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这是一般的性能描述。看了另一家的，参考精度有0.5%,1%,2%，不知价格有什么区别？ |
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| | | | | | | | | | | | | 是把431看成非线性器件，它V-I特性曲线在工作点附近的一阶导吧。。。 |
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| | | | | |  | | | | | | | | | | | 频率为kHz级的时候即便这个动态电阻随频率变化，宏观表现也是电阻而基本没有感性或容性阻抗。
431动态电阻当然会随频率变化，但是还是不知道你所谓的Zout的直流部分和我说的一阶导有什么关系。按你的意思，Zout应该还有交流部分。那大概会是什么样的呢？
当然频率高至MHz级时也会出现复阻抗，但是我认为讨论这个频率下的特性无意义。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦，这样啊。。。
那我觉得，还是写成Rout（f）更容易让人看明白。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个。。。还是你自己来吧。
我对你这个说法没什么兴趣。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你所说的Zout（s）无非就是描述了17楼左边的图。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不明白你为什么非要证明这个。
我觉得这是显然的啊。。
为什么你非要用s来表示频率呢。。。s=0就是17楼左图曲线最左边的那一点，是要证明f=0时的动态阻抗等于V-I曲线的一阶导？电路基础理论中非线性元件部分有详细描述。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我后面不是说了么，随便找本电路基础的书，里面的非线性部分里有动态阻抗和dv/dI的详细的描述。
有必要说那么细么。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 17楼的图就挺好的了。。。
上面都写了，Z=deltaV/deltaI，取极限就行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我只是简化了点。
具体的你问写那个datasheet的人去吧。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你怎么把你帖子改了啊？
能不能交流的不清楚。只是觉得这些问题没必要这么追究。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎如此不淡定~
f是频域变量，Z=j*2*pi*f是复频域变量~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我写的Z和你的Z貌似不是一回事啊
我只是比图中少了两条竖线而已。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先，我要说明的是图中最左的一点，也就是频率为0的一点。直流的动态阻抗不涉及频域或时域的问题。
其次，我借用了图中的公式取了极限，你说图中的公式有问题？ |
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所以这儿“低动态输出阻抗”这句话实际上是说这种芯片具有很低的动态内阻，后面就是具体低到什么程度的典型数据。
比如，我这儿有ADI原版的OP1117/OP2117/OP4117的中文版datasheet，这个文档的最开头是这样的：
特性
低失调电压：60 μV(最大值)
极低失调电压漂移：0.7 μV/℃(最大值)
低输入偏置电流：2 nA(最大值)
………………………………………………
你把楼主帖子里面的“低动态输出阻抗”理解成低频输出内阻，那你该如何理解我上面给出来的这些内容呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得cmg大师的理解没问题，我也是这么理解的。
至于13楼的说法，最早是bluesky兄给出的，还是由bluesky兄自己来解释下原因好了。
纠结于一个问题，吵来吵去，只说些外围话，看的别人云里雾里，非常不淡定。 |
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就像Mosfet的Low Rdson是说Rdson很低，但是后面写的值肯定是常温下的数据而不是高温下的数据。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 低动态内阻，的确是低频时的动态内阻，这没有错。
只不过那句话说的是动态内阻低，而不是说低频率内阻——这样说有点咬口啊。我只说你的叙述方法问题，虽然说的是同一个东西，侧重点则完全不一样。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 人家是大师，怎么会像你一样无私奉献呢，大师的杰作是不会外流的，如果有瑕疵，那更是不能告诉别人的。兄弟，讨论问题，还是和大师CMG直接交流，或者和我们菜鸟交流，我们不会掩盖事实，也不会不承认事实，雄辩中才出真理。如果论坛中的帖子都是：……
那这个论坛会在世界上出名的。就像赵氏小品中：此行略去N个字，让大家去猜吧，呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109919
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积分:109919 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 套用一个兄弟的话，一点也不淡定，看的蛋疼。。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了以上那么长的内容，看到真的是蛋疼，兄弟，你如果有自己的想法，你就提出来，何必要别人反复的说，你有反复的说人家的说的不全面，不对，本来是一个简单的讨论，被你这么一搞，都晕了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 什么叫坐享其成，相比大家都知道，也没叫你说结果，只是你有想法却在这里绕弯子，沽名钓誉。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 批评一句：蓝天性格有点别扭啊！
其实，你不发言就算了，要发言就痛痛快快的把自己的想法说出来。说一半，留一半有时候的确让人着急。
