| | | | | 提高驱动能力,选用结电容小的管子,二极管选超快(CCM)的能用碳化硅更好。 |
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| | | | | | | 在一篇资料上面看见过,交叉损耗近似为1/3*(Vmax*Imax*tcross*f)。那么是不是在实际工作过程中测试这个tcross才能估算出来这个交叉损耗?结电容越小,驱动速度越快,tcross也越小吧?
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| | | | | 尤其要注意管子的什么参数?注意管子的时间参数。80KHz,大约MOSFET才行,IGBT不行。
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| | | | | | | 由于PFC的管子一般都是硬开关状态,那么为了降低这个交叉损耗,管子的Coss,Qg,以及tr这三个参数是不是都要尽量的小?
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