这篇文章问题颇多，不知楼主是否可以一一解答？
1)第三页图3，SiC与SiMOSFET是基于啥规格的器件在啥温度下做的对比？这对比图是试图说明SiC优势还是劣势？
总所周知，SiMOSFET有平面、沟槽、超级结都多个品种，特性有很大差异。
从图看；Si MOSFET有更好的夸道增益和噪音抑制力。
2）第四页图4，为啥典型驱动用的是＋24－5V？是如何考虑的？
图3的测试曲线范围是10～20V，其后提及也是20V驱动，为啥这里推荐＋24V？为啥不用＋－24V或＋－15V而推荐用＋24－5V？
－15V驱动不是有更好的噪音抑制力吗？
3）第四页图5，这些曲线是基于啥啥规格和型号器件测量的？
从曲线看；开关损耗从低到高顺序：
SiC MOSFET－－－NPT IGBT－－－Si MOSFET
MOSFET开关损耗不及上一代平面IGBT，显然有违工程数据。烦请公示依据。
4）第四页图（6），不知楼主对比的是啥MOSFET，trr超过了1150nS？
据英飞凌CFD系列CoolMOS产品数据表显示，在而定状态下的trr值，通常是120nS。
从曲线另一面显示，SiC MOSFET测试电流明显小于Si MOSFET，这种状况下；是否有完整的可比性？
5）第六页图10，输出同样电压电流下，母线电压从600V提到800V，损耗大了一倍。
建议楼主说明损耗增加的原因。
6）第六页图10下的论，SiC效率最高98.4％，IGBT最高98.6％。究竟谁的效率高？
三相维也纳整流电压是750～800V，如按此；SiC效率97.2％。与IGBT相比；损耗大了一倍。
按作者所愿望；去掉12W风扇损耗，效率提升0.06％，距离99％还差1.8倍损耗。
不知楼主阐述的SiC优势在哪里？
谢谢！
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