论坛上往往很少长篇大论，有时候你提的问题别人根本不知道你的意思，想自己想都不知道该往哪边想，难免会追问你。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵~
bluesky兄最近有点别扭事，都别太计较了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是说把自己写好的内容删掉“麻烦”，只是为了别人不理解，不赞同。
对我来说，除非有笔误我都尽量不改帖子。即使我说错了，我也会在跟帖中承认错误——这样做有利于后来者看帖。
如果前面的帖子被删改，后面的帖子很可能就变的莫头莫脑的，叫人看不明白。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有些人喜欢研究茴香豆的茴字有几种写法，别人何必在意呢
孔乙己当年故弄玄虚，原来现在这样的人也不少呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我这个人最喜欢跟人在网上吵了。
以前在学校的时候，做学校bbs的区长，管四五十个版面，跟站务吵。
后来在某个兴趣类公共论坛里跟站长吵，在圈子里还出了点小名。
说实话到现在还没怎么输过呢，不过往往都是对方爆粗口或者耍赖什么的，最后不了了之，因为咱没威望没权利。
我也给你一个  ，现在我承认某些方面我没你水平高，但是你如我这个年龄的时候远比不上我，所谓闻道有先后，术业有专攻。呵呵～ |
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好了我不和你玩了。我将我所有的发言删除。 |
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另外，你不确定谁大谁小我还是比较确定的。
PS 你还说删就删了。不过你说的我记着呢。比如不让我回复“你的楼层”，因为我水平差所以不愿意搭理我，还给我个“ ”。。。哎呀我去。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，两位各让一步吧，多体谅吧。
大家都不容易。
bluesky兄是个热心人，这点大家都有目共睹的。可能是最近有点烦心事，就别太较真了。能在论坛上互相交流是缘分，走在大街上，咱还谁都不认识谁呢~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉蓝天钻牛角尖了。
Z显然是个和频率相关的变量，但这儿既然是说“低动态输出阻抗”（怀疑是低频动态输出阻抗之误）
就是指的的可以忽略和频率相关的部分时测得的动态阻抗，基本上可以认为是直流输出动态阻抗的等价物，否则根本无法给出0.22欧姆这个指标。
至于和频率相关的分量无法忽略的时候，datasheet中不是给出了曲线吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真不明白你为什么一定要追究这个。
动态阻抗就是这么定义的，要证明这个定义，有意思么。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 低动态输出阻抗是说431的动态阻抗低，不是说低频的时候的参数。
就像MOSFET的datasheet里写Low Rdson一样。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Sorry，我弄错了，当成了参数表里面的内容。这是特征里面的内容，是说这期间的动态输出阻抗低。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个中文版不知是谁翻译的，可能是翻译错误。我看英文的datasheet是说典型输出阻抗0.2欧姆。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你就折腾吧。
随便找本电路基础的书，讲非线性部分就有动态阻抗的定义，就是dV/dI。天知道你要证明这个定义干什么。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我水平差不差的不需要你来评价
我也没逼你非要跟我对话
公共论坛人人有发言的权利
我敬你比我年长，在这个论坛混的时间也比较长，不跟你吵，也请你不要带某些语气发言。
好了不说了，剩下的坑都给你留着 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那你干嘛还非要回复我呢。。
请问什么叫你的楼层？什么叫我的楼层？真心请教， |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了几个厂家的431的datasheet
motorola、on semi的写的是Low Dynamic Output Impedance, 0.22 Ω Typical
st写的是TYPICAL OUTPUT IMPEDANCE : 0.22Ω
ti写的是0.2-Ω Typical Output Impedance
fairchild写的是 Low Dynamic Output Impedance 0.20 Typica |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一般写datasheet的时候，如果提到动态阻抗的典型值，默认会给出低频下的小信号阻抗的值。低动态输出阻抗的意思是这里的低频小信号阻抗为0.22欧，比较低。 |
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| | | | | | | | | | | | | 动态电阻相对于静态电阻来说的吧！我的理解就是在TL431工作的时候输出阻抗 |
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| | | | | | | 这是标准从生产芯片的厂家来讲，他的成本没有区别，
所采用的晶圆也是一样。只是在晶圆的保存及封装的时候会存在一些因素。
而厂家将一般分为三种标准来出货。所以往往厂家从价格上来区分管子性能。 |
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| | | | | | | 呵呵，精度越高，价格越高。高精度的一般都是国外大厂做的。 |
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| | | | | | | saber中有器件实现这样的一功能吗？就是导通时实现输出15v，截止时输出-12v；实践中是利用光耦可以实现这个功能，就是w314这个器件可以实现，我不知道saber中能实现这个光耦的器件吗？或者能用什么器件能搭出一个简单的电路实现这个功能仿真？希望高人能给一个模型！
