功率MOSFET器件应用分析 12月29日 无锡 09:00-17:00 特邀主讲嘉宾：陈桥梁 中国电源学会理事，新能源电能变换技术专委会委员 演讲主题：功率MOSFET器件应用分析 每位报名参会者，中午提供免费午餐 世纪电源网自创办以来始终秉承“为工程师服务”的企业宗旨，斥资百万打造金牌免费课程！2016年12月29日，我们将在无锡举办【功率MOSFET器件应用分析】专题培训，特邀陈桥梁博士亲临现场为大家分享多年实战研发经验和经典设计案例，希望能够给工程技术人员带来实实在在的技术帮助与提升！
主办单位：世纪电源网&RS 世纪电源网是电源行业内较大的信息技术交流平台之一，自上线以来在国内30多个城市举办了一系列电源技术研讨会，极大地促进了我国电源科学技术交流。自2013年起世纪电源网斥资百万，力邀国内技术领先专家现场为工程师免费授课三十多场，受到了广大一线工程师一致好评！今后，世纪电源网将继续秉持“为工程师服务”的企业宗旨，专注于电源技术交流与培训，务求与工程师共同成长！ 培训讲师
陈桥梁 博士 中国电源学会 新能源电能变换技术专委会委员 专家介绍： 陈桥梁分别于2001年、2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学士、硕士和博士学位，2009年在美国弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech.）国家电力电子系统研究中心（Center for Power Electronic System—CPES）进行访问学者研究。2007年至2008年，任台湾全汉（FSP）西安分公司总监，2009年至2011年，任博兰得（FSP-POWERLAND）电子科技西安分公司总监，2012年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司，现任西安龙腾副总经理。 陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇，拥有7项美国专利，30项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选西安市“5211”人才计划，同时入选2014年陕西省“百人计划”创新全职项目。主要方向为高效高密度开关电源及逆变器技术，新型功率器件应用技术及电力电子集成封装技术。
讲座简介：高压功率MOSFET是开关电源的核心器件之一，对电源的效率、可靠性以及EMI等方面有着关键影响。本讲座首先介绍几种常用功率MOSFET的基本原理及特性，重点介绍高压普通平面MOS和超级结MOS的特性及差异，详细阐述MOSFET的开通和关断瞬态过程，分析影响MOSFET开关速度、损耗和EMI的关键因素及其对应的整改方法；其次对MOSFET的关键参数进行详细解读，并结合实际电源产品案例分析在不同典型应用中MOSFET的选型原则、失效机理及整改方法；最后介绍了几种常用仿真软件在开关电源设计中的应用。以上讲座内容将通过理论分析结合实际应用案例进行详细阐述。 通过该讲座内容，希望能让工程师更加深入了解MOSFET的特性和开关过程机理，能深入分析电源调试中影响MOSFET开关过程和EMI源特性的因素，理解MOSFET的关键参数的意义，熟练掌握MOSFET的选型原则和应用技巧，有助于提升电源工程师的实际分析能力，进而提高电源设计可靠性，缩短电源设计周期。
演讲主题：功率MOSFET器件应用分析 演讲内容：1.功率MOSFET的基本原理及特性 2.普通平面和超结MOSFET的特性对比分析 3.MOSFET的开关瞬态过程详细分析（理想开关过程，各寄生参数对开关过程和EMI的影响、整改方法） 4.MOSFET关键参数解读、选型原则和应用技巧 5.MOSFET在开关电源中应用失效案例分析及整改方法 6.常用仿真软件在开关电源设计中的应用介绍
会议主要内容： 1) 功率MOSFET器件应用分析（特邀讲师陈桥梁 博士） 2）RS一站式采购解决方案 3) RS Pro新产品推荐 4) 新连接件解决方案－TE Connectivity
报名方式及地点：点击《立即报名》 地点：无锡新湖铂尔曼大酒店 宴会厅1三楼【和风路30号(高新开发区)】 参会礼品及报名截止日期： 参会送三重礼品 （一）精美礼品：ESD精密工具套组/日本LED全金属照明电筒一份（礼品为随机发放） （二）每位参会者可享用免费午餐
报名截止日期为2016年12月28日，名额仅限100名/场，抓紧时间报名哦！ --------------------------------------------------------- 联系我们 电话：022-87574816 QQ：3422432459（世纪电源网帅帅） | 
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