 |  | | | | 1. 整流桥损耗：PD=Vin_avg*2*VF 其中，Vin_avg是输入平均电流，VF是整流桥的二极管正向压降
提高效率的方法：对于给定的输出功率，Vin_avg基本上是定了，所以只能想办法降低VF了==>选择正向压降低的整流桥 |
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| | | | | | | 2. 变压器损耗
PD fe-->铁损，也叫磁芯损耗；PD cu-->铜损，即绕组铜线的损耗
Pcv-->单位体积的磁芯损耗；Ve-->磁芯体积
Ip_rms, Is_rms分别指原副边的RMS电流；Rp, Rs分别指原副边的绕组电阻
提高效率的方法：
1. 降低铁损：在选定磁芯尺寸的情况下，减小Pcv（Pcv与磁芯材质、工作频率、B值有关），下图为PC40和PC44的磁芯损耗曲线
同样条件下，PC44的磁芯损耗比PC40损耗要小；相同的磁芯，频率越低损耗越小，B值越小损耗越小
因此，我们可以选择更好的磁芯或者减小B值（但减小B值会增加圈数，铜损会增加，同时也可能导致绕组无法绕下）
2. 降低铜损：减小绕组阻值==>在绕组足够用的条件下用更粗的线 |
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| | | | | | | | | 3. MOSFET损耗：
PD[sub] sw[/sub] --> 开关损耗，包括开通损耗和关断损耗；PD[sub] cond[/sub] -->通态损耗
I[sub] rms[/sub] -->流过MOSFET电流RMS值；R[sub] ds_on[/sub] -->MOSFET DS间导通电阻
V[sub] ds1[/sub] ,V[sub] ds2[/sub] 分别为开通和关断时MOSFET的DS电压；I[sub] pk[/sub] 为流过MOSFET的峰值电流；t[sub] r[/sub] ,t[sub] f[/sub] 分别为MOSFET开通上升时间、关断下降时间
提高效率的方法：
1. 减小开关损耗：
1.1 软开关（比如QR），降低开关损耗
1.2 优化MOSFET上升下降沿时间，降低开关损耗
2. 减小通态损耗：降低MOSFET R[sub] ds_on[/sub] ，用低R[sub] ds_on[/sub] 的MOS管 |
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| | |  | | | | | | | | 4. 输出整流二极管损耗：PD=VF*Iout VF-->二极管正向压降；Iout-->输出电流
提高效率的方法：降低VF，用低压降的二极管，比如肖特基二极管 |
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| | | | | | | | | | | | | 5. 吸收电路（RCD）损耗：
V clamp=(2~2.5)*V R
Ipk-->原边峰值电流；Llk-->漏感感量；VR-->反射电压；Vclamp为下图Vsn
提高效率的方法：
1. 减小漏感
2. 在MOSFET VDS有足够余量的情况下，可取适当大的Vclamp |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你是指的反向恢复的那一部分损耗吗？我这里是按DCM来的~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | CCM时，输出整流二极管的损耗：PD=VF0*Iout+Irms2*rF
其中，Irms为流过二极管电流的RMS值，VF0, rF定义如下图：（在IXYS的二极管datasheet有看到，其他家的二极管好像都没有这两个参数）
大部分二极管给定的VF曲线如下图：
我们也可以这样近似：V[sub] F0=0.5V[/sub] -->流过二极管电流为0时的压降，rF=(3-0.5)V/30A=0.083Ω-->近似的斜率 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 二极管在什么时候最热？是在输入最低电压时最热，还是输入最高时候最热？
与实际结合起来时候，会发现上面的二极管公式是无力的！ |
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| | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | 计算只是用来做参考、预估的，要是能够算得跟实际一样，我们都要失业了~~~ |
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| | | | | | | | | 变压器关于铜耗和铁耗，能不能详细说一下，这个点希望得到指点
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| | | | | | | 就目前来说，整流桥的损耗也就那样了。
降不了多少。 |
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| | | | | | | 桥堆损耗，是不是用PIN/VINAC 得输入电流乘以VF 这么算？90vac时损耗明显比264VAC时要大，这样是不是就能解释了？请指教
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