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| | | | | | | 价格区别就很大了。以前做过测试，有些可以达到40V左右，有些则只有32V左右，过了它的极限值就不能够正常工作了。 |
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| | | | | l留个记号
一直就是那种最常规的用法，不知大师们是怎么用的。 |
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| | | | | | | TL431的精度能有LDO高嗎?如在高要求的地方還是選擇LDO好. |
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| | | | | | | | | 431好像有0.1%精度的，比LDO高吧，再说他们的用途也完全不一样。 |
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| | | | | | | | | | | 是的，区别在于后缀的标识，而且不同厂家的431的工作温度上限也不一样，SOT-23封装还要注意脚位的区别。 |
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| | | | | 晚上访客回来，怎么也找不到帖子了，原来跑到这里了！ |
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| | | | | 不同的厂家的TL431的参数是不一样的，有写厂家的431都已经有一个系列了，不同后缀参数也不一样，例如431A是1%的精度，431AZ的精度又要高一些。 |
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| | | | | | | 是的 这个东西其实还是比较麻烦的 其实431就是一个放大器 设计充电器的时候需要去考虑零极点 系统的稳定性 |
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| | | | | | | 市场上有两种标准：
1、俄罗斯标准：基准电压为：2.495V;
2、欧美标准：基准电压为：2.500V；
精度的标准一般分为：0.1%，0.5%，1%。 |
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| | | | | TL431的封装有很多种，但最常见的是TO-92和SOT-23-3.
两种贴片管脚还不一样，因为几乎不布板了，还真不知道哪种常用，知道的说一下。
另外做电源最常用的工具就是万用表，说说怎么用万用表来判断各管脚？ |
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| | | | | | | TL431内部三极管CE上有个反相二极管，利用万用表测这个二极管是不是就可以确定？ |
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| | | | | 等效原理图如下：
我们是否可以据此判定431的最低工作电压0.7*3=2.1V左右？ |
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| | | | | | | 印象中，好像实际的最低工作电压大概就是2V多一点。我试过。但是用的哪个厂家什么型号就不记得了。 |
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| | | | | | | | | | | 要详细分析这个问题太麻烦了，牵涉到集成电路电路内部电路在这时候是如何工作的，在这种状态下，各部分都起什么样的作用。
是我肯定不去分析，只要记得TL431不能并联电容就好了。
要说震荡的原因，简单的说就是运放输出端不宜直接端接大电容，这个大电容会改变运放的极点位置，这有可能导致闭环不稳定（出现振铃甚至震荡，这儿就是最严重的情况：震荡）。 |
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| | | | | | | | | | | | | 在我的印象中，是可以并联电容的。做基准的时候，我以前一直都是这么用的，没有发现震荡呀。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 振荡这个问题的确存在，我遇到过，但是没有解决办法，最终把电容去掉了 |
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| | | | | | | | | | | | | 431做并联基准，需要并电容，且这个电容容量需小于等于0. 1uF或大于等于1uF。这点在数据表中有特别说明 |
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| | | | | | | | | | | | | 你说的这个问题，不是说不能并电容，只是有大小要求，这个规格书中有说明，可以仔细看。
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| | | | | | | | | | | | | | | 我的观念是：既然并联电容可能震荡，那么只要可能我就不并联好了。
当时我并没看见你给的这个曲线，但不并联电容我也有办法得到自己需要的性能，当然认为不并联就可以了。
另：从曲线看起来，我当时的使用条件必须用1μ以上的电容，或者是一只很小的电容（2.5V 1mA），我没有尝试过这么大的电容，太小的电容似乎对我价值不大。 |
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| | | | | | | | | 以前有开贴讨论，感觉都是从极点什么的出发，今天cmg大师贴出了431的内部模拟电路图，是很好的角度，从内部模拟电路入手，我觉得如果能够从模拟电路出发，原理发现是怎么样振荡才是算掌握了。。
大伙都在期待cmg大师给力分析！   |
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| | | | | | | | | | | 阿伦兄，
震荡分析，是离不开“零点 极点“ 的，否则无法分析，就是cmg也不例外~ |
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| | | | | | | | | | | | | 在现代控制理论没有发展完善的时候，对震荡的理论分析也不是一无所有啊。
道理都是一个道理，条条大路到罗马。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我也反对坐享其成的人。
另外的路，任何一本模拟电路里都有。找找看看就明白了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 兄弟，对你真的很无语~
