环路包围的面积?
根据Ampere Law,我们知道电流会产生磁场。在测试电路的Radiated EMI的时候,用到了天线来测量EMI的大小。天线的工作原理是将空间中的磁场转换成电场,转换得到的电场的强度是判断EMC是否合格的标准。为了简化分析过程中应用的数学方法,假设电流环路包围的面积为圆形且面积较小,测试点的距离与产品的距离大于3个波长,这样便可以用远场的公式进行计算。用于分析的电流环如下图中坐标原点的园环所示:


其在距离为r的地方产生的辐射场强度可以用以下的公式来表达:



其中f为电流的频率,b为电流环的半径,vo是光速,λo是与电流频率相对应的波长。可以从上式看出,辐射场的强度是电流强度、电流频率和电流环的半径b的平方的函数。所以减小高频大电流的环路面积能够有效减小Radiated EMI。同样的道理,流过高频或者大电流的环路需要尽可能的减小包围的面积。
举个不恰当的例子:假设在PCB板上一个1*1cm2(相当于一个半径5.64mm的圆环)的电流环路中流过50MHz、100mA的电流,理论上它产生的EMI就将超过FCC Class B的限制(在距离为3米处测量)。



mr-zou
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  • 2013-12-24 09:34:24
 
LZ有理论有实践,分析的很透彻,继续~~
not2much
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  • 2013-12-24 12:23:56
 
过奖了,我其实也就是门童的水平。
荨麻草
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  • 2013-12-24 12:00:35
 

not2much
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  • 2013-12-24 12:16:17
 
。。。草兄。。。
euscc
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助理工程师
  • 2013-12-24 10:38:21
 
一直搞不懂这些 收藏学习~谢谢楼主
chenen
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  • 2013-12-24 10:44:41
 
顶一个~
dianqi
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  • 2013-12-24 11:02:03
 
收藏学习了,谢谢楼主!
电源小新
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  • 2013-12-24 11:23:27
 
楼主辛苦了 ,继续等待
yanpm
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  • 2013-12-24 11:41:14
 
学习~
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-24 11:54:19
 
我又在丢丑了。。。。
我正在看Bo Yang的那篇LLC的毕业论文,好多看不懂啊。还望yanpm兄多多指教啊。
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-24 14:50:24
 
4.为什么需要高压快速升降的点线与地的电容小?
在测量传导EMI的时候,我们需要用到LISN,其原理图如下:



其中最主要的是图片中间的两个50 Ohm的电阻,在其两端的压降直接决定我们的电路是否能过CE标准。图中被虚线包围起来的两个的电路是用于滤波的,在电流频率小于测试范围的时候,图中的50uH的电感视为短路,两个电容视为开路,这样便不会影响我们产品(EUT)的正常工作。当电流频率处于测量范围的时候,电感和电容形成的阻抗随着频率变化非常小,所以在50 ohm的电阻上与其形成的分压网络在这个频率范围内能保持相对稳定的分压比。
为了尽量的减小在50 ohm电阻上的压降,我们不仅需要在Line 1和Line 2上产生的谐波足够小,另外还要保证我们的电路与Line 1和Line 2的耦合(电感耦合,电容耦合)尽可能的少。
高压快速升降的点线与地的电容小,意味着对地的耦合电容小。对于为什么线路对地的耦合电容会影响到LISN的测量结果,我也没有想明白。不过,我有一个猜想,是否会是因为地线上的公共阻抗会抬升50 ohm电阻上的电压呢?假设用以下的电路来仿真:


其中R1和R2是LISN的两个50 ohm电阻。在实际情况下,R1和R2之间连接的我们的电路,在谐波分析时,可以用电流源或者电压源来模拟谐波。在这里为了单纯分析线路对地电容在LISN上的影响,所以忽略了R1和R2之间的谐波电源。 C1是线路对地电容,R4是地的公共阻抗。V1和R3共同组成了一个电压快速升降的线路,V1为1V@1M Hz。



测量在R1R2上的压降可以得到下图,



not2much
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-24 14:52:23
 
再来对比一下V3的电压源的输出波形,


电压源方波的上升时间为10ns,下降时间为1ns。
从这两幅图的对比可以看出,噪声电压的尖峰与电源波形升降的时刻吻合,所以电压电流的快速变化会引起在LISN上的压降。再来对比上升和下降时产生的电压峰值,电源电压下降的速度比上升的快很多,所以在产生的反向尖峰在下降时刻也大很多。

假设我们将C1的容值翻倍来对比这个电容对R1上电压的影响,结果如下


对比两幅R2的电压图可以看出,电容增大会增大R2上的电压尖峰,但是对方波的幅值没有多少影响。

可以得到的结论是高压快速升降的线路与地的耦合电容要小

suijianpeng
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  • 2013-12-24 16:16:00
 
