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反激磁设计MATHCAD

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cdysjw

cdysjw
离线
LV8
副总工程师

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LV8

副总工程师

2014-8-28 10:48:29

这

本帖最后由 cdysjw 于 2016-4-6 09:02 编辑

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		2 lansunhsu lansunhsu 离线 LV8 副总工程师积分：5969 \| 主题：54 \| 帖子：2441 访问空间发消息积分:5969 LV8 副总工程师 2014-8-28 16:37:00 倒数5
		顶一下！回复 \| 举报 \|

		3 Bodoni Bodoni 离线 LV10 总工程师积分：12335 \| 主题：253 \| 帖子：5180 访问空间发消息积分:12335 LV10 总工程师 2014-8-29 20:34:59 倒数4
		io作为初始电流，容易歧义回复 \| 举报 \|

			4 cdysjw cdysjw 离线 LV8 副总工程师积分：4803 \| 主题：16 \| 帖子：550 访问空间发消息积分:4803 LV8 副总工程师 2014-8-29 22:34:35 倒数3
			是啊，这个可以改。我当时看的资料就这么定义的，我也没有去修改。整个流程就是假设一个占空比，然后验证MOS耐压、窗口系数、磁通密度变化量等。验证过多个机种，也对比过其他的设计表格，计算数据都差不多的。。回复 \| 举报 \|

		5 dspwalker dspwalker 离线 LV6 高级工程师积分：1392 \| 主题：4 \| 帖子：131 访问空间发消息积分:1392 LV6 高级工程师 2014-8-29 23:12:32 倒数2
		mark一下，有空看看，楼主不要介意啊回复 \| 举报 \|

			6 bobery bobery 离线 LV6 高级工程师积分：517 \| 主题：12 \| 帖子：158 访问空间发消息积分:517 LV6 高级工程师最新回复 2014-9-1 12:27:37 倒数1
			下载下来看看，谢谢分享回复 \| 举报 \|

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