DC110V升压到DC1200V高频隔离电源-光伏/逆变/UPS/变频器-世纪电源网社区

chenxi0209

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2015-2-4 16:02:55

10问答币

大家好，客户提个需求，把DC110V升压到DC1200V隔离电源，功率60KW，对体积要求比较高，所以高频是必须的了。目前有两个想法，一是IGBT并联三相全桥逆变后通过变压器升压后整流；二是移相全桥后通过变压器升压后整流，用两个机器并联。如图所示。现在不知道用什么方案做好，或者半桥可行了？请大家多多帮忙，谢谢。
担心几个问题：1.直流输入110VDC过低，1200V的管子大概是用不了，600V的管子不知道可有什么问题，另外600V最大电流只有600A的，需要并联。
2.如果逆变后直接变压器升压再整流，变压器变比过大，是否存在问题，或者只能次级再串联了。
3.用IGBT并联做移相全桥，是否有问题了。

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		2 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-2-4 16:33:33
		200/250VMOSFET有的是也好用；硬开关即可。用IGBT模块；不可取。问题大的是整流，电压高；有点不好整。回复 \| 举报 \|

			3 chenxi0209 chenxi0209 离线 LV3 助理工程师积分：254 \| 主题：3 \| 帖子：47 访问空间发消息积分:254 LV3 助理工程师 2015-2-4 16:36:41
			目前我感觉整流还好，不行的话次级用两个绕组输出串联来实现。如果用MOS管的话，电流太大了，要用很多个并联啊，没有做过了。回复 \| 举报 \|

				4 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-2-4 17:55:11 倒数10
				IGBT不适合低压，MOSFET要好用很多。满共600A电流，也大不到哪里。回复 \| 举报 \|

				5 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-2-4 17:56:46 倒数9
				现在TO-247的早就达到130A了。 irfp4668pbf.pdf 回复 \| 举报 \|

					6 chenxi0209 chenxi0209 离线 LV3 助理工程师积分：254 \| 主题：3 \| 帖子：47 访问空间发消息积分:254 LV3 助理工程师 2015-2-4 20:05:36 倒数8
					您好，能给我详细解释下为什么IGBT不适合做低压了，以前也是听这么说，是不是电压低，米勒电容对驱动影响大。关断时拖尾会严重吧。如果130A的MOS并联太多了，还是三相的，应该有电流更大的吧，这个散热也不好处理啊，没有用过这么大的MOS。那是不是MOS并联加上机器并联比较好些。谢谢。 MOS并联驱动也没有做过啊，彻底没有用过这么大MOS。回复 \| 举报 \|

						7 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-2-4 20:25:45 倒数7
						你说的直流输入直流输出，咋成三相？希望你能自己理一下。关于MOSFET与IGBT区别，建议你自己计算一下各自的通态损耗。回复 \| 举报 \|

							8 chenxi0209 chenxi0209 离线 LV3 助理工程师积分：254 \| 主题：3 \| 帖子：47 访问空间发消息积分:254 LV3 助理工程师 2015-2-4 20:37:39 倒数6
							直流变直流，我想用直流先变交流，然后变压器升压后再整流来完成。如果直接从110VDC升压到1200VDC没有办法啊，升压倍数太大了，只能经过变压器升压。你是说主要是损耗的问题是吧，我算算。回复 \| 举报 \|

								9 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2015-2-4 20:44:46 倒数5
								1200V，算不上高压，也没那么难，60KW是很标准的电源。从你现在描述，你并没有仔细演算和评估可能的方案。这是非常悲催的事情。帮你的人越多，你会越手足无措。建议你仔细自己理一下，提出明确的问题。回复 \| 举报 \|

									10 chenxi0209 chenxi0209 离线 LV3 助理工程师积分：254 \| 主题：3 \| 帖子：47 访问空间发消息积分:254 LV3 助理工程师 2015-2-4 20:52:18 倒数4
									是的，我现在不清楚用什么来做比较好。我再理下，谢谢你的建议。回复 \| 举报 \|

						11 smithhu smithhu 离线 LV6 高级工程师积分：1215 \| 主题：5 \| 帖子：160 访问空间发消息积分:1215 LV6 高级工程师 2015-2-15 13:48:42 倒数3
						不能说IGBT 不适合做低压，主要是低压场合都是高频的，IGBT的频率跑不上去。另外大电流时IGBT的拖尾会很严重，如同二极管在流过大电流后，反向恢复时间比较长是一个道理。个人建议你采用原边并副边串的方式，主要有两个好处，一个是原边的单个管子的电流减小，二个是副边的管子的耐压减小，这样你的管子就比较好选择。变压器的匝比也不会很大1:7,原边电流300A ,原边每个功率管都需要并联，减小管子的导通损耗。频率不能跑的太高，估计也就40K 左右，希望给你有所帮助。回复 \| 举报 \|

							12 cdzx11 cdzx11 离线 LV10 总工程师积分：10107 \| 主题：37 \| 帖子：3956 访问空间发消息积分:10107 LV10 总工程师 2015-2-15 22:41:46 倒数2
							麻烦你研究一下IGBT导通之后的电压降再说，好不好？回复 \| 举报 \|

							13 chenxi0209 chenxi0209 离线 LV3 助理工程师积分：254 \| 主题：3 \| 帖子：47 访问空间发消息积分:254 LV3 助理工程师最新回复 2015-3-5 11:24:49 倒数1
							我现在是准备采用原边并联，副边串联不串联还没有确定，频率40K的这么大IGBT是很难跑上去的。谢谢你的建议。回复 \| 举报 \|