| | | | | 自己顶下,继续说明: 其实只是想知道半桥驱动中,上mos管断,下mos打开时候可以给自举电容充电,但是图2的单通道高端驱动没有这个充电的过程,那电压是如何自举满足VGS大于阈值实现NMOS管的导通的~~~。。。。朋友们帮帮忙啊, |
|
|
| | | | | | | 高端驱动是完全可以驱动半桥的,如你的图上,toload接下MOS的D极,不就有自举了吗?
|
|
|
|
| | | | | 是什么类型的负载?阻性,容性,感性?要给自举电容充电,必须满足的条件是,上管关断后,上管S脚电位必须回到零,自举二极管才能导通给自举电容充电。上管关断后,如果是容性负载,S脚电压不一定能到零电压,无法自举;如果是阻性负载,可以到零电位,可以自举充电,但充电电流要通过负载,所以要看下时间常数,是否满足;如果是感性负载,下面必须加二极管续流,否则MOS可能损坏,自举应该没问题。
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | 谢谢解答,您的意思是图二直接高端驱动时候,充电实际是相当于电流通过负载到地实现的(等效下管接地的效果)? |
|
|
| | | | | | | | | 那这种驱动电路是不是不能实现高电平时间很长的驱动,因为自举维持时间受电容限制?还有个疑问是下管的作用有两个,一是给自举电容充电,二是加快关断速度?我目前这么理解的,也不知道对不对 |
|
|
| | | | | | | 那这种驱动电路是不是不能实现高电平时间很长的驱动,因为自举维持时间受电容限制?还有个疑问是下管的作用有两个,一是给自举电容充电,二是加快nmos关断速度?我目前这么理解的,也不知道对不对
|
|
|
| | | | | 国产IC 替代IR 价格优惠,诚招代理!!!QQ:1368917652
|
|
|