【从业10年总结】65W以内电源适配器经验之谈

     接触电子业10年，经历过5--6级，无Y有Y。EMI整改，认证，系列，专案等……以下为个人在65W以内的电源适配器整改小经验。

一：能效整改：

               1〉VF值，肖特基，低VF值的要比普通的要高0.5--3个百分比，品牌、VF值不一样，有差别，选型，能用40V的就不要用45V的或者60V的，电压经测试可以得出。

              2）加速度肖特基的导通，基本上的电源适配器都在次级加入了RCD电路，如图，可将 R2更改为D3（D3为4148）此处更改可增加老化后0.5%的效率，但是R1的位置要按测试EMI测试出来的数据相对应的调整。

              
              3）初级RCD，可将吸收的D更改为阻尼二极管，此处更改有以下优势：
                    3-1）MOS管的峰值会下降。600V左右的峰值会下降到520V左右。实测为准。
                    3-2）能效，老化5分钟后，增加0.5%的效率。
                    3-3）注意事项，此时吸收只的R，取值5M--10M左右为最佳。
                    3-4）注意MOS串在RCD上的电阻，太小会影响EMI，大了也不适合。以测试为准。

              4）变压器，此处各位搞工程的都懂，无非就是设计时的计算与饶线方式。
                                本人经验：定频65KHZ的IC在45--50KHz时（满载）最佳。但要注意10%--25%负载时有没有异音。

              5）电解电容ESR 低ESR的效率要高过普通的，包括现在用的高分子电容。可以提高寿命与能效，针对低压大电流的不二选择。

              6)  待机：高压起动的IC，节省了起动电阻的损耗。非高压起动的IC可加大起动电阻来减少待机功率，但是会影响起动时间，可以按一定条件更改VCC起动电容，或者增加二级起动电路等，包括更改假负载电阻等，当然太小了会出现空载不稳定的现象等，

     以上为5级更改6级时的小经验。无Y与有Y的EMI整改会在后续上传上来，不对的地方请各位指出，TKS！

                                                                                                             ————游魂残漂流de夜