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| | | | | | | 开通关断损耗的计算比较麻烦了,需要准确的测试出来MOSFET开通和关断时候的电压和电流的交集部分,然后再精确计算,我们一般也就是大概的去算一个结果用来参考。 |
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| | | | | | | | | 我说的肖特基呢?MOS那个开关好像也确实比较难计算 |
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| | | | | | | | | | | MOOSFET的导通损耗相对比较容易计算一些,但是开关损耗计算起来也是很麻烦的,这个涉及到你的开关电流以及电压上升下降的曲线。有实测最好,计算的话,有些偏差。 |
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| | | | | | | | | | | 关断损耗 Pswitch-off = 1/2* VDSiD*(t5-t3)*f
截止损耗 Poff=VDS*IDSS*toff*f
其中:
VDS :截止时的D-S间的电压
IDSS :截止时的实际结温下的漏电流
toff:一个周期内的截止时间 |
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| | | | | 顶一个。 新手也在学习当中。 不过很多时候 计算 我看有些人就是计算下 导通的损耗,Vf*Irms |
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