单片机驱动MOS管问题-综合电源技术-世纪电源网社区

wayne530272452

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2015-4-29 13:00:20

10问答币

单片机初学者！想用单片机的P1.2 IO口输出高低电平来控制MOS管的通断，从而控制负载LOAD工作！电流最大在2A左右！！！

现在单片机可以用按键正常控制高低电平输出，但是一接上后面负载电路，高电平的时候就剩下0.5V左右，没办法让MOS管导通！！

求大神解释！！本人菜鸟来的！！！不胜感激

最佳答案

lahoward

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逻辑门槛： IRLML0030TR 2.3V， 6N10 3.0V ，这不是问题。充电电荷也不是问题，电荷多少仅与开通速度及瞬时充电电流大小有关。楼主用的应该是51单片机，最大高电平输出电流仅几十微安，基本不能驱动MOS管，加个上拉电阻会好些，如加个三极管驱动则比较可靠。

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		2 释迦雨果CN 释迦雨果CN 离线 LV6 高级工程师积分：1638 \| 主题：5 \| 帖子：471 访问空间发消息积分:1638 LV6 高级工程师 2015-4-29 13:28:29
		看你美的。。。换IRLML0030TR！回复 \| 举报 \|

			3 世纪电源网-小王世纪电源网-小王离线 LV9 管理员积分：8335 \| 主题：160 \| 帖子：1379 访问空间发消息积分:8335 管理员 2015-4-29 13:38:07
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			4 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-4-29 14:43:11
			说说理由。回复 \| 举报 \|

				7 释迦雨果CN 释迦雨果CN 离线 LV6 高级工程师积分：1638 \| 主题：5 \| 帖子：471 访问空间发消息积分:1638 LV6 高级工程师 2015-4-29 22:37:26
				逻辑门槛；低电荷功率MOSFET 回复 \| 举报 \|

					8 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-4-30 01:07:41
					逻辑门槛： IRLML0030TR 2.3V， 6N10 3.0V ，这不是问题。充电电荷也不是问题，电荷多少仅与开通速度及瞬时充电电流大小有关。楼主用的应该是51单片机，最大高电平输出电流仅几十微安，基本不能驱动MOS管，加个上拉电阻会好些，如加个三极管驱动则比较可靠。回复 \| 举报 \|

						9 释迦雨果CN 释迦雨果CN 离线 LV6 高级工程师积分：1638 \| 主题：5 \| 帖子：471 访问空间发消息积分:1638 LV6 高级工程师 2015-4-30 12:35:51
						过了门槛就能通2A？回复 \| 举报 \|

						10 释迦雨果CN 释迦雨果CN 离线 LV6 高级工程师积分：1638 \| 主题：5 \| 帖子：471 访问空间发消息积分:1638 LV6 高级工程师 2015-4-30 12:36:57
						楼主做的是负载开关，频率极低！回复 \| 举报 \|

						13 wayne530272452 wayne530272452 离线 LV2 本网技师积分：115 \| 主题：1 \| 帖子：3 访问空间发消息积分:115 LV2 本网技师 2015-4-30 12:58:43
						昨天已经解决了，确实是加了个三极管来驱动回复 \| 举报 \|

		5 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109912 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109912 版主 2015-4-29 14:45:26
		开关频率多少？回复 \| 举报 \|

			6 tang490116827 tang490116827 离线 LV6 高级工程师积分：1491 \| 主题：9 \| 帖子：289 访问空间发消息积分:1491 LV6 高级工程师 2015-4-29 16:52:15
			带载的时候单片机是否上电正常回复 \| 举报 \|

				12 wayne530272452 wayne530272452 离线 LV2 本网技师积分：115 \| 主题：1 \| 帖子：3 访问空间发消息积分:115 LV2 本网技师 2015-4-30 12:57:09
				正常！就是输出的引脚的高电平只剩下0.5V 回复 \| 举报 \|

			11 wayne530272452 wayne530272452 离线 LV2 本网技师积分：115 \| 主题：1 \| 帖子：3 访问空间发消息积分:115 LV2 本网技师 2015-4-30 12:55:58
			开关频率很低的！只是用按键决定高低电平输出，从而控制MOS管的通断而已回复 \| 举报 \|

				14 ttlee1981 ttlee1981 离线 LV2 本网技师积分：142 \| 主题：0 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:142 LV2 本网技师 2015-5-5 08:40:55
				将R3 10K改为1M就可以了，其它什么都不用改回复 \| 举报 \|

					15 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-5-5 08:44:57
					你觉得51单片机的高电平能驱动ＭＯＳ管？回复 \| 举报 \|

