移相全桥问题为嘛要并电容-综合电源技术-世纪电源网社区

司马仲达

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2014-10-22 15:52:12

10问答币

移相全桥的MOS为嘛要并电容呢，并了感觉更难在死区时间呢放掉啊。
还有，我该如何判断最短死区时间呢

收藏2

		2 shiyunping shiyunping 离线 LV8 副总工程师积分：8984 \| 主题：51 \| 帖子：3928 访问空间发消息积分:8984 LV8 副总工程师 2014-10-22 15:54:24
		测输入电流波形就知道死区时间。回复 \| 举报 \|

			5 鸡腿鸡腿离线 LV8 副总工程师积分：7243 \| 主题：40 \| 帖子：2095 访问空间发消息积分:7243 LV8 副总工程师 2014-10-22 17:28:09
			回复 \| 举报 \|

			6 zhaohua2764 zhaohua2764 离线 LV10 总工程师积分：11183 \| 主题：40 \| 帖子：3774 访问空间发消息积分:11183 LV10 总工程师 2014-10-22 17:43:21
			好嘛，包治百病。回复 \| 举报 \|

		3 Bodoni Bodoni 离线 LV10 总工程师积分：12335 \| 主题：253 \| 帖子：5180 访问空间发消息积分:12335 LV10 总工程师 2014-10-22 17:01:19
		大功率的要放回复 \| 举报 \|

			4 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 17:09:19
			为什么呢？回复 \| 举报 \|

		7 b44d55 b44d55 离线 LV8 副总工程师积分：6208 \| 主题：4 \| 帖子：2880 访问空间发消息积分:6208 LV8 副总工程师 2014-10-22 17:52:49
		移相全桥通过在MOS的上面并联一个电容来缓冲, 从而降低关断损耗, 而且, 由于是ZVS开通,所以不用很担心这个电容造成开通损耗。至于更详细的, 等我找个全桥软开关的电路学习下再告诉你回复 \| 举报 \|

			8 b44d55 b44d55 离线 LV8 副总工程师积分：6208 \| 主题：4 \| 帖子：2880 访问空间发消息积分:6208 LV8 副总工程师 2014-10-22 17:55:06
			附上斑竹以前说的话回复 \| 举报 \|

				9 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 18:02:26
				不是隔直电容哦，是MOS并的谐振电容回复 \| 举报 \|

			10 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 18:02:47
			是的，我以前也看过，现在找不到看的资料在哪了回复 \| 举报 \|

				11 鸡腿鸡腿离线 LV8 副总工程师积分：7243 \| 主题：40 \| 帖子：2095 访问空间发消息积分:7243 LV8 副总工程师 2014-10-22 18:05:49
				你在MOS上并电容，是不是为了过EMC。回复 \| 举报 \|

					12 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 18:22:35
					这里主要不是因为这个原因。你的并电容主要抑制什么频段的传导还是辐射啊？回复 \| 举报 \|

						13 鸡腿鸡腿离线 LV8 副总工程师积分：7243 \| 主题：40 \| 帖子：2095 访问空间发消息积分:7243 LV8 副总工程师 2014-10-22 18:36:52
						辐射，100M左右。发个图学习下，看并电容有何用回复 \| 举报 \|

							14 hlp330 hlp330 离线 LV7 版主积分：21798 \| 主题：88 \| 帖子：8138 访问空间发消息积分:21798 版主 2014-10-22 18:43:43
							这个主要是为了和你的谐振电感参数匹配，实现滞后臂ZVS开通。回复 \| 举报 \|

								15 鸡腿鸡腿离线 LV8 副总工程师积分：7243 \| 主题：40 \| 帖子：2095 访问空间发消息积分:7243 LV8 副总工程师 2014-10-22 18:49:03
								回复 \| 举报 \|

								16 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 18:57:48
								核心就是我看MOS波形，保证0开0关就可以了是吧回复 \| 举报 \|

									17 hlp330 hlp330 离线 LV7 版主积分：21798 \| 主题：88 \| 帖子：8138 访问空间发消息积分:21798 版主 2014-10-22 21:17:25
									是的啊，可以这样理解，不过0关应该做不到。在全负载范围应该也是做不到，能够实现30%以上的负载能满足0开就可以了。我现在用的MOSFET结电容比较大，都不用并电容。回复 \| 举报 \|

