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| | | | | | | | | 唉。。年纪来了眼就不好使了,没看清楚题目 ,如果是反激就很蹊跷了,估计他们的工程师抄板的时候不小心变压器绕组搞反了,正激做成了反激.......我们公司原来用过一批电源,12V3A居然用的也是正激。 |
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| | | | | 电流裕量的话,应该正常级别
电压如果我们做的话,可能考虑到600V或650V, 估计700V 最大
用到900V估计是充分考虑了电网极限情况! |
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| | | | | | | 也不能一味给耐压流余量啊,相同的功率级别,900V的管子和600V的管子性能参数走好远了,综合起来评估,900那个未必比600那个更可靠 |
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| | | | | | | | | 这就是好多人爆炸了MOSFET后,就往上提高耐压强度的原因,心里总觉得600V挂了,700V应该没事,其实一个元件只有其一定的优势,在一个地方强,在另一处必然存在短板
呵呵,有人希望出现 1000N1000 的MOSFET就好 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109919
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- 主题:142
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- 帖子:45932
积分:109919 版主 | | | | | | 说的好,有时候并不是电压越高余量越大,曾经有过一次PFC二极管原来用的600V,后来不知道为什么有人换成了1000V的,结果出现不少问题。换回600OK了,因为1000V反向恢复时间大了。 |
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| | | | | | | | | | | 我也希望啊1000n1000的但是也得有人造才行啊
除非电网公司要把大型的变压器换成开关变压器
我现在都是用电子管代替mos管的哈哈 |
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| | | | | | | | | 这个设计肯定正常,想要工作在ZVS的是要这么高耐压的管子。 |
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| | xkw1cn- 积分:131448
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- 主题:37517
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- 帖子:55634
积分:131448 版主 | | | 用这等管子;多是做ZVS反激电源。这个拓朴;按楼主的规格;这个FET可以不用散热器。 |
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| | | | | | | 哈哈,许工一针见血啊。 用这种管子的很正常,MOS损耗低啊。一般人想着耐压高 RDS ON就大。但RDS大末必损耗就大。 |
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| | | | | | | | | 为什么不用TO-220的6N90,市场上也很多啊? |
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| | | | | 可能设计者被炸怕了,好些电源的反冲电压过高引起的炸机 |
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| | | | | | | 也可能大公司买的TO-3管子量大,反而比TO-220的6N90便宜! |
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| | | | | | | | | | | 是不是TOSHIBA 2SK2610 的性能比别的厂家会好,好象现在TOSHIBA MOS都缺货? |
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