| | | | | 一般情况下,在高压的时候开关损耗比较大,低压的时候,导通损耗比较大,最终哪个效率高,还真不好轻易的下结论,和你的控制方法,以及参数的选型都有很大的关系的。 |
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| | | | | | | 这个会不会跟工作模式有关系呢?发现设计的时候满载的情况下工作模式还在DCM模式。 |
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| | | | | | | | | 当然有关系了,如果用QR的话,高压效率还有优势的。 |
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| | | | | | | | | | | 会不会也是因为mos的Cgs太大,使米勒效应太明显了从而影响了驱动的爬升时间,导致了开通损太大了。高压的情况频率是高些吧. |
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| | | | | | | | | | | | | 和MOSFET的GS当然有很大的关系,要看你的驱动能力了,是否开关的速度足够快了。还有这个
你测试的是高压轻载的情况,这个时候的开关损耗,其实已经占到比较大的比例了。 |
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| | | | | 绝大部分是230V 1/4载的时候,效率是最低的;
不过现在也有一些控制芯片,能把230V 1/4载的效率搞的比115V 1/4的效率还高;
这个主要是能源之星要求测试4个点取平均的处理; |
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| | | | | | | [size=14.399999618530273px]嗯嗯,就是说我用的芯片不是新的控制IC呢。我接触的少,以为电压高,就电流低损耗会小些。那为什么[size=14.399999618530273px]230V 1/4载的时候,效率是最低,请赐教了呵呵 |
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