						16 ttlee1981 ttlee1981 离线 LV2 本网技师积分：142 \| 主题：0 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:142 LV2 本网技师 2015-5-6 07:16:45
						NMOS管的G极本身不耗电流的，是外部下拉电阻消耗了电流。而89C51的P1～3口可以输出10uA时超过0.9VCC，所以当外部下拉电阻1M只消耗5uA时约为4.5V，就可以驱动NMOS管。这里面要注意，只是能驱动，开关速度不快，性能估算为：如果用华之美HM2300 SOT23，4.5V时约33mR，2A时MOS发热=2A2A33mR=0.132W。由于SOT23可以耐热0.25W，所以可以用。只是需要走线时PCB铜稍加大点增强散热。 Ciss约为500pF以1000pF估算，开关速度约为:1M*1000pF=1ms。这个可以实际用示波器抓下G极波形。 HM2300 官网规格书下载: http://www.hmsemi.com 由于驱动电流不大，如果是感性负载，为了防止强干扰，实际应用时，从单片机IO口过来串的R1改为100R电阻，并且在下拉电阻上并联一个4.7nF就最好，这样开关速度变为了5ms。回复 \| 举报 \|

							17 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-5-6 08:32:27 倒数10
							其实你没有理解MOS管，所谓MOS的G极不耗电是指当MOS管导通后G极不再耗电。回复 \| 举报 \|

								18 ttlee1981 ttlee1981 离线 LV2 本网技师积分：142 \| 主题：0 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:142 LV2 本网技师 2015-5-6 14:23:30 倒数9
								请问，用5V，经过一个1M电阻，对一个1000pF陶瓷电容，充电，10ms后，电容上电压为多少V？如果为接近5V，是不是可以理解为不耗电？楼主对开关速度没有要求，即只要按键反应的速度内开关，就行了，而按键我们知道人的速度正常为0.1秒左右。所以10ms内能开关就OK了。回复 \| 举报 \|

									20 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-5-6 14:43:28 倒数7
									1M电阻究竟是串联在G极回路中还是你15 楼说的接地？我已经说了不耗电是ＭＯＳ管导通后不耗电，充电过程也可理解成不耗电吗？你用５Ｖ电源来驱动和楼主的单片机输出驱动有可比性吗？楼主如果用５Ｖ电源驱动ＭＯＳ管还会发这个帖子吗？你的计算全部都是错的。如果有条件建议你弄个５１单片机做个实验看看１０ｍｓ内能否开启ＭＯＳ管。回复 \| 举报 \|

										21 释迦雨果CN 释迦雨果CN 离线 LV6 高级工程师积分：1638 \| 主题：5 \| 帖子：471 访问空间发消息积分:1638 LV6 高级工程师 2015-5-6 15:33:22 倒数6
										建议你试一下2N7002或者BS170是否能在10uS内开启。51单片机有OC口也有标准IO口，驱动能力远没那么弱。回复 \| 举报 \|

											22 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-5-6 16:04:00 倒数5
											51单片机有OC口？回复 \| 举报 \|

										23 ttlee1981 ttlee1981 离线 LV2 本网技师积分：142 \| 主题：0 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:142 LV2 本网技师 2015-5-6 19:34:13 倒数4
										10R和10K，改这2个值就可以了。对应改为100K和1M，能驱动不？只要楼主所说的不接10R就可以输出高电平，改为100K和1M就一定可以解决。我还是2000年时用过51单片机的。现在多少年没碰过了。当然，也自认为自己多少还是懂些硬件软件。现在也比较少碰电子了，专心玩投资。但是我的出发点，是帮楼主尽我所能，最小代价解决问题。如果有自认为自己是软件硬件高手的，请留下联系方式，一起聊聊发展。十分感谢！ q610081268 回复 \| 举报 \|

											24 lahoward lahoward 离线 LV10 总工程师积分：23728 \| 主题：92 \| 帖子：5640 访问空间发消息积分:23728 LV10 总工程师 2015-5-7 04:42:48 倒数3
											无论怎么改动，即使能让MOS管导通，试图让这种uA级的器件来直接驱动MOS管是毫无意义的事，其实加个上拉电阻也比你的这种改动强得多。你在18楼提到的MOS选型不合适是对的，但你推荐的2300MOS管却又是欠考虑的。回复 \| 举报 \|

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2015-5-7 07:05:07
倒数2

有时MOS管的驱动电流也不能用得太大，在有容性负载时。所以uA级驱动电流只要开关速度低时，完全够了。
你说的欠考虑是什么呢，容性负载的开通峰值电流？只要G极装100K以上，就达到了慢慢开通的效果，峰值电流就不会大。当然了，还是要看容性负载多大容量了。如果是1～10uF是没问题的。100uF就不行了，得换更大峰值电流和大封装的MOS管。

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