学习中! 期待楼主继续讲课!
DAXSX
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  • 2013-12-24 16:17:17
 
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junweizai
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  • 2013-12-24 20:57:33
 
学习
mmc_21
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  • 2014-5-19 07:11:54
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not2much
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  • 2013-12-25 07:11:38
 
5. 为什么要减小电感耦合和电容耦合?
看了Explanation of EMI in SPS这篇文档后,发现耦合电感和耦合电容无处不在。假设我们还是以“线路对地电容”的电路来分析,线路对LISN的耦合(电感耦合、电容耦合)也会影响测试的结果。假设我们以下的电路来仿真耦合,



其中R1和R2是LISN的两个50 ohm电阻,C1和C2是LISN对地的耦合电容,C3和C4是我们电路中的线路与地的耦合电容,C5是这条线路和LISN的耦合电容。TX1是这条线路与LISN的耦合电感。
假设电路中的这条线路可以简化成一个1V@1M Hz的电压源和一个50 ohm的负载,这些数值可以根据自己的线路改变。R4是地线的等效电阻,先取1m ohm。
仿真后我们来看R1和R2上的电压,



与之前较为简单的仿真电路结果相比,R1和R2上的电压尖峰大了很多倍。这是因为线路与LISN的耦合电容C5和耦合电感TX1会直接影响R1和R2上的电压,所以要尽可能减小线路与LISN的耦合。另外实际电路中的线路远远不止一条,每条能够与LISN耦合的线路都会对R1和R2上电压产生影响。
所以需要尽量减少线路与LISN的耦合


cbzhao
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本网技师
  • 2013-12-25 15:29:40
 
学习一下 谢谢分享
hbx2010
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  • 2013-12-26 13:47:52
 
分析的太好了,多谢分享!
lansunhsu
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  • 2013-12-27 08:53:54
 
还有么?每道都是好菜!
not2much
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  • 2013-12-27 09:26:19
 
谢谢关注!我还在整理。
not2much
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LV8
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  • 2013-12-28 11:58:52
 
6.电磁屏蔽(Shielding)的作用与注意事项



电磁屏蔽有两个方面的作用:(1)减少我们的电路产生的电磁波,防止其影响其他的电路或者超出标准的限制,(2)防止外部的电磁干扰与我们的电路产生耦合,从而影响我们的电路工作。
我们所说的电磁屏蔽一般是指用具有良好导电性能的金属“包裹”住我们的电路,这样的金属外壳能够有效阻挡穿过屏蔽层的电磁波,从而起到保护的作用。在非常理想的情况下,屏蔽层能够将入射的电磁波(可以理解成起到干扰作用的电磁波)减小100000倍。如果要达到这样理想的情况,屏蔽层必须完全的包裹住我们的电路,而且不能有漏洞,如孔、缝隙等。然而在很多情况下,由于连接线、散热等原因,我们必须要在外壳上钻孔。如果不对这些钻孔进行处理的话,外壳的电磁屏蔽效果会大打折扣。


首先我们来看一下为什么孔和缝隙会影响屏蔽效果。假设我们下图所示的一块屏蔽用的金属材料,在材料中间有一个宽为w,长为L的狭缝用于连接线或者扇热。图中的交流源用于模拟入射电磁波在屏蔽层上感应生成的电流(Faraday’s Law)。

根据Babinet’s principle,这个狭缝可以等效成一个如下图所示的天线(Antenna)

只要L的长度不是远远小于交流源的1/4波长,那么如图所示的天线将会成为一个高效的干扰源,而且w的大小并不会对天线的效率产生多大的影响。
从另外一个方面来说,屏蔽层一个重要的作用是让入射电磁波在其上生成感应电流,感应生成的电流会产生电磁场来抵消入射电磁波(Faraday’s Law)。所以我们希望能尽可能的利用感应电流。如果在屏蔽层上有一个狭缝,这个狭缝会阻断部分电流流通的最小路劲,变相减小了感应电流的作用。如下图所示,

也许你会想,如果这个狭缝的方向不是垂直于电流方向,而是平行于电流方向,那么对电流路劲产生的影响会不会小很多呢?这个想法是非常有道理,可问题在于我们通常是不知道感应电流的流通方向的。所以为了保险起见,我们会钻很多的小孔来通风扇热,而不是有几个相对较大的孔。如下图所示,左图是缝隙的方向平行于电流方向,右图为用很多小孔来代替缝隙扇热




not2much
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LV8
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  • 2013-12-28 14:05:57
 
分析电磁屏蔽必须得先介绍一个参数,Shielding Effectiveness简写成SE,用于表示屏蔽层到底有多大的作用。其定义为入射电场与穿过屏蔽层电场的比值。一般而言,入射电场要大于穿过的电场,所以SE为正数,而且其值越大表明屏蔽效果越好。同样,SE可以表示成入射磁场与穿过屏蔽层的磁场的比值。有些时候,会将SE表达成dB的形式,



