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qingclei

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LV6

高级工程师

10问答币

最常见的计算方法如下：

好像是假设电感电流IM全部流过输出电容。可是通过下面两图的MOS管关断过程来看，当电压上升时，MOS管电流仍然会有一部分流过MOS管。正是这部分流过不断增大体电阻的电流产生了关断损耗，可是为何，上面的公式中，确是假设电流全部流过电容呢？若是这样，关断过程中，能量全部存储到结电容中，又何来的损耗？

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		2 cool007 cool007 离线 LV8 副总工程师积分：2207 \| 主题：2 \| 帖子：154 访问空间发消息积分:2207 LV8 副总工程师 2018-5-23 14:52:35 倒数4
		Im等效成电流源，你说的这种情况是临界的时候；再降低频率，Im变大点，ds电压差没变，电容没变，充电电荷量没变，等效给他充电电流没变，你再分析下Im除了给节点容充电外还会不会流过mos沟道；实际上你第一个图的公式≈是个极限值，实际上符号应该设计到大于的范围才能实现zvs 回复 \| 举报 \|

			3 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-5-23 16:00:48 倒数3
			我的意思是，看第一个图的公式，应该是假设电感电流IM全部用来给电容充放电。可是看第三个图，确是说IM实际上有三条路径，在上管关断时，电流仍然是流过MOS管的。对于上述两种说法有点不解回复 \| 举报 \|

			4 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-5-28 09:18:10 倒数2
			嗯，我知道这个是临界软开关的时候，实际应用需要更大的死区时间。我的疑问主要是电流通道的问题。没太看明白你的意思。我的直观感觉是，电流应该是有一部分流过沟道的。但是，实际的公式又没有考虑这部分电流。。而且从图2-MOS关断过程来看，在VDS电压升到VIN时，沟道电流才开始下降。也就是说在整个米勒效应期间，电流仍然流过沟道，形成关断损耗。回复 \| 举报 \|

				5 cool007 cool007 离线 LV8 副总工程师积分：2207 \| 主题：2 \| 帖子：154 访问空间发消息积分:2207 LV8 副总工程师最新回复 2018-5-28 14:20:31 倒数1
				我的认识是临界状态：米勒期间，Vds在变化，所以Cds有充电，Id主要走电容；米勒结束后，Vds不变，Cds不在充放电，Id减小，Id主要走沟道；回复 \| 举报 \|

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