										18 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-22 21:30:06
										我现在150P，并了3000P，准备把3000P去掉，现在满载看波形都软开关了，但是还是非常热，效率仪器坏了在买新的，不知道怎么办了，热的要死，还加了快100W的风机回复 \| 举报 \|

											19 hlp330 hlp330 离线 LV7 版主积分：21798 \| 主题：88 \| 帖子：8138 访问空间发消息积分:21798 版主 2014-10-22 21:52:56
											测不了效率，还可以测试温度啊。看看那里热。你说的的是满载热，还是轻载热啊。谐振参数的选择要注意。不然空载的时候，烫的要死啊，不加风扇都扛不住。回复 \| 举报 \|

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2014-10-22 22:12:19

满载热温度测了等新仪器来测温度看效率太费时间了

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2014-10-22 22:13:22

我现在就非常想把电容去掉，死区时间缩短，但是看样子已经软开关了，感觉缩短死区没用啊，然后把电感加大

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2014-10-22 22:15:25

别等新仪器了，直接电感不动，电容去掉，看看效果呗。

							24 b44d55 b44d55 离线 LV8 副总工程师积分：6208 \| 主题：4 \| 帖子：2880 访问空间发消息积分:6208 LV8 副总工程师 2014-10-23 09:52:23
							对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压回复 \| 举报 \|

								25 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2014-10-23 10:04:22
								这个图，跟你说的东西，有一毛钱的关系吗？回复 \| 举报 \|

									26 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-24 20:13:03
									哈哈，只能多谢这位兄弟捧场。我效率提不上去啊，热死了，就70%的效率，占空比丢失半个周期2us了，70K，看四个管子都软开关了，肿么办回复 \| 举报 \|

										27 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2014-10-25 08:38:20
										谁最热？变压器原边串联了多大的谐振电感？谐振电感如果去掉，效率多少？回复 \| 举报 \|

											28 司马仲达司马仲达离线 LV10 总工程师积分：16739 \| 主题：288 \| 帖子：5366 访问空间发消息积分:16739 LV10 总工程师 2014-10-25 08:58:58
											去掉就炸了，目前30uH，MOS最热，100多度下图是接近满载时，桥臂中点对变压器初级电流回复 \| 举报 \|

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2014-10-25 09:08:17

那你的电路肯定存在问题，去掉谐振电感顶多是硬开关，怎么会炸。

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2014-10-25 09:08:46

有图有真相

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2014-10-25 09:09:04

你变压器初级电感多少？输出输出参数什么样？

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2014-10-25 09:09:21

你这个电源用的是什么管子啊？多大功率？用到了30uH的谐振电感？

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2014-10-25 09:10:25

14uH就炸了，管子ID=21A（100°时）

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2014-10-25 09:11:53

电路参数。

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2014-10-25 09:13:34

输出3KW，输入220，输出电流最大20A，F=70KHZ，隔直电容4.4uF

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2014-10-25 09:26:50

跟27楼同等条件下，再测量一个输出整流后滤波电感前的波形我看看占空比。
提前声明，我没做过移相全桥，别抱太大希望哈。

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2014-10-25 09:31:51

占空比丢失很大.

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2014-10-25 09:38:14

同志们啊，快来救救我吧，38楼的回复已经让我快不行了，赶紧结束这个帖子吧

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2014-10-25 09:49:10

看看你的管子开通到电流反向，这个时间也忒长了，难怪占空比丢失的。电感有点大了啊。炸掉MOFET应该还有其他的原因，看你开关震荡没有，还有电压应力？

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2014-10-25 10:03:00

一开始电感30 绝对不会坏，然后我拿了2个并，波形瞬间开了很多次也很稳，烤机1分钟就炸了，没有地方热，应该是过电流应力了，因为移相全桥就是Lr越小，电流峰值越大，冲击大，我上传的是30的波形不是15的
但是占空比丢失D=2LrI/nUinTs
I是输出电流定的 Uin Ts 匝比都是定的 Lr已经很小了，没办法现在次级Ton就4.4，丢失真的太多了，我把MOS并的电容去掉效率也没变化
有点走到死胡同了
而且我现在又是0电压开通，所以上升沿慢也无所谓了……吧……嗯无所谓

