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RCC变压器设计及与反激电路的区别

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haha1
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  • 2010-9-29 15:19:44
RCC变压器设计及与反激电路的区别,RCC 电路根据功率管不同,分为两种,一种是用三极管制作,另一种是用 MOS 管制做,电路稍有不同,RCC 电路根据功率管不同,分为两种,一种是用三极管制作,另一种是用 MOS 管制做,电路稍有不同,但原理差不太多。我们知道,三极管是一个电流控制的电流源,即若其基极电流为 Ib,则其极电极电流即为此 IB 值乘以一个放大倍数。而 MOS 属电压控制型电流源,即允许流过的最大集电极电流是由 GS 极的电压值决定的,相应的,三极管做成的 RCC电路即是通过控制其基极电流来控制最大集电极电流,即原边峰值电流,来调节输出能量大小,即调节输出电压,而 MOS 管是通过调节 GS 极之间的电压,来控制其原边峰值电流.


请看上图,是一个典型的用 MOS 管做的 RCC 电路。下面我根据自己的理解来分析一下此电路的工作过程。
  1.启动。当开启电源后,高压通过 RST,经过 MOS 的 GS 极,再经过 RS,注入基极电流,因为 MOS 的 GS 极之间,有结电容,因此 GS 极电压升高,GS 导通,RS 的上侧会对地产生一个电压,此电压通过 RF,给 Q1 基极注入电流。因 MOS正在导通中,所以 NS2 的同名端感兴出一个正电压来,这个电压通过 RL2,D2,RZCD,CZCD,再到 Q1 极电极,因 RS 给 Q1 已经注入基极电流,Q1 导通,
  2.将 VG 电压拉下,MOS 关闭。MOS 关闭,电压反激, NS2 同名端电压被拉到 0,即为地电压,因 RCD 上端为地电压,所以此时 Q1 的极电极电压为负,便快速的给 MOS 的 GS 极的结电容放电。加速了 MOS 的关闭。同时反激能量通过 NS1,传给负载,于是次级建立起输出电压,次级控制电路亦开始起作用。当变压器储存能量放完后,NS2 两端电压消失,CO2 已经储能,其上端会有一个电压,此电压通过 NS2 绕组,RZCD,CZCD,Q1 集电极,使得 Q1 上电压上升,即又给 GS 加上一个电压。于是又开始起振。
  3、以上便是 RCC 电路的启动过程,再说一下其稳压过程,在一定的输入电压下,一定的输出负载下,其光耦电流应该是一个恒定值,光敏三极管的上端是由电容 CO2 维持的一个恒定电压,此电压通过光敏三极管,RA,给 Q1 基极注入电流。Q1 的基极电流,决定了流过其极电极的电流。假如输入电压不变,MOS 在导通时候,RCD 上端(即NS2 同名端-),此时此点电压值为 VIN.NS2/NP+C02,只要输入电压值不变,导通时此点电压值即是这么多,不会变.而 Q1 上端的电压,是由流过 Q1 的电流决定,其电压等于 RCD 上端电压,减去 RL2,RCD,D2,RZCD,CZCD 的压降,当副边的负载变轻时候,流过光耦电流变大,即注入基极电流变大,极电极电流变大,以上四个元件的压降也变大,所以 Q1 是的电压变小,于是原边峰值电流变上,减小能量输入,达到电压稳定.当原边输入电压升高的时候,NS2 同名端电压升高,此时若光耦电流不变,则 Q1 的电压会上升,能量会增加,输出电压升高,此时光耦电流就会变大,进而形成一系列自动调节.从而调节原边峰值电流,使输出电压保持稳定.

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hk2008
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  • 2010-9-30 08:30:34
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“因 MOS正在导通中,所以 NS2 的同名端感兴出一个正电压来,这个电压通过 RL2,D2,RZCD,CZCD,再到 Q1 极电极, ”这句话,不太理解。MOS在导通时,所有绕组带 点 的为 正电压 ,此时D2怎么会导通呢?
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