 |  | | | | 1. 初级电感的di/dt，表征的是 输入电压的大小
2. 初级电感的电流限值和输出电流是什么关系呢？
搞清楚了1。2 。楼主的问题不难解答~ |
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 | | | | | IC都有一个关断延时，也就是限流点达到后，关断电路开始动作，但电路的动作是需要时间的，在这个时间内电流继续上升，di/dt越高，上升的值越大。 |
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| | | | | | | 你的意思是并非是有意设计成这样，而是因为IC的关断延时固定而造成流限的改变吗？
如果是这样的话，那么LinkSwitch-II的datasheet上面在描述电流限流点时的这一段话怎么理解呢？
LinkSwitch-II还具有“di/dt”校正功能，将输入电压范围内的恒流变化最小化。 |
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| | | | | | | | | 就是di/dt造成的限流点升高它能矫正过来，说白了就是检测到di/dt升高后就降低限流的门槛，使最终的限流点一致。 |
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| | | | | | | | | | | 有2个疑问，请cmg回答一下。
1.这么说最终的目的还是使不同的di/dt有相同的流限？
2.为了达到1的目的，是不是应该是检测到di/dt越高，IC的关断限流点越低呢？从而会引起最终测试出来的限流点一致。
但是芯片却是di/dt越大，IC的关断流限也越高。不知是我理解错误还是你的说法有误？
下面是Link2的datasheet截图，此表应该是最终测试出来的限流点。
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| | | | | | | | | | | | | 我想lz可能是看混了，表上是不同的IC型号。不同的IC型号有不同的输出功率。Ilimt就不同，不是di/dt导致的，di/dt是IC本身的性质,两者不是你那样理解的关系。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我知道是不同型号，但是我测过，同一个系列的不同的型号，对于相同的di/dt，ILIMIT基本相同 |
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这儿是测试条件，不同型号的芯片在不同的di/dt条件下做测试。
容量大的芯片限流值当然高一些，测试时规定的di/dt也高一些而已——之所以会这样，是因为较大功率的变压器，其设计的初级电感量会小一些。
其实，如果考察限流值和测试时di/dt的大小的关系，你会发现两者基本上成正比。这个系列的芯片工作频率都是一样的，也就是说，以本身的限流值为基准归一化，在同样的占空比下选择的相对电流斜升率是一样的。
至于要规定di/dt，实际上是因为电路的反应速度，在不同的di/dt下测量到的限流值会有一定的差异。 |
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| | | | | |  | | | | | | | | | 补充几句：
至于要规定di/dt，实际上是因为电路的反应速度，在不同的di/dt下测量到的限流值会有一定的差异。
之所以这样说，是因为这儿所说的是集成了开关管的单片式开关电源电路。
如果是分离的控制器，通常可以用静态测试的方法来测量限流值，用静态方法来测量的测试条件自然不存在di/dt的问题。
而对于这儿讨论的芯片，根本不可能直接静态测量其限流值，只能在类似于实际使用的条件下动态测量限流值，所以测试条件中会规定di/dt指标。
事实上，对于单独的PWM控制IC，实际工作时开关管的限流值并不是静态测量到的那个电流值。原因就是当限流测量电阻上电压超限，到电压比较器驱动开关管关断需要时间，在这个过程进行的同时，流过开关管的电流仍然会继续增加，其结果是动态测量的结论总是大于静态测量的结论。 |
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