雷击浪涌！！！-LED/照明设计-世纪电源网社区

guo85191243

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助理工程师

2016-10-30 20:55:30

10问答币

这几天被这个问题搞得晕坨坨..前几天有款30W 的产品，调试效果还不错，客户要求1KV雷击浪涌，当时调到1.5KV都可以，还打了6个，全都pass。
结果量产抽打，一打就炸，炸得心都慌，找原因找了一个下午，结果是MOS批次的问题。换了另外的牌子，就没问题了。
客户那边反映的问题一直都是雷击浪涌比较多，而且雷击浪涌没用一个公式或者一个比较具体的对策去针对整改，一部分原因是本人实力不够，另一部分到目前为止还没找到一个针对单级PFC雷击浪涌的良好对策。
单级PFC雷击浪涌不通过最常见得表现：
MOS，保险电阻，调电流电阻，MOS驱动电阻，IC 炸炸炸（这个问题非常常见，而且基本就是这个问题一直困扰着我。）
原因：1.压敏反映不过来，高压直接加到MOS上？
      2.压敏流通量不够导致后级残压太大？
      3.MOS问题?
      4.压敏选择不恰当？（曾经有个产品我试过用10D471不行，反而用10D511可以，这是什么鬼...）
      5.信号地走线问题？
      6.方案问题？
我贴张今天的产品出来请大家分析分析  12W  （之前调试都没问题，送样7~8个，都打过雷击浪涌），现在问题是生产产品有一半打不过，要求是1.5KV

保险电阻 1W 5.1R
双压敏 7D511
2N65MOS
换过保险，MOS没用，
将压敏改为7D471 6个坏一个。
所以是不是压敏残压太高了？解决办法是？

收藏6

		2 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-10-30 20:59:41
		信号地都是先走VCC电容再从电容出去，而且高压线没走到IC附近，整流后高压线于地线最少1.3MM 回复 \| 举报 \|

			5 caijiantai caijiantai 离线 LV6 高级工程师积分：1948 \| 主题：1 \| 帖子：451 访问空间发消息积分:1948 LV6 高级工程师 2016-10-31 18:31:47
			IC炸有可能是从MOS的G级灌进去的看楼主板子空间好小，没地方只能整点好的MOS强抗吧回复 \| 举报 \|

				7 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-10-31 21:18:33
				如果是从G极灌进去，那是从哪里呢？是MOS管内部？还是有跳弧？因为驱动电阻确实有坏的，IC也打坏了。还有今天试了好几个牌子的MOS还是差不多，坏的几率大概50% 回复 \| 举报 \|

					8 caijiantai caijiantai 离线 LV6 高级工程师积分：1948 \| 主题：1 \| 帖子：451 访问空间发消息积分:1948 LV6 高级工程师 2016-11-1 09:34:15
					DG和DS会一起击穿的回复 \| 举报 \|

						11 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-11-2 18:22:57
						试了几天，用7D471效果还可以（471最好还是不要用），但是还是找不出原因。回复 \| 举报 \|

			9 leilei812523932 leilei812523932 离线 LV2 本网技师积分：118 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:118 LV2 本网技师 2016-11-2 18:13:07
			IC坏是不是VCC脚坏，加个稳压管试试,MOS没坏吗回复 \| 举报 \|

				10 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-11-2 18:20:51
				ic 的VCC脚没击穿回复 \| 举报 \|

		3 赵日天赵日天离线 LV8 副总工程师积分：4520 \| 主题：119 \| 帖子：850 访问空间发消息积分:4520 LV8 副总工程师 2016-10-31 08:28:06
		楼主你这个好像没有任何EMC元件啊，不要过EMC的？回复 \| 举报 \|

			4 langtuodianzi langtuodianzi 离线 LV8 副总工程师积分：3201 \| 主题：113 \| 帖子：440 访问空间发消息积分:3201 LV8 副总工程师 2016-10-31 16:47:53
			考虑到国内电网不稳定，压敏电阻的选型要有安全裕度，一般会选取10D511K、10D561K。采用片径Φ14的14D511K，14D561K更能强化电源的抗浪涌的能力。回复 \| 举报 \|

			6 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-10-31 21:15:02
			是的，不要求过emc 回复 \| 举报 \|

