| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | |
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| | | | | | | 是软件报警,软件设置的是19A过流报警,可是不可能有那么大电流,开始以为死区没做的,后面采用了100ns和50nS的死区,情况是一样的。所以排除了死区影响。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 软件报警,那就实际测量电流检测信号,确定没有过流,就找软件的问题,应该还有A/D转换的问题好了。
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| | | | | | | 你看附图里面的电流采样,我在运放OPA188末端检测到好大的干扰,可是不知道这个干扰应该是在第一级运放INA826那里放大过来的,还是说是后面运放OPA188的输入滤波没做好的?
我应该怎么滤波呢?滤波参数是怎么确定的?
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| | | | | | | | | 可以尝试短路C68,看看是否还误保护,定位问题点。
可能的原因:
1. 控制电路有问题,导致开关管瞬间大电流直通,引起巨大噪声,触发保护。
2. 电流取样放大电路地线处理不好。
3. 电流取样放大电路太靠近功率回路。
4. 电流取样放大电路滤波不好。
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| | | | | | | | | | | 找到问题了,AD采样口那个电容造成采样延时,同时驱动MOS电阻取值不合理,关闭的电阻太小了,把0欧姆改为20欧姆问题就解决了。目前在55VAC输入,120V输出时没有问题,可以带上200W多。但是,上了高压输出就不行了,测量一下,还是驱动问题,GaN的驱动不好做,开通速度太快了。谢谢
楼主的回答。
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| | | | | | | | | | | 附件中图片就是上到高压后的电流波形,可以看到在开关切换时,有电流尖峰。测量了图腾柱GaN_MOS下管关闭后有小幅震荡,估计是震荡导致GaN管二次导通了。GaN管的导通阈值是1.2V,请问大神有什么办法处理掉这个震荡?GaN的开通速度是25-50ns,关闭速度是15-20ns。
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| | | | | | | | | | | | | GaN,我没有用过哦。不熟悉。可以用一点点负压关断不?
什么电路结构?半桥或全桥?可以通过改驱动电阻让开通慢一点,关断快一点的方式不?
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| | | | | | | | | | | | | | | 半桥结构,如上图所示。Gan1和GaN2是氮化镓MOS管,我检测到震荡就是GaN开通速度太快,Dv/Dt太大造成的震荡。GaN的开通时间不到10ns,加大电阻貌似对开通速度延时影响不大,大于100欧姆的开通电阻还会造成驱动波形畸形,欠驱动会烧管咧。另外提一下,关断过程由于电感会使得中点电压变化缓慢,所以不会造成电路震荡。
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| | | | | | | | | | | | | | | 我觉得有负压或许有点用,因为GaN的导通电压阈值是1V左右,用负压可以避免震荡造成的二次导通,但是负压要改电路,有点麻烦,看看有没有其他解决办法先。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你需要详细分析这个振铃的产生的根本原因。比如:
1. 是否有上下桥共通。或者你提到的二次导通引起。
2. 是否由硬开关导致。能否加大吸收电路电容解决。
3. 是否电感的寄生电容太大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 估计是有上下导通问题了。
【1】在上下管开通时刻,另外一个管子G极会有电压上翘的情况。
【2】在第一点中电压上翘其实就是弥勒效应影响的。
【3】弥勒效应影响就是在硬开关里面才体现出来。
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| | | | | | | | | | | | | 1、二极管再用好一点
2、开通再放软一点
3、Ip回路串一个饱和电感
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个是氮化镓MOS管,没有用反向二极管。问题就是开通太快了,可是改变开通电阻无法大幅增加开通时间,目前开通时间约为10ns。第三点的Ip是指升压电感么?第三点不太理解。我觉得处理IP应该是没有用的,因为不是电感的造成的,应该是下管开通太快影响上管;或者是上管开通太快,影响下管。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 用MOS代替二极管,即使是氮化镓也是不妥的,同步整流高压下优势不大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | GaN的内部二极管可以耐受电流很大的,实际测量可以过20A,而我也用不到20A,当然反向导通时间是很短的,我死区只做100ns。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高压的确不好做,如果能做到高压可靠关断导通的话,结果很诱人。实际测量在500WPFC时,效率可以做到超过99%。目前,我的实验结果是98.82%
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 拿掉那几个吸收电阻效率就上去了。电流毛刺或许可用饱和电感(功率磁珠)化解。
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| | | | | | | | | | | 第二级放大只是一个电压跟随器,这个应该也增加干扰么?这个怎么解析?
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | | | | GaN太快了,共模噪音比MOSFET大几个数量级。让东方不败来;PP也得电冒烟啊。
只要使能躲开开关沿再测就没事了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 开关沿躲开了,可是现在又有其他问题了。就是开通速度太快,上管开通时,下管G极由于弥勒效应应该有震荡,估计管子内部导通了。所以现在没法做到高压输出,目前只做到200V+。
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| | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | 显然MCU检测没有躲开关沿。开关噪音直接干扰了。改phonewave吧!
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