东芝光继电器TLP3547小测+单脉冲雪崩击穿能量EAS测试-测试/测量-世纪电源网社区

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2018-9-26 11:29:45

收到评估板了，那么首先开个帖慢慢盖楼吧。样板的照片镇楼。。。

计划的测试包括但不限于：
导通电阻（不同工作电流下）（6楼）
传输延迟（开通/关断）       （7楼）
输入特性                            （4楼）
输出特性                            （5楼）

最最最重要的好戏：（8楼！9楼！）
数据表没有的指标！！E_AS  单脉冲雪崩击穿能量
与某些应用直接相关的指标！！
表征在没有任何保护措施下，直接切断感性负载的电流时产生的过压造成雪崩击穿的承受能力！！

在带电机负载、继电器、电磁阀、交流接触器控制绕组等呈现电感性的负载情况下，没有额外的续流通路、压敏电阻、TVS管等情况下，直接代替传统继电器分断电感性负载的场合，半导体的继电器就必须考虑这个问题了

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		2 世纪电源网-九天世纪电源网-九天在线 LV8 超级版主积分：36510 \| 主题：691 \| 帖子：4031 访问空间发消息积分:36510 超级版主 2018-9-27 08:48:30 倒数10
		期待ing！加油加油！回复 \| 举报 \|

		3 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 17:31:00 倒数9
		首先测试设备：普源全家桶…… 台式万用表 DM3058E 示波器 DS1104Z-S (带信号源) 可编程电源 DP831 可编程负载 DL3021 回复 \| 举报 \|

			10 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-21 15:30:14 倒数2
			没有照片没有人气么…… 这样的测试不应该没人啊。 DS1Z_QuickPrint15.png (43.02 KB, 下载次数: 47) 下载附件 2018-10-18 19:14 上传回复 \| 举报 \|

		4 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 17:50:15 倒数8
		VF-IF.PNG (32.31 KB, 下载次数: 48) 下载附件 2018-10-18 17:50 上传注：电压是指不带外部串联的1.50K电阻的时候，LED上的电压V_F 不带输入限流电阻，纯粹测量内部的发光二极管的外部伏安特性！！基本特性与数据表一致。 g_VF-IF.PNG (70.19 KB, 下载次数: 49) 下载附件 2018-10-18 17:51 上传回复 \| 举报 \|

		5 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 18:06:51 倒数7
		带着限流电阻的情况下，输出端强制恒压的情况下V_DD恒定1V： Vi-Ion.PNG (39.48 KB, 下载次数: 49) 下载附件 2018-10-18 17:58 上传输入LED的电流大概在260uA（1.80V）~330uA（1.90V）之间 MOSFET开始趋于导通，再往后怕损耗太大，不太敢继续。有个有趣的现象就是当V_DD电压较高时，上述特性几乎测不到那么明显随着输入电压从1.8V开始上升，电流开始逐步增加的时候，可能是由于发热原因，漏电流会慢慢减小，但到某一个值时突然会直接趋于完全导通。是不是内部的输出部分做了一些类似于滞回的特性，一旦完全导通后的阈值会降低一点点，避免在高电压下，器件会长期处于恒流区而损耗过大？？总而言之就是器件体现出来这样的特性了。。。。。回复 \| 举报 \|

		6 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 18:20:57 倒数6
		导通电阻：在V_IN=5V,I_F≈2.3mA下测试 123.PNG (24.32 KB, 下载次数: 51) 下载附件 2018-10-18 18:17 上传这个模块啊……不想评价了连到输出端子的线有点细……模块自身的两段PCB导线电阻0.027Ω+0.025Ω 比光耦自己的还大……5A下发热很厉害的！！回复 \| 举报 \|

		7 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 18:26:26 倒数5
		负载非常轻，100欧，，输入电流为0~25mA (方波) DS1Z_QuickPrint4.png (36.08 KB, 下载次数: 49) 下载附件 2018-10-18 18:24 上传在较大电阻负载情况下，测试的上升时间和下降时间，，上升186us下降70us DS1Z_QuickPrint2.png (36.02 KB, 下载次数: 48) 下载附件 2018-10-18 18:24 上传为了便于示波器捕捉延迟，输入选了反向以使边沿反向一致开通延迟160us(以电压开始下降开始计算) 关断延迟120us(以电压上升开始计算) 此处结构比数据表快，考虑到开通时间与电流的关系较大，如需高速开关，设计驱动电路时可以考虑开通时使用20mA左右的脉冲电流，随后降低至5mA左右的稳态电流回复 \| 举报 \|

		8 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 19:02:39 倒数4
		测试用电感量约4.2mH，，不断加大测试电流直到5A或者器件损坏很冒险的测试…… 500mA开始！！第一步：Eas>0.53mJ计算： =*1/2L*Ipk²=1/20.0042mH*0.5A0.5A =*1/2UIpkT=1/20.5A82V0.000026s* DS1Z_QuickPrint6.png (41.03 KB, 下载次数: 50) 下载附件 2018-10-18 19:03 上传在光耦关断瞬间，电压迅速上升，稳定在82V左右，电流缓慢下降此时器件损耗很大，只有当电感能量释放后才能结束可以看出器件的击穿电压在80V左右回复 \| 举报 \|

		9 hwchwcww hwchwcww 离线 LV3 助理工程师积分：222 \| 主题：3 \| 帖子：44 访问空间发消息积分:222 LV3 助理工程师 2018-10-18 19:03:14 倒数3
		5A了，还是坚持住了！给这个光耦（光继电器）点个赞！！我还以为要玩坏了 E_AS至少是大于50mJ的，有图有真相： DS1Z_QuickPrint14a.png (46.68 KB, 下载次数: 49) 下载附件 2018-10-18 19:20 上传各位在使用的时候，如果是感性负载，务必注意负载电感的能量：1/2I²L不要超过器件允许值本次测试只是单次的E_AS，也就是不连续重复的脉冲。。对于重复雪崩能量E_AR，我就不做测试了，玩坏了评估板可就白搞了假装@东芝光继电器TLP3547，，，，如果官方给一下这个参数就更放心了附测试照片：测试照片.jpg (94.83 KB, 下载次数: 50) 下载附件 2018-10-18 19:29 上传回复 \| 举报 \|

			11 jideming jideming 离线 LV8 副总工程师积分：3112 \| 主题：17 \| 帖子：276 访问空间发消息积分:3112 LV8 副总工程师最新回复 2018-12-4 14:42:42 倒数1
			一般上边写的额定值，不一定会搞坏，能坚持一下。日本做的东西，还算比较精致，说多少就多少，不含糊的标参考数据。回复 \| 举报 \|