| | YTDFWANGWEI- 积分:109923
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积分:109923 版主 | | | 这个跟你的变压器的绕制及印制板的布线是有关系的,米勒效应问题是没法去掉的。 |
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| | | | | 米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台,原理如下。
理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。
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| | | | | | | 我在GE之间加了0.01UF的电容好多了,没有那个高频震荡了,原先GE电容5个MOS管大约有5000P,现在要求驱动功率要大一些了。
我在别的资料上看见说减小米勒效应有一个方法就是增加驱动能力,那现在是不是增加了驱动能力了呢?我觉得照他说的增加驱动能力应该就是减小门极电阻,但是我试验发现应该是增加门极电阻减缓门极上升速度才可以减小高频的产生,这是怎么会回事呢?到底增加驱动能力应该是怎么增加呢?
现在发现电源的控制部分是最好弄得,最麻烦的是驱动和主电路。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109923
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- 帖子:45932
积分:109923 版主 | | | | | 你在GE之间增加103电容,当然可以减小震荡,但相应的你的驱动速度也会明显降低。减小门极电阻当然可以提高驱动能力,但如果你的驱动变压器及布线等设计不好,增加驱动能力就会增加高频干扰。 |
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| | | | | | | 我觉得只能减轻,难以彻底消除的,关键还是驱动能力问题。 |
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| | xkw1cn- 积分:131459
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积分:131459 版主 | | | 真要没有密勒电容,你会想念它的!
好好匹配它的存在吧! |
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| | | | | | | 我总肤浅地认为密勒效应是不好的东西。为啥许工说:没它,还会想它呢? |
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| | | | | 我也碰到这个问题,隔离变压器驱动MOS时,驱动波形的上升沿存在很大的振荡,请问楼主最后是怎么解决的?谢谢! |
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| | | | | | | | | 主功率电路没工作时,G S波形的确就会变好看了....... |
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| | | | | | | | | | | 主功率回路工作时变坏的话,可能是miler电容在捣鬼。 |
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| | | | | 我也碰到这个问题,隔离变压器驱动MOS时,驱动波形的上升沿存在很大的振荡,请问楼主最后是怎么解决的?谢谢! |
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| | | | | 我也碰到这个问题,隔离变压器驱动MOS时,驱动波形的上升沿存在很大的振荡,请问楼主最后是怎么解决的?谢谢! |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109923
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积分:109923 版主 | | | | |
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| | | | | | | | | 布线是有点长,但也不至于影响这么点吧,振荡很厉害的, |
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| | | | | | | | | | | | | 谢谢回复,现在手里没有合适的MOS所以还没换,正在申请中,到时报告结果, |
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| | | | | | | | | 两个变压器,一个是传输功率的变压器,另一个是传输信号的变压器,看看Infineon的IGBT驱动电路就知道了。 |
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| | | | | 变压器不要传驱动MOS的大电流,只传驱动信号,跟后面真正大电流驱动MOS的地方隔一级。这样非常容易规避干扰。设计时不要只顾着省成本,质量做得好,买的人多,量上去了通过量也能把成本降下来。
至于驱动MOS需要的浮动电压从哪里来?
1. IR2110等泵式驱动IC
2. 辅助变压器增加两个专门给驱动用的供电绕组 |
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| | | | | | | 辅助变压器驱动的,可否将绕组圈数加大些呢?今天试试 |
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| | | | | | | 呵呵,很长时间前的提问了,现在我模仿CONCEPT的驱动设计的电路效果不错,建议大家试一下,当然,这个东西需要自己设计。成本要高些。 |
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| | | | | | | | | CONCEPT驱动设计电路?具体是怎么样的啊?能不能分享下,谢谢! |
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| | | | | | | | | | | CONCEPT是专门做IGBT驱动的公司,做的驱动不错,就是太贵了,我们买了几块分析波形然后自己搭电路设计的驱动,当然是自己用不是外卖的,有兴趣买块看看就行,也可以从他的公司网站下资料,具体的电路图那肯定不提供了。 |
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| | | | | 想要解决米勒效应问题,可以选用碳化硅JFET,米勒电容小得可以忽略,1200V的导通电压仅仅3V。我半年前已经拿到样品了。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131459
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积分:131459 版主 | | | | |
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