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|  |  | | | | | 关注，没试过，期待高人讲解，另外还有个问题想问下，调试12V2A的机时，发现轻载辅助绕组17V的样子，但带载到2A时辅助绕组电压高达26V（不加稳压管情况下），请问为什么电压会偏差这么大？是不是一定要加稳压管 次级 9T ，辅助绕组 13T |
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| | |  | | | | | | 你的输出电压稳压吗？还有，你说的电压26V是一个均方值还是个最大值？均方值也是那么大吗？ |
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| |  | | | | | | | 哈哈，肯定是輔助繞組和次級繞組繞離的太遠了。繞一起就OK了。 |
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| | | | | | | 帖子没人回答，我早就已经试过了！ 那样绕完全 不影响正常工作。而且漏感从原来的6%降到了3%；分析 了一下
优点：漏感减小；
缺点：用的铜线长度肯定要增加一些；
初 次级耦合更好，导致传导的500K-5M之间变差一些 ，然而5M-20M变好一点（推测可能是前个频段为次级耦合过来的，后个频段则与变压器的漏感相关）
整体上来说，没有达到我的初衷，对我要抑制的15M处的传导没有大效果，所以还在郁闷中。。。。。 |
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| | | | | | | | | 你都已经试过了，还要问呢，呵呵
不过我觉得辅助绕组放里面不好，原因是这样：放里面耦合太好了，所以在负载变化时，辅助绕组的电压变化特别明显。我用3845做的时候曾经因为辅助绕组电压过高把芯片烧了，当然也是因为我没加稳压的原因。如果把辅助绕组放最外面，耦合差一点，负载变化时，辅助绕组的电压变化小一点，相对会更稳定一点。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我也不知我的正确不。。辅助绕组放最外面，耦合差一点，负载变化时，辅助绕组的电压变化大一点，相对会稳定性会差一点。
夹层绕法除外 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 耦合不好时，这一层的变化对另一层的影响小吧？电压变化应该教小吧？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦，对不起，我表达错误，我是说耦合差一点，负载变化时，辅助绕组的电压变化大一点，相对会稳定性会差一点。没有分在内外层。只是说耦合好不好，对电压的变化。不好意思 |
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| | | | | | | | | | | 呵呵。。。我就是等了一两天没人回答 ，所以就自己去尝试了～
我看下面几位高手讨论了很多，我想说一下我原先的变压器结构是这样的：
从里到外依次是：绕组屏蔽层-初级-辅助绕组-铜箔屏蔽-次级；
我的帖子的意思只是把上面的辅助绕组与初级换个位而已，其他不变，所以说到辅助绕组与初级耦合方面的，应该两个差不多吧？至于辅助绕组电压有没有什么变化，我就没去看了。 |
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| | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | 可以！
但是；由于辅助绕组远离二次输出，用一次稳压时；误差要大些。 |
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| | | | | | | 辅助绕组电压的稳定与否是看辅助绕组离二次绕组的距离，还是看耦合的好坏呢？ |
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| | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 这个是啊，问题是这个距离是距离一次侧还是二次侧。如果原边一半，副边，原边另一半。这样的话辅助绕组接最里面和解最外面有区别吗？ |
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| | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | 有区别！绕最里面时；辅助—二次间隔了一个一次层。如果绕最外面；辅助直接绕到了二次外。两种饶法；差了一层一次绕组。
另外；原/付/原/付绕法；不适合做屏蔽结构。这样做；至少需要三个屏蔽层，很复杂。 |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | | |  俺知道。你自己看看；最靠近的付—辅助绕组间，距离有差异？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从图上看不出来有差异。
但是想的时候总觉得在里面能耦合好一点 |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | | | | | 以辅助绕组为起点；向最近的二次绕组拉线，看看距离大小。 |
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| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | | | | | | | 是的！
由于磁芯是开气隙的。空间耦合不能简单忽略。两者实际耦合截面积不等。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 考虑空间耦合，或者是实际耦合时，我觉得绕外面耦合的会次一些，是这样吗？许工 |
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| | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 从耦合截面积看，外层的面积要大些。理论耦合要好些。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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积分:131448 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131448
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- 帖子：55634
积分:131448 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 两个都决定。
距离近了；耦合的好。耦合截面积大了；也会耦合的好类似用大截面积磁芯做变压器一样）。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 外层的面积大耦合的好？
我怎么感觉这像有一个大风衣，咱要是避风一样，总是在风衣里面才能暖和，要是在风衣外面把风衣都保住了，后被还是冷的，
这么理解的话，最外层的线圈面积是大了，但是露在外面的是不是也更多了？
不知道这么个例子恰不桥当，呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 第一個圖：aux winding和primary winding偶合好，和secondary winding偶合差，輕載與重載時，Vcc電壓差異會很大。重載時，Vcc會很高。漏感造成的。但aux winding有充當初級繞組和鐵芯之間的磁屏蔽。所以EMI部分會好一些。
第二個圖：aux winding和primary winding偶合差，和secondary winding偶合好，輕載與重載時，Vcc電壓差異比較小。像你給的第二個圖這個機構，若EMI比較差，建議在初次級之間增加屏蔽。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请看看我在4楼和15楼的回答。第一个图的绕法实际上EMI并不是那么好～ ，前个频段是变差了10个DB左右，而好的那个频段仅仅是好了几个DB！原因可能是我推测的那个。 |
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