| | | | | 为保证电源工作在DCM断续模式,Toff设为0.2 T这条
这条是不是写反了
Ton是0.2吧 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | 是描述的问题,是指在MOS管关断过程中,有0.2的时间不传递能量。 |
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| | | | | | | Toff是死区时间,《开关电源设计-第二版》书中有写到为了保证电源工作在DCM断续模式,要留0.2倍的周期时间(P21页)。上面的图片没有显示出来,再传一下
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 从头到尾看了,过程很清晰啊,没问题,变压器原边绕组就按照你计算的取就可以。按照这个匝数绕出来的变压器电感肯定大于2mH,根据匝数及电感计算气息就可以了。 |
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| | | | | | | 谢谢指点!我查了一些资料,了解到开气隙主要是为了防止磁芯的饱和和存储能量。气隙开的小容易产生饱和,存储的能量也少;气隙开的大,存储的能量大,但是漏感会增加,到时系统的能量浪费也会增加。不知这里理解气隙的功能对不对???对于回复的指导我这么理解不知道有没有偏差,还望指出。在EE16的磁性骨架上绕上计算的匝数133匝,在没有开过气隙时候测电感量应该(一定??)大于2 mH的,所以要开气隙(研磨EE16磁芯的中心柱)。研磨气隙的程度可以根据测得的电感量到2 mH为止(假设这时开的气隙为la1)。我增加绕线的匝数达到150匝数,在没有开过气隙的磁芯上测试电感量应该比第一次测的电感量还要大,所以在150匝数的时候研磨的距离(la2),比la1要大(la2>la1)。
写到这里我就有个疑惑,其实我就没有必要算气隙长度啊?我主要研磨一点磁芯测一下电感量,研磨一点磁芯测一下电感量这里不断的重复就可以了啊?不知这样对不对?
还有就是匝数有了最小匝数这个下限,那有没有一个上限呢?如何确定呢? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 1、对于一个磁芯确定的变压器来说,气息、匝数、电感只需要满足两个第三个就确定了,你已经计算得到了匝数、电感,可以通过调整气息来满足要求。
2、匝数太多会造成损耗等的增加,个人觉得满足最小匝数要求就可以了。 |
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| | | | | | | | | | | 感谢版主的回复!对于版主所说的最好选择最小匝数。我选择Np = 133,Ntr = 4.73,那么对于Ns = Np / Ntr = 133 / 4.73 = 28.11。就匝数要以整数来绕制的原则,我把Ns 取成29,则Np = Ns * Ntr = 137.17,这样视乎对于要满足Ntr为4.73的匝数比,又要满足Np,Ns均为整数的困难不小啊???
想询问我取Ns为29,Np为137,计算Ntr = Np / Ns = 4.724,这样就改变了原来设计方式中的匝比Ntr,这样的是否可取????毕竟原来的匝比是因为自己设定反射电压为90 V时在定下4.73这个匝数比的,只不过现在改变了匝数比后的反射电压变成了Vor = Ntr * (Vo+Vd) = 4.724 * ( 18 + 1) = 89.756 V了。在最后取各个绕组的匝数时候,略微改变一下匝数的比率是允许的吗??? |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | 1、匝比是4.73只是一个计算值,保证在这个计算值周围就可以了,象你说的原边取133,副边取29,一点问题都没有,电源会自己调整占空比来适应的。
2、你更改了匝比,反回去校验一下反射电压,占空比,只要在允许的范围内,就是没有问题的。 |
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| | | | | 评价,思路清晰,解决正确,可以依此进行设计,Np的确是一个最小匝数,电感量也是最低电感量,数值上这得折中考虑整个电源的性能,可以适当加大原边匝数. |
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