既然任何一本模拟电路里都有，我想李雅谱诺夫，劳斯，赫尔维茨，奈奎斯特等人都会羞愧而死。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电路起振条件，一个相位条件一个幅值条件，跟你说的那些前辈们都没什么关系。
他们也不会羞愧，因为本身就是两个东西。那些他们给出那些稳定判据什么的，本不是用来分析稳定振荡的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得两位争论的不是同一个东西~
bluesky说的是，如何判断一个系统是收敛的~
而preston兄所言，是如何分析一个系统形成稳定的震荡。
我觉得这是两回事吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 争论才能得出最佳办法！为什么先进的国家议会会因为争论很激烈，甚至会破口大骂！中国的议会一般只会举手表决！很多有想法的代表提出来的方案其实不堪一击，只有经过争论后的方法才是最佳的！
有时候对待问题，对待知识就得较真，不然总是模棱两可！我相信现在很多大学老师讲的东东其实他们也知其然不知其所以然！
个人看法！呵呵 |
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| | | | | | | | | | | 求知是好事儿，但有时候也要学会忽略一些问题，毕竟每个人的精力是有限的。
记得某一个帖子上有人说过，说他们那儿有些老师傅根本不用运放，理由是搞不清楚运放内不是如何工作的。这种想法肯定过头了，对于运放这类东西，通常情况下将它们看做黑盒子就好了，只要详细了解运放的外部特征和使用限制就足够了。
如果一定要弄清所有的原理才能放心的应用，有时候会成为我们掌握新知识的难以逾越的障碍。
别的不说，双极晶体管的放大原理，有几个人能说他在真正弄明白了？说实话，我还没见过一本书真正把这个问题讲透彻了，但这并不妨碍我们大量使用这种器件。 |
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| | | | | | | | | | | | | S. M. Sze的《Physics of Semiconductor Devices》，这本我觉得讲得比较透 |
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| | | | | | | | | 不好意思，这几天很忙。
其实你的这个问题在手册里面有。
看你的电容值是多少，从这里看你的应该是曲线A，也就是不能加太小的电容，加个10uF以上的看一下。 |
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| | | | | | | | | | | 我的CL=104。。。
手册这个是给出结论似的，并没有说明为何会振荡。 |
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| | | | | | | | | | | | | 你先验证手册上的对不对，然后我们再深入分析原因。当然不同厂家的431这个电容值会有些区别。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不同的电容确实是会有不同现象。。
后来电容改小就好了。 |
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| | | | | | | | | | | 这个问题是在IC规格书也有定义，但为何会振荡起来，还真的可以深究一下。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个问题也不用深究，就从环路上来分析，输出端并电容必然会改变输出极点的位置，电容大可以将输出极点变为主极点，使带宽减小，电容小由于输出极点位置离原来的带宽较远，所以没有太大的影响。这两种情况都可能稳定。 |
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| | | | | | | | | | | TO 88楼，这个是ZETEX手册上的：怎么差这么大：是不是说明这个的稳定性要优：
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| | | | | 由于做太阳能的项目，特别测试过431的性能。有的在工作电压高达48V以后，其中有一部分就会出现自动触发，性能就不稳定，而在30V以下工作就相对稳定了。0.5%电压基准的431价格大约几份美金吧。 |
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| | | | | | | 应该输出的达林顿管前级ce漏电流在48V时已经太大了 |
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| | | | | 请问郭工，431+358恒流时，431阳级为什么接到sense前，还不是直接接地？嘿嘿，我刚接触这个还望见谅，还有就是这种限压够吗？空载时会不会有问题？
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| | | | | | | | | 那样接的话，采样信号与地电位始终相同，电路会把占空比一直拉到最大，无法工作 |
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| | | | | | | 其实这个电路是从充电器延伸过来的，在充电器里面这么接是为了防止采样电阻的电压影响输出（双运放的用法），在LED里面无所谓，接到sense前也可以，只要保证负反馈就可以了。 |
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| | | | | | | 看起来大家都觉得还没讲完，他估计很忙碌了，有些帖子有意犹未尽的感觉。。
129楼也是这么说。。 |
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| | | | | | | | | 确实这样，有几个帖子都虎头蛇尾，希望以后有时间补上。 |
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| | | | | 感觉431很神奇，能编程到36V。苦于一直搞不懂它杂用的，就会2.5V输出之用，学习学习！ |
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| | | | | 为什么开了个头就没有结尾了，看完后还是一头雾水啊。。 |
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