| | | | | 正向导通损耗:Ploss-diode=Inon*VF,但是反相计算可能涉及参数较多,一直没有找到计算公式,望高手出来指点一下,谢谢!
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| | | | | 正向损耗玩转即可,反向特性在二极管上的损耗占比较小,除非临近击穿,否则它导致的损耗多半转移到别的器件去了。
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| | | | | | | 假若开关频率500Khz,这样开关频率很高,我觉得反向损耗也不可忽略 |
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输出二极管正向导通损耗计算:
1. 开通损耗
PON=1/2*VFR*IF*TFR*f=0.223w
其中VFR=1.16,If=12.1,TFR=590ns,f=54k
2. 导通损耗
PF=VF*IF=1.5*0.23=0.345W
IF=1.5A,查规格书IF=1.5A时,VF=0.23
AC150V 1.5A D1损耗(P=PON+PF=0.223+0.345=0.568W)
1. 开通损耗
PON=1/2*VFR*IF*TFR*f=0.24w
其中VFR=1.24,If=12.4,TFR=608ns,f=51.5k
2. 导通损耗
PF=VF*IF=1.5*0.23=0.345W
IF=1.5A,查规格书IF=1.5A时,VF=0.23
AC270V 1.5A D1损耗(P=PON+PF=0.24+0.345=0.585W)
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| | | | | | | | | 说了,反向损耗主要在别的器件上反映,二极管本身少有机制。即使正向损耗,也不是你那样简单,VF 是 IF 的函数,不是定值。
这是一个对连续模式反激输出MBR10100肖特基二极管的仿真参数:
其中:
1、因为肖特基反向恢复电流影响,峰值功率高达343W
2、导通期间(不包括反向恢复毛刺)平均功率8.34W
3、全周期平均损耗功率4.07W,占总输出功率166W(33.5V4.96A)的2.45%
4、肖特基关断期间(包括反向恢复毛刺)平均功率仅0.18W(其中不仅包含了包括峰值功率在内的正功率,还包含了大量可理解为无功的负功率),对二极管本身的影响可以忽略
反向恢复毛刺附近的电流、电压(有击穿嫌疑)及功率过程:
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1. 开通损耗
PON=1/2*VFR*IF*TFR*f=0.223w
其中VFR=1.16,If=12.1,TFR=590ns,f=54k
2.导通损耗
PF=VF*IF=1.5*0.23=0.345W
IF=1.5A,查规格书IF=1.5A时,VF=0.23
D1正向损耗AC150V 1.5A D1损耗如下:(P=PON+PF=0.223+0.345=0.568W)
附图是正向计算大家觉得正确 吗?
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| | | | | | | | | 根据上面8楼的文档,如果应用时超过110°C以上,漏电流就会明显上升,零件有很大风险会损坏。所以通常要避免肖特基管的温度过高,100°C以下的初步计算损耗,是可以忽略这个损耗
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