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| | | | | 变压器磁芯应该不会小吧,现在看线圈和磁芯还有3-5个毫米的距离呢,
现在室温20度,发热都到80度了,感觉是太烫了,并且还没有放到封闭的盒子里呢,要是放进去的话那不是更高了.
daiping老师说PCB的问题,我把PCB贴出来让大家看下(抓个图吧,我用的AD6.0,估计很多人打不看的).目前高频NOISE是140mV左右,在不加Y电容的情况下,负载变压器稍微有点响.
PCB抓图.doc |
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| | | | | 那会是什么问题呢?
刚才我描述的线圈和磁芯距离大概有3-5个毫米的距离.太夸张了.
刚才又看了下有2个毫米的距离.反正空隙是挺大的. |
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| | | | | PCB还是有点问题吧!
MOS的G极的线离IC驱动脚太远,各线路布局有点松散,应该完全可以不用SMD封装 |
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| | | | | | | 我觉得也应该是PCB上的问题,如果楼主解决了麻烦说下您如果解决的我也很想知道。 |
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| | | | | 现在IC用SMD封装确实对散热有点不好,R16阻值小的话,就出现过热保护的情况.准备改用DIP封装.
原来做过一版,IC在上面,靠MOS管太近,EMI问题比较严重.
不过现在PCB应该对变压器发烫的情况没太大的影响吧? |
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| | | | | 今天我又完全按变压器工作在DCM模式下,修改了下变压器参数,快下班的时候才焊上试了下,发烫好像是好了些,但是具体数据还没测试,等周一测试下再说吧. |
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| | | | | 今天上午又测试了下参数修改后的变压器温度,结果给大家说下:
变压器参数改为510uH,初级55T,次级16T.(按照工作于DCM模式),初级峰值电流为1.33A.
在85V,220V,250V三种输入电压下分别测试,
负载21V *800mA=16.8W
室温22度,变压器温度达到53度.温升为30度左右.(输入85V时,温升稍低几度)
温度比按照变压器工作于CCM模式工作时低,但同时带来两个问题:
1.输出二极管的阳极温度温声较大,(输入85V时,温升达50度左右;输入250V时,温升达60度左右.也就是说室温20度能达到80度)
2.输出高频噪声(NOISE)很大.(CCM下140mV左右,现在DCM下达到1V多).考虑和我手工绕制漏感比较大有关.(30uH左右).但也不至于这么大.
请各位老师帮忙分析下,现在我该怎么处理? |
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| | | | | | | 沒有反饋繞組溫度肯定高一點了。第一次變壓器溫度升高,你輸出22W,0.35的線徑是小了一點。而紋波大,你的測試條件是什么呢? |
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| | | | | leoliang老师意思说1.我的初级绕组的线径稍小了.这个我理解.下次做的时候线径可以稍大些.
2.为什么没有反馈绕组温度会高呢?我有点不理解,leoliang老师能否解释下?
3.我的输出噪声大,探头是用普通探头,也没加电容.(我想在同样测试条件下,CCM变压器不超过200mV,但DCM变压器1V还要多,感觉有点太夸张了,是不是参数或者我绕的有问题).
还有我的输出二极管在CCM和DCM模式下温度都很高的.最高达到80度左右.有什么办法能解决呢 |
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| | | | | | | 我回你這個貼要看三次才記住你問什么,管理員能不能在回復時把上一貼的內容附上,這樣就容易回復多了,如果采用自供電的話,采用IC內部降壓穩壓,這樣就損耗就多了。 |
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| | | | | | | | | 是溫升80度還是總80度呢,如果溫升在60度的話都算比較正常,1A電流差不多有損耗1W的功率。溫度是不低的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 其實我個人不喜歡采用自供電的IC,如果是貼片SOP8的封裝的話,距離都很近,不敢保証會不會放電拉弧。如果可以,那自供電的損耗都在IC上面,IC會很熱,穩定性就差。 |
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| | | | | 不使用辅助绕组,是因为这是一充电器,当电池放电很亏的时候,输出电压会很低.辅助绕组电压也会很低,电源管理芯片会因为欠压不能工作.所以用高压供电.
现在我在NCP1200的HV脚和高压间串一47K/1W电阻,对散热有明显改善. |
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| | | | | | | 通过大家的讨论 很受益匪浅 从中学到不少东西 感谢! |
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