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已解决

50VDC输入,48VDC输出,3.5A反激电源,MOS尖峰RCD吸收的计算

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wmx070803
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本网技师
  • 2013-12-30 12:30:54
10问答币
如标题,这个尖峰高达250V,怎样才能把这个尖峰消减下来,还要对效率影响不大。最好损耗在2W以下。

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"这个电源是最低输入是50VDC,最高输入是250VDC。因体积有限,使用反激拓扑;RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,效果不是很好,尖峰比较大;另外短路保护功耗也很大,使用EI40磁材,三明治绕制,NP/NS/NF:24/36/10;NP感量40uH;"   这个技术参数肯定是不行了。 要想成功,必须不惜一切代价降低漏感,最低的指标也不能高于1%; 把开关频率降低至50KHZ,LP提高至150UH,再加大磁芯规格试试。 另外一种方法, ...
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YTDFWANGWEI
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版主
  • 2013-12-30 12:56:06
 
你这个参数,反激应该不是好的选择吧?原边电流过大,变压器漏感引起的尖峰只能是通过RCD吸收来想办法了。不知道你目前的RCD参数是什么?
lilstu
  • lilstu
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高级工程师
  • 2013-12-30 22:02:35
 
有理
wmx070803
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本网技师
  • 2013-12-31 09:19:53
 
对不住大家,条件我没说清楚,这个电源是最低输入是50VDC,最高输入是250VDC。因体积有限,使用反激拓扑;RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,效果不是很好,尖峰比较大;另外短路保护功耗也很大,使用EI40磁材,三明治绕制,NP/NS/NF:24/36/10;NP感量40uH;
Sinican
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副总工程师
  • 2013-12-31 09:49:41
 
这玩意要隔离吗?不隔离的话,串两个二极管在回路里就达到目的了

xie
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高级工程师
  • 2013-12-31 11:20:53
 
别人最高输入电压是250V
Sinican
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副总工程师
  • 2013-12-31 12:32:06
  • 倒数10
 
我还以为我看错了,好象没错噢
是50V 输入,48V 输出;隔离反激,在开关管上的尖峰 250V

Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2013-12-31 12:35:54
  • 倒数9
 
X, 再看楼主的回贴,才发现是 50-250V 输入
算了,不回了! 一楼不说清问题的人,明显都是挖坑的人!

小凡凡
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副总工程师
  • 2013-12-31 12:29:22
 
"这个电源是最低输入是50VDC,最高输入是250VDC。因体积有限,使用反激拓扑;RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,效果不是很好,尖峰比较大;另外短路保护功耗也很大,使用EI40磁材,三明治绕制,NP/NS/NF:24/36/10;NP感量40uH;"

这个技术参数肯定是不行了。
要想成功,必须不惜一切代价降低漏感,最低的指标也不能高于1%;
把开关频率降低至50KHZ,LP提高至150UH,再加大磁芯规格试试。
另外一种方法,我不太确定行不行,就是把EE40分裂成两个EER2834。

如果老板不同意增加成本,建议个人放弃此项目,或是让其他人去弄。
这个规格采用RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,EE40,后患无穷,而且花费了大量的心血后,未必会得到认可。
wmx070803
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本网技师
  • 2014-2-5 10:21:06
  • 倒数5
 
谢谢您的建议!问题已解决。尖峰如此高,正是因为漏感大引起,将LP电感量提高到70uH,反向供电多加了一圈,去掉了二边挡墙,改为多股绕制,匝数不变,现在漏感约4uH,吸收电路没变,48V时尖峰(不算基波,只看漏感产生的尖刺)约75V,120Vin时效率92.3,120Vin时短路保护约5-10W(打嗝式保护),就这样了,不动了;
kyo
  • kyo
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副总工程师
  • 2013-12-30 13:23:41
 
好像正激偏适合
daliwan
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助理工程师
  • 2013-12-30 13:55:48
 
高见

我的家在山东
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本网技师
  • 2013-12-30 22:08:08
 
从现有参数上说是这样
wmx070803
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本网技师
  • 2014-2-5 10:24:49
  • 倒数4
 
正激要多加一个大电感,没有地方放了,所以用反激;
kofiori0922
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助理工程师
  • 2013-12-31 09:44:28
 
反激副边有源钳位,这样可以降低尖峰。输入范围比较宽,反激比正激合适,否则你就用全桥吧
tianlai
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本网技师
  • 2013-12-31 09:54:56
 
2W 大吗?
ltc3799
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高级工程师
  • 2014-1-1 13:48:34
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st.you
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总工程师
  • 2014-1-1 17:15:19
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用BUCK的效率在这里是最容易做高的,比较合适些.如果不要求共地的话,实现起来就简单了.
wmx070803
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本网技师
  • 2014-2-5 10:26:54
  • 倒数3
 
1.buck电路不隔离;2.在56V以下就会产生输出电压下降的问题;
第一版就是buck的,现在要改掉。
xiaodeng1992
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高级工程师
  • 2014-1-2 08:57:25
  • 倒数6
 
你太坑人了,
你要写清楚是:50-250VDC输入啊。
xiaotigui
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高级工程师
最新回复
  • 2014-2-8 10:40:56
  • 倒数1
 
我做過一個隔離型 DC-DC 40W的案子,也遇到 LZ 同樣的問題。MOSFET Vds 尖峰過高,加大 RCD Snubber 作用不大,后面改成 LCD Snubber 就降下來了,但要注意吸收 Diode 的溫升會比較高.
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