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未解决

“基于SiC器件的高温直流开关电源的设计与实现”的创新点

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wizard546903189
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高级工程师
  • 2015-5-26 08:35:51
10问答币
我毕设题目是“基于SiC器件的高温直流开关电源的设计与实现”,是根据项目拟的题目。。。。可是。。。。可是基本上就是把常温的半桥DC-DC换成高温器件,SiC大功率、高效率的特点跟我也没关系啊。。。创新点在哪呢?求助
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st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-5-26 09:40:33
 
耐高温,如果再加上小体积长寿命,这个就够你创新一辈子的了
wizard546903189
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-26 13:54:11
 
耐高温、小体积貌似是器件上的事情,我只负责弄电路,所以导师希望我在电路上能有创新点。我目前想到的是在宽温度范围内做温度补偿,可是怎么补偿呢。。。。
您说的寿命长我觉得是个点,怎么样能延长寿命呢?
st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-5-26 16:26:11
 
小体积,也是拓扑的事。
wizard546903189
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-26 16:48:16
 
嘿,那倒是。现在用硬开关半桥呢
st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-5-26 17:02:55
 
半桥啊,那你的输入滤波电容就没法用小的了,高温高压大容量的电容超级的贵呢,不过估计你们不差钱
wizard546903189
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-28 07:51:02
  • 倒数10
 
高温元件都贵的离谱。。。找了个国产厂商,电容也大的离谱。唉,还得降额使用,穿电容吧,没招
支招啊,我的电路!!!
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2015-5-28 12:04:58
  • 倒数3
 
高温电路用半桥的确值得商榷,特别是半桥正激这类电路。
半桥LLC好像是可以考虑的。
如果不需要大容量电容,我建议考察一下大连达丽凯的射频电容,这种电容工作温度应该比较高——我用这种电容制作的射频功率电路,根本不能用FR4板材,否则电容会把电路板烤焦,改用F4板材同样的电路可以长期稳定工作。
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2015-5-27 22:57:30
 
耐高温就意味着可以创新啊!
假设你的电路在常温下工作,因为器件耐高温,你可以设计的时候故意让器件在较高的温度下工作,这就意味着你的电路散热设计很简单,体积可以大幅度缩小。
wizard546903189
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-28 07:55:35
  • 倒数9
 
这个项目环境温度就得150。
不过我貌似可以这么写,嘿嘿
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-28 08:31:11
  • 倒数8
 
创新说难也难,说容易也容易,思路一边就成了创新了。
设计高温电源的难点在于你所有元器件都要用高温的。
就你这个项目来说,电路温度越高,“创新”的效果越明显。
wizard546903189
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-28 08:46:20
  • 倒数7
 
其实我想问一个问题,难道所谓高温电路,真的就是把常温元件替换成高温元件就可以了吗?
如果说是个宽温度范围,元件的温漂不需要解决吗?续流、整流、吸收什么的和常温完全一样吗?在高温环境中,散热设计需要有讲究吗?
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-28 11:59:12
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对开关电源来说,需要考虑温飘的主要是控制电路吧?你可以把控制电路隔离开,让它在常温下工作,当然如果有合适的高温控制电路可用,也可以考虑不做温度隔离,这时候温飘大概必须考虑。
至于续流、整流什么的,SiC或者GaN元件的性能远好于普通硅器件,这方面照搬基本上没任何问题,不需要特殊处理。
吸收回路的要求主要是取决于元器件的特性,根据实际情况设计就好了。


我记得散热能力和温度之间的关系是4次方关系(不确定是绝对温度还是温差)——这就是我说高温工作的电路散热更容易,(散热器)体积可以大幅度减小的依据。
wizard546903189
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高级工程师
  • 2015-5-28 12:07:14
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嗯。。。。看了之后我对项目的完成多了一层信心。对于论文的完成少了一层信心
cdzx11
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总工程师
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  • 2015-5-28 15:48:17
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xkw1cn
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  • 2015-5-26 09:48:09
 
建议SiC换成GaN吧,大把的这类管子。结温可以到350C。这用在高温;比较合适。SiC可选的太少且额定结温并不高。
wizard546903189
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高级工程师
  • 2015-5-26 13:51:14
 
[size=14.1666660308838px]导师就是研究GaN的,可是已经买了rohm公司的SiC的MOSfet和SBD裸片,应该是以前在公司和rrohm公司有过合作,确定器件到175摄氏度是封装问题,准备自己弄封装。。。没办法改。
[size=14.1666660308838px]我的创新点要求在电路上,如何是好呢?做温度补偿?
xkw1cn
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  • 2015-5-26 16:43:26
 
给它装个制冷器!
wizard546903189
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  • 2015-5-26 16:47:38
 
[size=14.1666660308838px]总工,认真点
释迦雨果CN
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  • 2015-5-26 18:17:06
 
难道不是方法吗?
半导体有自冷,风冷,水冷,弗利昂冷却,为啥就不能主动冷却呢?
释迦雨果CN
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  • 2015-5-26 18:17:40
 
这都不算创新?。。。。。
wizard546903189
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  • 2015-5-26 18:25:36
 
当然是创新啦,只是。。。。老大希望的是电路上的创新,我想先往这方面想想
xkw1cn
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  • 2015-5-27 21:33:15
 
你们老师是要热到元件都热晕,让你创个电路;将这些晕汉协调起来正常工作?
wizard546903189
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高级工程师
  • 2015-5-28 07:41:06
 
嘿嘿,我们都不叫老师,叫老大。
总工莫笑我,我怎么可能创个电路搞定这种事。老大希望在电路上里找找点,因为我们是学术型嘛,得有所谓学术上的创新点,不能只从工程考虑。。。。虽然我做的是工程项目。。。。
我之前根据论坛里的建议,跟老大说把PWM IC放次级,用变压器隔离驱动,这样来做反馈隔离(高温光耦买不着,也不适合这个项目哈),高温里没搜到过这么做的文章,这算不算创新点!老大说,创新点。。。有点小!
总工,给支个招。。。。我就是把常温元件换成高温元件啊,怎么创啊

xkw1cn
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  • 2015-5-28 09:47:58
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TI曾经收购过一家公司,叫BB。它有250C工作的放大器等神器,你可以到TI官网搜一下,一定有惊喜。
wizard546903189
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  • 2015-5-28 09:50:36
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我看看,我看看
eric.wentx
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  • 2015-5-27 20:51:17
 
说话,你的实验环境温度打算上多少度啊?
wizard546903189
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高级工程师
  • 2015-5-28 07:47:54
 
[size=12.1739130020142px] 150摄氏度左右的环境温度。老师说虽然我在做工程项目,但是希望我能在学术角度找找创新点,改进一下某个小电路,可能会有其他问题也没事。
[size=12.1739130020142px] 我的帖子了居然许工,和eric.wentx,sy.you都出现了,经常看三位的帖子,受宠若惊啊。借您的楼感谢一下许工对我另外一个半桥电路调制帖子的指导哈
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