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| | | | | | | | | 是不是MOS管的寄生BJT导通了或者栅极串入高压了
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| | | | | | | | | | | | | 我觉得主要原因应该不是地,应该是开关不同步的原因,MOS2关断太慢了,就和误导通一个道理(大电压的同时又有电流流过)管子就坏掉了,你把Rgf2和Rg2稍微调小一点试下吧(过小的话MOS1可能会炸);还有就是MOS2的栅极驱动线有点太长了,极易受到干扰误导通
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| | | | | | | | | | | | | | | 我现在也是觉得是那根驱动的线太长了,但是一直没有找到补救的办法
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| | | | | | | | | | | | | | | | | BR1 电阻470 也太大了吧,开关速度明显很慢多了, 砸机也不一定是这个电阻大的原因,但看到这个电阻这么大,就知道你不是老手。这个电阻18-47欧姆比较合理。或要想获得更快的开关速度,并个104电容, 无论前面是芯片输出或驱动芯片输出PWM, 外加的图腾柱又是三极管,三极管是由B 极电流来决定电流,B极电阻BR1 太大就关系图腾柱对后面MOS的驱动开关速度, 太小影响前级的承受电流, 因此要2头兼顾。
仅仅这部分电路看不出砸机问题, 芯片机理,环路,启动源,都是砸机的因素条件,
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| | | | | 从你说的看好像两管驱动差异,把Sb1、Sb2放到两MOS中间就近看行不行。
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| | | | | | | 这个驱动的差异为什么会引起击穿呢,我之前用电流探头测量电流,空载也不超过5A,耐压值启动的时候也是不超过400V
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| | | | | | | | | | | | | 图腾驱动管靠近MOS,两MOS走线尽量一样长,试试看
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| | | | | | | | | 不是驱动的差异,布线引起走线长的,你可以用跳线来试试
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| | | | | | | | | | | 图腾柱个g极两段再接根线吗,要不要把pcb上的那根线割断
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| | | | | | | | | | | | | 把你走线长的在pcb上隔断,用跳线来链接,看看问题解决没? |
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| | | | | 你驱动的地呢,怎么直接用的功率地?而且你两个管子搞那么远干嘛。
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| | | | | | | 最初设计的时候是用单个mos的,后来为了考虑mos的散热和选型就用并联的了,直接复制前面的电路也就没有考虑布线的问题,还有什么方法可以补救吗
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| | | | | | | | | | | 串联磁珠的确实有大神跟我说过,不过这个串联磁珠是一个什么原理,能不能求大神解释一下哈
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| | | | | | | | | | | | | G腳串磁珠是在mos的批量性測試對策。只能從pcb跟驅動電路著手
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| | | | | | | | | | | 地都没有分开,我是按照它的评估板来走线的,最初自己画的时候是分了,看他评估板没分就按照他的来了
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| | | | | RGF1和RG1都是20Ω 那多加个二级管的意义在哪里呢?
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