其中Ei为入射电场的强度,Et为穿过屏蔽层的电场强度。
通过分析屏蔽的原理,可以将其削弱电场的作用视为对电磁场的损耗(loss)。所以SE可以进一步表示为三种损耗之和,

其中RdB表示反射损耗,AdB表示吸收损耗,MdB表示多次反射损耗。反射损耗RdB反映的是电磁波从空气进入导体(屏蔽层内),再从导体进入到空气的过程,由于介质不同而反射回去的电磁波。吸收损耗AdB反映的是电磁波在穿过屏蔽层时,被金属外壳吸收的部分,与外壳的厚度相关。多次反射损耗MdB是指电磁波从金属外壳穿越到空气的时候,被反射的部分经过反射再穿过屏蔽层的电磁波。由于这个原因,屏蔽的效果被削弱了,所以MdB通常为负值。当我们分析的是远场的时候,这三种损耗可以用以下的公式来计算,



其中η表示金属屏蔽层的特征阻抗(与使用材料相关),ηo表示空气的特征阻抗,t是屏蔽层的厚度,δ是集肤深度。由于我们通常使用的屏蔽层都是导电能力很强的金属,所以MdB通常很小并且忽略。
为了分析SE与频率的关系,在这里将RdB和AdB重写并表示为频率f的函数


其中σr为屏蔽层的导电率(conductivity)与铜的比值,μr为屏蔽层的permeability与铜的比值。从上面两个的公式可以看出,RdB会随着频率的增加而降低,AdB会随着频率的增加在增大。并且可以通过计算得知,在低频时起主要作用的是反射损耗RdB,高频时起主要作用的是吸收损耗AdB。
另外一个有趣的现象是,低频时屏蔽效果与材料的permeability μr成反比(RdB为主),也就是含铁的金属在低频时的屏蔽效果不如铜。高频时屏蔽效果与材料的permeability μr成正比(AdB为主),含铁的金属在高频时的屏蔽效果比铜好。
not2much
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LV8
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  • 2013-12-28 14:07:55
 
以上关于屏蔽的分析都是基于干扰源距离我们电路很远(大于波长的3倍),如果我们需要处理的干扰源就在我们电路中,例如高频变压器,其与LISN的距离也小于波长的3倍的话,我们就需要用近场的公式来分析了。电磁场在近场的表达公式非常的复杂,并且与距离不为线性关系。 屏蔽层对近电场的作用在大体上与远电场的效果相似,吸收损耗变化不大,而且反射损耗对近电场的作用要比远电场的作用大很多。所以屏蔽层对于近电场的影响并不需要多做修改就能很好的完成任务。
但是对以近磁场,尽管吸收损耗依然不变,但是反射损耗的作用比远磁场的要小很多。所以这就是为什么我们需要在高频变压器的周围绕一圈铜皮来吸收漏磁。这圈铜皮的作用原理如下图,图中画斜线的部分为用于包裹高频变压器的铜皮所包围的截面积,从左至右的带箭头的横线为穿过这个截面积的磁场线。根据Faraday’s Law, 在铜皮中会产生感应电流并且感应电流产生的磁场会削弱外来的磁场。

因此在铜皮的周围的磁通量会因此减少。所以permeability高的金属产生的感应磁场也高,从而更好的消除入射磁场的作用。然而,我们需要注意两个会削弱金属permeability的因素,
1.铁磁体的磁导率会随着频率的增加而减少。
2.铁磁体的磁导率会随着磁场的强度增加而减少。

镍铁合金的磁导率(permeability)远高于不同的铁(价格也高),所以在理论上来说采用镍铁合金来做屏蔽层会比铁更好。然而当频率上升到20KHz的时候,镍铁合金的磁导率与铁的相差无几。而我们的开关电源往往工作在高于20KHz的频率上,所以这就解释了为什么我们用的屏蔽层是铁质的而不是镍铁合金的。千万不要被不良商家蒙骗了

qq80644864
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  • 2013-12-29 19:20:36
 
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jiekou514
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谢谢楼主!!!
suijianpeng
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大师能否分享一下参考文献,
参考资料:
1. Introduction to Electromagnetic Compatibility by C.R.Paul
2. Explanation of EMI in SPS by Franki Poon, Bryan M.H.Pong
谢谢!
not2much
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我也是新手。。。。
这两篇都能直接在网上下载,文件都比较大,不方便上传。
suijianpeng
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  • 2014-5-19 10:20:34
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Explanation of EMI in SPS by Franki Poon, Bryan M.H.Pong
网上没有啊! !!
not2much
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副总工程师
  • 2014-5-19 10:27:51
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lm3447
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高级工程师
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很好的帖子
lm3447
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建议加精,讲解很透彻
cxm3141
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学习了,好帖
zeng1988412
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先顶!慢慢学习
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