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未解决

PFC的MOSFET

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powercontrol
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LV6
高级工程师
  • 2018-6-16 22:45:21
10问答币
PFC的MOSFET损耗通态损耗所占比例应该不大,引起这个发热大头应该还是交叉损耗吧?那么问题来了。这个交叉损耗应该怎么样才能正确评估,从而选择合适的MOSFET。以对于一个2KW的PFC为例,开关频率80K,用单颗管子,选用一个30A/600V的管子,Rdson约0.1R左右,在额定电压下其通态损耗也不高,那么选择这个管子的时候,尤其要注意管子的什么参数可以有效降低这个交叉损耗呢?
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Coming.Lu
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  • 2018-6-17 08:41:27
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提高驱动能力,选用结电容小的管子,二极管选超快(CCM)的能用碳化硅更好。
powercontrol
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LV6
高级工程师
  • 2018-6-17 13:03:08
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在一篇资料上面看见过,交叉损耗近似为1/3*(Vmax*Imax*tcross*f)。那么是不是在实际工作过程中测试这个tcross才能估算出来这个交叉损耗?结电容越小,驱动速度越快,tcross也越小吧?
nc965
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版主
  • 2018-6-18 21:34:26
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尤其要注意管子的什么参数?注意管子的时间参数。80KHz,大约MOSFET才行,IGBT不行。
powercontrol
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LV6
高级工程师
  • 2018-6-19 11:34:23
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由于PFC的管子一般都是硬开关状态,那么为了降低这个交叉损耗,管子的Coss,Qg,以及tr这三个参数是不是都要尽量的小?
nc965
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  • 2018-6-19 11:36:58
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所有时间参数都要尽量小,不仅仅是tr
olmand
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  • 2018-6-19 15:36:15
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2KW选30A的管子,温度如何?
KIM
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