| | | | | 正激最最最最主要的就是磁复位了,就是在mos开通的时候,那个激励电流不能无限制的累积,累积的意思就是一个周期,他的峰值涨一点,直到磁芯饱和就完蛋了,所以只要让那个激励电流不无限制的涨上去,就成功了一半,就像反激还要分DCM和CCM,正激也是一样,不一样的复位方式,变压器工作的模式不一样。
实际上大多使用正激使用绕组复位,当管正激也好,双管正激也好,在这个绕组复位的时候,正常变压器就工作在dcm,也就是每一个周期激励电流全部消化完,下一个周期开始的时候,就像新的一样。
所以你按反激的DCM计算条件NP=VIN*TON/(B*AE),去计算圈数是完全合适的。值得注意的是这里没有给出L和激励电流的值,因为2者很多时候是靠经验去取。
如果要理论上去确定这2个值的范围,可以参考2个原则,一个是最大电感量和寄生电容的关系!一个是变压器剩磁和磁芯气息的关系!
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| | | | | | | 电感L与N的二次方成正比,你不看其他一起的参数的吗?
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| | | | | 在回答一遍:
答案:反比;在任何磁件中都是如此。
原因:首先要明确,V,T,I这三个电参数,V施加在变压器绕组两端的电压,T是施加时间,I是流过绕组的励磁电流。
B=VT/NA适用于任何磁件。V=LdI/dt也没有错,适用于任何磁件。
二者合并可得:B=(L*dI/dt)T/NA;这里要注意了;dI/dt也就是deltaI/deltaT; 所以,T可以约掉。
SO, B=(L*I)/NA,你的意思是在这一步,L和N的平方成正比,B和N成正比。但是,等等,是不是感觉哪里不对劲,哪里少了点啥没有考虑周到?你圈数增加,感量增加,I(励磁电流)是减少的啊;
励磁电流和感量成反比啊。所以,L增加,I减少,二者乘积不变。所以,B还是跟N成反比。
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| | | | | 正激变换器设计中,磁感应密度B与初级匝数N到底是正比还是反比?
从电压受控方程:
B=VT/NA,来看,B与N是成反比的。
但是,V=LdI/dt,其中电感L与N的二次方成正比。这样一来,B与N又成正比了。
现在,自己弄糊涂了,到底B与N是正比还是反比关系?
求大神们给我解惑!!!!
你这个,电压受控方程和V=LdI/dt,其中电感L与N的二次方成正比的是从哪里来的结论啊???哪个文献里面写的是电压受控方程吗??
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| | | | | | | 还有,怎么推导出来:
这样一来,B与N又成正比了
怎么推出来B与N又成正比的啊??
能否详细讲讲啊,谢谢
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| | | | | | | 你忽略了的电流。。。。一通推到下来,还是U*T=N*B*Ae。
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| | | | | | | | | | | 圈数增加,感量增加,电流变化量是降低的。一通下来,又回到原点了。
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| | | | | | | | | | | | | 你公式中伏秒积=N*B*Ae
我在问你怎么推导出来B与N成正比的啊???
你上面那么多公式里面,我没有看到哪里出现B正比于N的地方啊???
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| | | | | | | | | | | | | 前面那个说的,电压受控方程??
我想知道,哪个文献里面有讲到吗??
我想看着学习下,主要是这个所谓“电压受控方程”,,这个名词我好像在电源变压器这边见到的少,,麻烦说下啊
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