 |  | | | | 问题可能是这样的：
TOP的芯片启动瞬间需要的电流比较大，如果你不加电容的话，供给芯片的电压是脉动的，当芯片抽取电流的时候，产生的电流尖峰特别大，所以芯片爆裂了。而当你缓慢加电压的时候，芯片启动的时间比较长，因为芯片在逐渐聚集电荷，直到满足其开启电压。所以这个过程中，产生的电流尖峰比较小，芯片就不会爆裂了。
整流滤波的电容是不能省的，就算电路能正常工作，稳定性和一致性也不好。 |
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| |  | | | | | 还有不加滤电容的话,开关管上流过的纹波电流也大,开关管也容易发热,瞬间的能量也很大的,也会引起芯片炸! |
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|  | | | | | | 感谢您的分析答复。
实际测试同您所说的是脉动的直流电压。问过电容厂家的技术人员，给出的答复是去掉电容后，将滤除不掉干扰、尖峰等，在MOS管关断时，会使反射电压折回到那一点上，在下次开通时会在MOS上形成更高的电压，而造成损坏。并给出在0V上调至20-30V以上时，测得D-S间500V以上。
我测了30V左右确实在500V左右，但在上调时电压就回落了，TOP没有损坏。 |
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| | | | | | | 這種芯片可以不要輸入的電解電容，外圍修改一下就可以了，而且還可以達到更高的PF。0.95左右。 |
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| | | | | | | | | | | 不加滤波电容，输入侧的阻抗很高，开机瞬间容易激起振荡，超过700V的耐压而损坏。还有一个原因是反激MOS关断释放完能量时，有一个励磁电感和分布电容的振荡，这个振荡的幅植是反射电压，当没有电容时，在某些输入电压小，输入电压值小于反射电压，此时Vds会振荡到0V一下，迫使里面的体二极管导通，它导通时危害就大了，CMOS电路一般要求Vds最小为-0.3V，明显反向电流大时会超过此值；还有如果在此二极管导通时MOS又突然要导通（又谐振周期决定），由于体二极管速度满，瞬时损耗很大，也是要炸管的。上面说的情况针对反激电源，并不是针对TOP的情况，任何反激都要注意上面的问题，否则结果是一样的。
如果把电路稍微修改就可以避免这种情况，如针对第一种情况，在整流后接一个电解来避免开机的冲击。第二种情况，在MOS的漏极和变压器间接一个超快二极管（阴极接漏极，阳极接变压器）来割断反向电流，就不会发生这种情况。这就是反激单级PFC的应用。 |
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| | | | | | | | | | | | | 谢谢以上的高手回复！
另外我找到了当时电容厂家的回复，在此给大家说一下，看看高手们还有不同角度的考虑吗？谢谢大家了
“如果去掉那个电容，那样那点的电压就不稳定了。没有器件来吸收一些噪音电压，这样当器件产生反射电压的时候，这个电压又会反应到那点去，下次器件开通的时候产生更高的反压，这样时间一长，器件会承受不住烧掉，客户可以将电容去掉后测试，保留TOP，测试VDS，电压由0开始调，到20--30V时，就会看到电压达到500V以上了” |
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