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怎样测试MOS管的输入电容Ciss和导通电阻Rds？

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oldfang

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2014-3-7 10:38:49

10问答币

今天调试一个电源，换了几款变压器，规格书的参数不一样。
想测试一下它的2个重要参数，不知道下面怎样测试和规格书的会差多远以及是否合适？
测试输入电容直接用电桥的10KHZ测试GS两端；测试导通电阻就是先用一个5V电压接在GS短使DS导通，然后用电桥的电阻档测试DS两端。

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1、5V的驱动电压就是错误的。 2、导通内阻不是这样测试的。 3、MOS管参数的测试，一般管子PDF有介绍，没必要去测试的，比较麻烦。大厂家估计不会骗你的。

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		2 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-3-7 11:27:27
		买了个FQPF6N65C，在仙童官网上怎么也找不到资料，只有FQPF6N60C，只有600V的。像楼主位那样测试参数，经过RDS是3.7R，比规格书上的2R最大值还大，是不是买到假货了？丝印LOGO啥的都很清晰啊回复 \| 举报 \|

			3 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2014-3-7 11:39:10
			1、5V的驱动电压就是错误的。 2、导通内阻不是这样测试的。 3、MOS管参数的测试，一般管子PDF有介绍，没必要去测试的，比较麻烦。大厂家估计不会骗你的。回复 \| 举报 \|

				4 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-3-7 12:55:54
				我看规格书上是10V，我等下再去试下。 CISS测试对不i对，换句话说准确性有80%不？我测试的2个管子，一个380pF，一个720pF,用示波器观察到的上升时间波形是成比例关系的。 MOS管在华强北拿的货，有点不太放心，如果直接在仙童代理拿货当然没啥担心的。回复 \| 举报 \|

					7 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2014-3-7 13:41:42
					ciss电容差一倍，驱动电流一样的话上升时间当然成比例的，但这并不能说明你的测试方法是正确的。回复 \| 举报 \|

						10 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-3-7 16:58:12 倒数10
						可能是我没表达清楚，我的意思这样粗略的测试方式和按DATESHEET里面的测试误差有多大？这样测试是否有参考性？回复 \| 举报 \|

							11 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2014-3-8 00:44:14 倒数9
							这个我还真不是很清楚，因为我也这样测过，但于pdf有较大误差，当然我可以保证管子的正常渠道的前提，不一批电容差将近一倍回复 \| 举报 \|

					12 THTTH1982 THTTH1982 离线 LV7 版主积分：11502 \| 主题：62 \| 帖子：4345 访问空间发消息积分:11502 版主 2014-3-10 16:39:39 倒数8
					测电容,通态内阻.用电桥.一班10V就可以完全更深的通了.查看Vth.一班没人注意这个的. 回复 \| 举报 \|

						13 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-3-10 17:30:42 倒数7
						是啊大概测试而已。一般搭电路测试的少吧。回复 \| 举报 \|

				5 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-3-7 13:00:29
				刚刚实际测试了下5V改为10V,RDS没有改变，5V驱动下这2个MOS都完全导通了。回复 \| 举报 \|

					8 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2014-3-7 13:42:31
					RD不是这样测试的，你可以百度一下看看，必须流过相应电流通过测量压降来得到内阻的。回复 \| 举报 \|

					9 Sinican Sinican 离线 LV8 副总工程师积分：4396 \| 主题：15 \| 帖子：1519 访问空间发消息积分:4396 LV8 副总工程师 2014-3-7 13:50:34
					MOS 管的 datasheet 上面都有测试参数和条件，按 datasheet 上来测就OK了回复 \| 举报 \|

						15 oldfang oldfang 离线 LV8 副总工程师积分：6947 \| 主题：241 \| 帖子：2119 访问空间发消息积分:6947 LV8 副总工程师 2014-4-1 14:39:10 倒数5
						最近特意到代理商那里申请了一些MOS，按照楼主位的方式用电桥测试了4N60(MagnaChip品牌). CISS:实际测试607pF, PDF上标称：典型值506, 最大值660pF， RDS:实际测试1.68R, PDF上标称：典型值1.8R, 最大值2R。测试频率都是10KHZ，由此可见，这样简易的测试是十分接近真实数据的回复 \| 举报 \|

							17 zjdsll zjdsll 离线 LV6 高级工程师积分：425 \| 主题：5 \| 帖子：36 访问空间发消息积分:425 LV6 高级工程师 2016-9-28 10:38:14 倒数3
							请问是怎么测试的能告诉一下详细的方法吗？回复 \| 举报 \|

				18 jxiangw jxiangw 离线 LV3 助理工程师积分：209 \| 主题：4 \| 帖子：32 访问空间发消息积分:209 LV3 助理工程师 2016-11-22 20:18:16 倒数2
				市场上假货太多了回复 \| 举报 \|

		6 juvin juvin 离线 LV6 高级工程师积分：565 \| 主题：0 \| 帖子：8 访问空间发消息积分:565 LV6 高级工程师 2014-3-7 13:05:32
		VGS= 10V,ID=额定电流时测量D S间的压降VDS,从而得出RDon=VDS/ID. 回复 \| 举报 \|

		14 weideqin1 weideqin1 离线 LV3 助理工程师积分：206 \| 主题：0 \| 帖子：45 访问空间发消息积分:206 LV3 助理工程师 2014-3-30 15:38:42 倒数6
		#广告已删除# 回复 \| 举报 \|

		16 lzlrobert lzlrobert 离线 LV8 副总工程师积分：3164 \| 主题：158 \| 帖子：851 访问空间发消息积分:3164 LV8 副总工程师 2014-4-1 16:40:37 倒数4
		infineon的介绍里面如下图，我也没测过... 得有空咨询下FAE 回复 \| 举报 \|

			19 当然222 当然222 离线 LV1 本网技工积分：19 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:19 LV1 本网技工最新回复 2017-4-13 12:05:08 倒数1
			请问有没有Coss和Crss的测试电路啊，有链接嘛？回复 \| 举报 \|

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