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光耦可不可以这样接?

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LW5A
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  • 2014-8-4 15:30:53
10问答币
请问光耦可不可以这样接,有什么缺点?后面是图腾柱电路。

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频率低没问题;高频会出错。 建议改集电极输出吧。
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hwx-555
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  • 2014-8-4 17:01:16
 
肯定可以,典型的隔离信号传输。
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  • 2014-8-4 18:13:38
 
我看到发射极输出的这种很少有人用,想了半天
hwx-555
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  • 2014-8-4 19:02:02
 
可以的,给MOS驱动,由于你接的是图腾柱电路,图腾电路后驱动没问题。当然,楼下补充的低频很实在。你用时注意就好。
LW5A
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  • 2014-8-5 09:08:01
 
非常感谢
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  • 2014-8-4 23:39:07
 
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xkw1cn
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  • 2014-8-4 17:28:27
 
频率低没问题;高频会出错。
建议改集电极输出吧。
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  • 2014-8-4 18:22:44
 
刚好用在低频,这个对MOS关断时间有影响吗?
xkw1cn
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  • 2014-8-4 21:49:19
 
速度可能慢点,总体问题不大。
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  • 2014-8-5 09:07:05
 
非常感谢
lahoward
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  • 2014-8-5 15:13:32
 
请教集电极和发射极输出和频率有何关系?
xkw1cn
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  • 2014-8-5 15:34:46
 
那是
lahoward
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  • 2014-8-5 16:14:01
 
是什么?
xkw1cn
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  • 2014-8-5 16:27:29
 
有区别
Coming.Lu
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  • 2014-8-5 08:54:00
 
应该是可以的。
LW5A
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  • 2014-8-5 09:09:42
 
等下看下波形,不行只能换方案了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 14:30:34
 
这个图真的可以吗?我刚试过,关断的时候,3脚波形从最高降低,需要100uS多的时间才能下降到零。。。。。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 14:33:27
 
电阻大小决定速度。我不是严重补了一个词”低频“哈。你也验证啦哈。真是可以工作的;只是速度有电慢。用它做个1kHz左右的开关还是曼可以的。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 15:44:51
 
但是,在这个100us左右的关断时间内,MOS管的驱动会震荡。。。。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 15:46:09
 
施密特一下。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:13:03
 
没直接用这个,用这个信号作为4427的输入,4427带的MOS管。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 16:34:54
 
输入口加点RC
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:37:54
 
1、你说的输入是4427的输入还是MOS管的输入?
2、RC是并联在驱动电阻上还是?
3、我用的100欧姆的驱动电阻(反正我当电子开关用)选择多大的RC?管子就是4226
lahoward
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  • 2014-8-11 15:48:29
 
”电阻大小决定速度“ 这是什么理论?
xkw1cn
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  • 2014-8-11 15:49:24
 
RC理论
lahoward
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  • 2014-8-11 15:53:40
 
C在哪里?
xkw1cn
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  • 2014-8-11 16:05:22
 
光耦的Coss
lahoward
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  • 2014-8-11 16:43:56
 
Coss是哪个电容?
电阻和频率成什么关系?或者说电阻大速度快还是电阻小速度快?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:45:01
 
关断,就是电源通过R给COSS充电,你说电阻大快还是电阻小快?
xkw1cn
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  • 2014-8-11 16:48:13
 
这你得浮充戴维南定律了。小的快。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:53:52
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YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:57:31
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这是测试光耦的图,VCE=2V怎么保证啊,如果RL选择1K,VCC选择15V,怎么测试
lahoward
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  • 2014-8-11 16:52:05
 
您先看一下12楼的问题再继续本题。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:55:00
  • 倒数9
 
我试验的结果是,接哪里都一样。
我回答的仅仅是电阻大快还是电阻小快的问题。
hwx-555
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  • 2014-8-11 16:59:19
  • 倒数6
 
是的,光耦做开关信号的速度是比较低,所以适合低频上应用。
LW5A
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  • 2014-8-11 16:49:34
 
我也测试了一下,光耦用的817,后接图腾柱电路和IRF830,1K电阻接下边的时候上升时间2uS,下降时间12uS;1K电阻接上边的时候上升时间10uS,下降时间50uS。这样驱动MOS有问题吗?
xkw1cn
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  • 2014-8-11 16:51:04
 
低频PWM没任何问题。
LW5A
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  • 2014-8-11 17:11:16
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是的,实际用起来符合要求
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 16:56:03
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你怎么才12us,我的好几百。。。。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 17:01:28
  • 倒数5
 
不同测试方法,差异还是蛮大的。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 17:06:27
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明天我把图贴上来,你给我看看让他快点,12US足够我用的了
LW5A
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  • 2014-8-11 17:09:22
  • 倒数2
 
我把1K换成10K的,关断也不到100uS,难道是MOS造成的?


YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 14:31:43
 
然后我将1K串联在上面,将3脚接地,测量四角信号,4脚从0上升到12V时间更长。。。。。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 14:35:14
 
王工;你的LED电流多大?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-8-11 15:43:47
 
LED的电流我从1mA到10mA都试过,对于副边速度没什么影响啊。但跟副边电流有关,只要在三极管饱和状态下,副边串联的那个1K电阻越小速度越快。
xkw1cn
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  • 2014-8-11 17:02:11
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