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求教兆赫高频脉冲电源的MOS管缓冲电路问题

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CMNS
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本网技工
  • 2018-5-4 18:07:33
10问答币
求教论坛大佬们:
      在下正在做一个实验用的兆赫脉冲电源。频率为1000KHZ ,功率100瓦左右。利用MOS管高速开关产生脉冲。
MOS管需要接保护电路 ,在1mhz高频下用TVS瞬态抑制二极管还是用RCD吸收缓冲电路好呢?
     有如下三个问题:
      1)如果使用RCD缓冲电路,在1000KHZ开关频率下,RCD的元件的取值参数一般使多少呢?
      2)如果使用TVS管做保护电路有什么不好的地方吗?本人电子是半路出家也就会弄这个
      3)TVS管和RCD缓冲电路对于1mhz高频,哪种寿命更长更稳定呢?

跪谢 大佬们



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CMNS
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本网技工
  • 2018-5-4 18:17:02
  • 倒数3
 
这个图的MOS管开关频率200KHZ ,而我的MOS管开关频率1MHZ,请问图中所给的RC参数是否可以照搬?
不可以的话,大佬们能否帮我确定下RC参数

搜狗截图20180430210437.jpg (29.45 KB, 下载次数: 36)

一个文献里200KHZ开关频率的RCD

一个文献里200KHZ开关频率的RCD
ZHIYIyunmeng163
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副总工程师
  • 2018-5-4 20:24:39
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100W貌似不用吸收电路吧。
首选你要选择能轻松到达1000K频率的MOS,而不是找吸收电路。
CMNS
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本网技工
最新回复
  • 2018-5-4 23:35:48
  • 倒数1
 
MOS管控制的电源比较高为了防止浪涌击穿,文献说得加缓冲电路
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