|
|
|
|
|
|
|
| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 就想请教一下 DS波形 斜率这么大 是什么原因？？ |
|
|
| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 正常的DS波形不是方的 说明我mosfet关断速度极慢是这样么，这样会出现很大的关断损耗对吧？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | GS 绿色DS，。。。 然后就这两波形都能分析一下可以么、？ 谢谢老师 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS开启时有电流，关闭时无电流，而且电流是梯形的，因为是CCM。有尖峰正常，杂散电感，不坏东西就行，不用客气，我不是老师也是学生 |
|
|
|
| | | | | | | | | 驱动波形没有反啊，开启的时候，DS确实为0的。只不过关断的时候，电压上升太慢了。
C2，R1，D1这个吸收电路有点奇怪的感觉啊，莫非这个是比较新奇的吸收电路？不过C2取的太大了点。
输入输出电容太小了吧，2KW的东西才那么几个uF。
光耦隔离俘地驱动是可以的，只是不知道这个GND2的电源是否隔离。电源规格都没的。
让大家猜啊猜啊。。。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | ”绿色为DS波形 黄色为GS波形 “
GS导通时 DS没有电流？ |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 卧槽，有这么牛逼的DS波形，看着和DS电流波形似得 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你还是先把你的电路改成标准的或者常用的吧，然后再去考虑是否是PCB或者其他的问题啊。
把2.2uF加大几百到几千倍，49.9K弄小点。输出端那个二极管先短路掉，TC4420的2,4脚下拉个10K电阻 |
|
|
| | | | | | | | | | | 老师您好，这个GND2是隔离的。然后这个C2 R1 D1 吸收电路 老师的想法 应该怎么摆 ？C2没有这么大的，现在测试前段输入的是直流电压源输出的，还没装电容，现在最主要的问题就像您所说的：1 DS电压上升太慢了， 2 GS 波形好奇怪。不知道这两个问题有没有联系。 希望能得到老师的解答，有没有什么解决办法。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 老师不敢当啊。
GS波形暂时不要管，这个波形没有关系的。
DS的话看你的驱动电路有加速关断的，那么就可能是你这个吸收电路导致了DS电压上升速度过慢 |
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | L1存在饱和的问题，建议你换大一点的并且不是那么容易饱和的电感，基本上问题可以解决。
同时建议你，在KF2的DS两端加1nF的瓷片电容 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我买的电感通过最大电流为25A虽然我不知道它能不能达到
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实，你看DS电压波形，在关断瞬间DS电压实际上是很快就升起来了，只不过后来有些高频的振荡，振荡了几次后才是后来的缓慢升起来，这种高频振荡是电感L1和分布电容的振荡，所以在DS间加1nF瓷片电容应该会消除这种高频振荡，其次，这种高频振荡通常情况下电感会比较小，比如uH级，最大可能是电感饱和导致电感下降。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢宝贵的建议。加了1NF的瓷片电容 无法消除。还有就是电感饱和的问题，输入电流并不大为何会造成电感饱和呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有就是我的电感 选的裕量是25A的电流 按理来说应该不会吧。。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 25A的话应该不会饱和，但是你的布线貌似不同寻常，特别是开关管那部分，分布电感的影响应该是导致关断瞬间高频振荡的原因，至于关断后来那么慢我觉得主要查DS间的电容吧 |
|
|
| | | | | | | BUCK的驱动波形也要讲究，
开通的驱动能力要足够，但上升速度不能过快，过快了，续流管上尖峰很高，过慢了，开通损耗很大，MOS管发热厉害。吸收电容154 真有点大，MOS损耗很厉害，效率就打折扣了，难怪你的尖峰不是很高但宽度很大。 |
|
|
| | | | | | | | | 个人感觉驱动应该没多大问题（3KW的BOOST也用这个驱动 而且波形很好），吸收电容我放的是683的， 后来拿了以后就是上面的波形。 |
|
|
| | | | | | | | | | | 1、看一下MOS管前端电源电压在工作的时候有没有波动；2、吸收电容C2 容量降至202及以下 试试。3、确认一下你电感的工作频率。个人认为输入电压波动的可能性较大。 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 保险起见，输入靠近板子出增加一个尽量大的 至少几百最好上千UF的电解电容看看 |
|
|
| | | | | | | | | | | 我感觉驱动也没有问题，应该是你的吸收导致的。关断时IGBT真实已经关断，而波形上电压上升缓慢，应该是吸收电容充电导致。如果真实DS波形上升这么慢，那IGBT会发热非常严重的，这个时候电流和电压交叉很大的，没有看到电流波形。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 25楼的波形形 的吸收电容 已经拿掉了 而且你说gs没有问题 这样的波形幅值都变了 应该会对MOS有影响吧 会不会和我驱动那里二极管下面没放电阻导致的震荡有关？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 关断是比较慢，你看了电流波形吗，10us+是很长，不知道这个地方是不是真实的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 对啊 怎么可能有10us的DS电压时间 太让人费解 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你最好看下电流波形吧，这个关断时间太长，和电流交叉时间很长，发热会很严重甚至爆管，但是如果你正常运行，只能说明管子真实已经关断，这个现象是别的原因导致的。不是驱动导致。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 管子的开通关断波形不太好， 损耗一定很大。 主电路需要优化设计， 驱动也是。 需要方案，请联系我： 136218221493. |
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号