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2014-10-25 10:05:20

因为移相全桥就是Lr越小，电流峰值越大，这话从何而来？

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2014-10-25 10:03:13

结合这个图及你的参数，我们来计算一下
1、在红线区域内，你变压器副边没有电压，也就是变压器是相当于被短路的，原边只有漏感及外部谐振电感。
2、你的峰值电流应该是10A。
3、这段时间在2uS左右。
4、条件1中的漏感及谐振电感承受一个反压，电压大小为母线电压，假设为250V。
可以计算你漏感加谐振电感在50uH左右。这是引起你占空比丢失这么大的原因，也就是说你采用这么大的漏感+谐振电感，必然有这么大的占空比丢失。
这个计算还有错误，占空比丢失比这个还要大。

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2014-10-25 10:13:02

实际参数是这样的 300V 30-40uH 假设30 300VDC 所以是20A
我的是1V对应2A的
是的，所以他真应该有这么大的占空比丢失
所以我IP大，MOS太热了，而且目前没有办法解决这个占空比丢失
Lr越小，这个副边短路的IP就越大，然后在这个IP上再叠加主功率传输时的电流上升，造成总IP大。
就是Lr决定主功率传输第一时刻电流的起点值

是全波整流，就2个二极管的

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2014-10-25 10:45:21

lr越小，IP越大这个我觉得有待商榷。
你输出3KW，效率70%的话，有1KW损耗，那你的热死，所以我估计你效率测试有问题。
MOS管热有可能是导通损耗过大之类的，我觉得目前你应该先看看效率到底是多少。

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2014-10-25 10:59:58
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Lr的大小对Ip确实有影响，但是也不是很大，毕竟和励磁电感比起来，还是很小的。IP主要取决于
负载电流的大小，包括纹波部分，再就是励磁电流了。

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2014-10-25 11:05:14
倒数7

励磁电流？影响不大吧，励磁电感被次级短路

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2014-10-25 11:08:46
倒数5

电感电流不能突变，Lr的电流不就是负载电流+励磁电流？

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2014-10-25 11:01:46
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嗯，好的，新买的钳流表太垃圾每次测都不一样我MOS管100°时是21A的，会不会小了

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2014-10-25 11:04:52
倒数8

看你的电流波形貌似峰值都10V了，20A了，MOSFET够呛了。

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2014-10-25 11:05:59
倒数6

哎，那我重新选管子吧，选个45A的

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2014-10-25 10:08:56

副边整流模式是桥式整流？

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2019-1-17 11:55:47
倒数3

牛，1.5KW 用的管子用要20多A 的（100度），你3KW 也就用这么大的。。。难怪。。

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2014-10-25 09:12:06

下图是网上找的另一个人的波形图，看着和我上面的差别很大

shiyunping

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2014-10-25 09:35:01

你没有搞清楚真实的工作电流的时间分布坐标，进行这种毫无意义的实验。看你要折腾多久，赶快停下来吧。

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2014-10-25 10:27:06

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2014-10-25 09:55:45

变压器初级电流，你这个波形1V对应多少A电流？

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1V 2A

				23 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2014-10-23 09:29:38
				软开。回复 \| 举报 \|

		57 micm_matlab micm_matlab 离线 LV1 本网技工积分：65 \| 主题：0 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:65 LV1 本网技工 2017-6-23 22:44:52 倒数4
		看了所有的跟帖，发现楼主用的MOSFET的额定电流太小了，所以很热。电流峰值20A，楼主只用了40A都不到的MOSFETMOSFET在额定电流下的压降一般是5V（室温），100度时更大。所以如果用小MOSFET，每个MOS上的能耗接近100W（100度时加倍），当然要烧掉。这么大功率的，应该需要用100A的MOS，然后就可以适当减少谐振电感，占空比损失就少了。回复 \| 举报 \|

			59 gh_nathan gh_nathan 离线 LV6 高级工程师积分：711 \| 主题：0 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:711 LV6 高级工程师 2019-1-27 15:37:41 倒数2
			您好，想请教下mos管的电流裕量不够会直接引起发热吗？我现在的管子也是发热严重，看了您的回复反应过来我选的mosfet额定电流不够大，不知会不会是这个原因引起的发热？回复 \| 举报 \|

				60 fyttad fyttad 离线 LV6 高级工程师积分：837 \| 主题：0 \| 帖子：45 访问空间发消息积分:837 LV6 高级工程师最新回复 2019-1-27 21:56:42 倒数1
				看曲线，电流在对应的饱和区留些裕量就OK，算下损耗。。。。回复 \| 举报 \|