| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 你这个参数,反激应该不是好的选择吧?原边电流过大,变压器漏感引起的尖峰只能是通过RCD吸收来想办法了。不知道你目前的RCD参数是什么? |
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| | | | | | | 对不住大家,条件我没说清楚,这个电源是最低输入是50VDC,最高输入是250VDC。因体积有限,使用反激拓扑;RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,效果不是很好,尖峰比较大;另外短路保护功耗也很大,使用EI40磁材,三明治绕制,NP/NS/NF:24/36/10;NP感量40uH; |
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| | | | | | | | | 这玩意要隔离吗?不隔离的话,串两个二极管在回路里就达到目的了
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| | | | | | | | | | | | | 我还以为我看错了,好象没错噢
是50V 输入,48V 输出;隔离反激,在开关管上的尖峰 250V
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| | | | | | | | | "这个电源是最低输入是50VDC,最高输入是250VDC。因体积有限,使用反激拓扑;RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,效果不是很好,尖峰比较大;另外短路保护功耗也很大,使用EI40磁材,三明治绕制,NP/NS/NF:24/36/10;NP感量40uH;"
这个技术参数肯定是不行了。
要想成功,必须不惜一切代价降低漏感,最低的指标也不能高于1%;
把开关频率降低至50KHZ,LP提高至150UH,再加大磁芯规格试试。
另外一种方法,我不太确定行不行,就是把EE40分裂成两个EER2834。
如果老板不同意增加成本,建议个人放弃此项目,或是让其他人去弄。
这个规格采用RCD:5.1欧/2W,203C/1KV,MUR1100E,EE40,后患无穷,而且花费了大量的心血后,未必会得到认可。 |
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| | | | | | | | | | | 谢谢您的建议!问题已解决。尖峰如此高,正是因为漏感大引起,将LP电感量提高到70uH,反向供电多加了一圈,去掉了二边挡墙,改为多股绕制,匝数不变,现在漏感约4uH,吸收电路没变,48V时尖峰(不算基波,只看漏感产生的尖刺)约75V,120Vin时效率92.3,120Vin时短路保护约5-10W(打嗝式保护),就这样了,不动了; |
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| | | | | 反激副边有源钳位,这样可以降低尖峰。输入范围比较宽,反激比正激合适,否则你就用全桥吧 |
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| | | | | 用BUCK的效率在这里是最容易做高的,比较合适些.如果不要求共地的话,实现起来就简单了. |
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| | | | | | | 1.buck电路不隔离;2.在56V以下就会产生输出电压下降的问题;
第一版就是buck的,现在要改掉。 |
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| | | | | 你太坑人了,
你要写清楚是:50-250VDC输入啊。 |
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| | | | | 我做過一個隔離型 DC-DC 40W的案子,也遇到 LZ 同樣的問題。MOSFET Vds 尖峰過高,加大 RCD Snubber 作用不大,后面改成 LCD Snubber 就降下來了,但要注意吸收 Diode 的溫升會比較高. |
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