				15 ECHO123 ECHO123 离线 LV2 本网技师积分：198 \| 主题：3 \| 帖子：30 访问空间发消息积分:198 LV2 本网技师 2016-11-14 18:37:41 倒数9
				两压敏放桥前试试回复 \| 举报 \|

					23 CL333 CL333 离线 LV6 高级工程师积分：1004 \| 主题：4 \| 帖子：28 访问空间发消息积分:1004 LV6 高级工程师最新回复 2020-2-27 16:08:10 倒数1
					两个压敏放桥前和桥后有什么区别呢？？？回复 \| 举报 \|

		12 heartofocean heartofocean 离线 LV6 高级工程师积分：680 \| 主题：6 \| 帖子：67 访问空间发消息积分:680 LV6 高级工程师 2016-11-3 22:05:15
		我觉得信号线和功率线应该分开走会比较好。整流后先接CBB电容再经过压敏电阻，再从压敏电阻的GND分别连线到R1,R2的GND和信号的线的C2的GND. 回复 \| 举报 \|

		13 liuyumei liuyumei 离线 LV2 本网技师积分：163 \| 主题：2 \| 帖子：29 访问空间发消息积分:163 LV2 本网技师 2016-11-11 10:01:22
		您好，需要EMC认证的抗干扰之产品，可以联系下，谢谢。杨晓琴业务员公司名称：沃菲特电子有限公司地址：广东省深圳市大鹏新区同富工业区电话：0755-23359369 手机：18902462786 QQ2890928655 微信：mei441688 专业生产产品：EMC贴片磁珠、EMC铁氧体磁芯、电感，已认证。回复 \| 举报 \|

		14 hjmhunter hjmhunter 离线 LV2 本网技师积分：130 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:130 LV2 本网技师 2016-11-14 10:00:57 倒数10
		两个压敏还过不了就吃力，要么试试整流后压敏去掉，换个π型滤波，估计有效果，对EMI也好点回复 \| 举报 \|

			16 guo85191243 guo85191243 离线 LV3 助理工程师积分：237 \| 主题：3 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:237 LV3 助理工程师 2016-11-15 16:54:05 倒数8
			成本压力回复 \| 举报 \|

		17 lclbf lclbf 离线 LV8 副总工程师积分：5311 \| 主题：41 \| 帖子：722 访问空间发消息积分:5311 LV8 副总工程师 2016-12-8 09:06:06 倒数7
		你两个压敏都放到桥前面，加个色环电感，组成∏型电路问题会解决。还有你输入和桥后距离是不是近了也有关系。回复 \| 举报 \|

		18 huangguobin huangguobin 离线 LV3 助理工程师积分：263 \| 主题：10 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:263 LV3 助理工程师 2016-12-22 16:02:38 倒数6
		桥前的压敏走线需要改良，图中走线电压会不经过压敏进入桥，把桥后的压敏放在MOS的D极回复 \| 举报 \|

		19 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93886 \| 主题：115 \| 帖子：27413 访问空间发消息积分:93886 版主 2016-12-22 20:22:32 倒数5
		再怎么都要有点电抗才行。回复 \| 举报 \|

		20 电光子电光子离线 LV1 本网技工积分：85 \| 主题：1 \| 帖子：9 访问空间发消息积分:85 LV1 本网技工 2017-1-3 13:15:06 倒数4
		测MOS的Vds残压，如果超出最大耐压，但在最大耐压1.2倍内，建议换个更高耐压的MOS 回复 \| 举报 \|

		21 farmer farmer 离线 LV6 高级工程师积分：1207 \| 主题：3 \| 帖子：207 访问空间发消息积分:1207 LV6 高级工程师 2017-1-9 18:37:36 倒数3
		压敏电阻的反应时间还是有点慢，残压高时MOSFET 的VDS会超出（如使用RCD结构可以快速钳制）。另外控制IC的回路不能被雷击回路干扰，导致驱动信号变异而使MOSFET当关断时而没来得及关断而失效。回复 \| 举报 \|

		22 kayocotaohm kayocotaohm 离线 LV1 本网技工积分：92 \| 主题：3 \| 帖子：8 访问空间发消息积分:92 LV1 本网技工 2017-6-16 10:32:49 倒数2
		有么有兴趣测试一下我公司的保险丝电阻，朋友回复 \| 举报 \|