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| | | | | 原理上在变压器复位之后会造成开关管承受的电压变高。 |
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| | | | | | | 实际调试开关管承受的电压还是相对稳定,母线电压高的时候红圈元件上的电压就会减小,差压峰值取决于电容大小和功率,而且在ton的时候电容会分担很大一部分正向电流,所以二极管上的损耗不会很大,但是要求其反向恢复特性一定要好. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个是二极管第二道防线,ton时刻MOS开通一旦电容充电完毕不再流过电流但ON时间还没有结束就必须靠二极管续流,如果漏感很小,电容容量选得很小就会出现这种情况 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 试试动态负载情况下,C上的电容电压会升高,是否DS电压可以,C电容一点容量大,体积会很大,在实际电路中难以放下 |
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| | | | | | | | | 而且我这个回路和你的不太一样,MOS开通时会把退磁电压吃回去,你的直接被TVS消化了 |
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| | | | | | | | | | | | | 上面的波形是什么?下面的Ton怎么那么慢?看一下电容的能量跑哪里去了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | QR模式做的,你看到很慢那一段是自然谐振,因为没有高压探头下面谷底开通那一截看不到了,波形的位置在图片右侧有标注了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在Ton的时候电容右侧的电压最高所以电容上的能量首先被灌回到初级,直到电容放电完毕,二极管接着从母线那里续流,看第二张图片 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在我在想,把ES3J换成慢一点的二极管,利用反向恢复时间把漏感能量向母线泄放,trr完了之后隔离Vor
你的那个PI用TVS有个风险,就是当Vor-Vin>Vztvs的时候,TVS会遭遇极大的电流(秒伏失衡初级强行向母线冲击)有可能损坏。 |
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| | | | | | | 同感,没有多大意义,尖峰有是有效吸收才是值的探索。
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| | | | | | | | | | | 刚刚在单级PFc反激上验证了一下,效果不错
双管反激本来就是无损地应对漏感尖峰的,因为漏感能量都返回母线了,变压器工艺不用再那么苛刻
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| | | | | | | | | | | | | 本帖的意义是拓展双管架构上占空比使其可以超过50%,以适应更宽的应用场合
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 漏感能量反灌到C,垫高了变压器的Vin电压,即Vds变高。加入D的情况下,电性能应该与原单级PFC相当,另考虑安规方面,楼主有条件可测雷击浪涌情况
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| | | | | | | | | | | 退磁电流是要流过母线没错,但电苛是存储在电容上,下一周期继续使用
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| | | | | 请问开关管流过的电流怎么用示波器测?还需要其他辅助工具么?
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