| | | | | 不要求隔离的话,试试SEPIC结构
电感CCM模式,效率不会低的。 |
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| | | | | | | 他的图纸上也就只有一个地,应是不隔离的。如果我用SEPIC做,估计效率也是0.8多一点。ST.YOU大哥对SEPIC这个拓扑相当有研究了。 |
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| | | | | | | st.you兄,请问低压大电流的sepic可做到多少W,谢谢。 |
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| | | | | | | | | 多低?多大?SEPIC需要电容传递能量,电流会经过电容,所以对电容要求比较高,能走多大电流,这个跟使用的电容有关系。 |
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| | | | | | | | | | | 输入12-24V,输出24V3A。耦合电容应该用什么样的电容?电解行吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 如果成本没多大限制的话,建议用陶瓷电容,X5R X7R材质的都可以。电解因为ESR太大,自身会发热,效率会低一些,且体积也大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢回复。另外,很多资料都介绍电感匝比为1:1,要是我做PFC用,高压的,为了降低mosfet的电压应力,可否改变匝比,会存在什么风险? |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 你就不到50W的功率等级,原边采用两个60V50A的管子? |
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| | | | | | | 主要是变压器和MOS比较热。。。1小时外壳都融了。。 |
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| | | | | | | | | 变压器温度最高点115.6度,MOS管已经烧坏最高点记录温度170多度。。 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 1、MOS管1个足够了
2、反激变压器原变增加RCD吸收
3、看一下MOS管的驱动及DS波形。
4、计算一下变压器绕组的电流密度,考虑一下导线的肌肤效应。 |
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| | | | | 这个一般可以做到80%-85%的效率。由于输入电压低,输入电流大,损耗主要集中在(原边),也就是变压器和主管上,注意选管和变压器磁芯规格。如果把副边把整流二极管其中一个改成续流,换成正激电路,效率会好一些。 |
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| | | | | | | | | | | | | 老妖兄弟,你好!我很想试下你方法,能提供点技术资料参考。谢谢! |
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| | | | | | | 真武阁 兄弟你好!你提供的原理我有试过,发现470VF/35电容很热。 |
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| | | | | | | | | 用好点的电容;加大容量;并个0.1左右的CBB
除了电容热,效率有没有改善? |
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| | | | | | | | | | | | | 这种拓扑调试的好效率是可以接近90%的(输入24V)
管子容量合适就可以了,更大容量的管子虽然很低的导通电阻但可能更大的开关损耗和驱动损耗 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不用共地,不用隔离,我认为BUCK BOOST是首选,效率应该比较容易上去! |
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| | | | | | | | | 我想做一个10~30V输入,30V0.16A输出的DC/DC电路,发现34063耐压不够,3843又过于复杂,纠结中...请各位推荐一下 |
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| | | | | | | | | | | 如果用SEPIC方式做,确实是不够
一般用内置MOS的BOOST芯片都可以做,只是这么高耐压的芯片比较少。 |
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