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为什么衡量导通损耗,MOS管是导通电阻,而IGBT是导通压降?

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1
lidijia
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初级工程师
  • 2018-12-27 22:08:00
10问答币
MOS管Vds与Id之间的关系是线性关系?斜率就是Rdon?

而IGBT的Vce和Ic之间的关系是怎么样一个关系,为什么没有像MOS管一样有一个固定的导通电阻,而是一个电压?

收藏收藏4
bpyanyu
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高级工程师
  • 2018-12-27 23:14:47
  • 倒数6
 
MOS的损耗=Ids^2*Rds,MOS可以看成一个压控电阻,所以用计算电阻的公式来算就可以,
IGBT的损耗=ICE*VCE,IGBT是MOS+BJT的结构,虽然控制是由电压来控制的(MOS的特性),但功率部分是BJT(双极晶体管)特性,所以需要采用BJT的计算公式
这个问题只要去看看模拟的书上一开始讲的三极管和MOS管的控制就能明白了。
xkw1cn
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  • 2018-12-28 00:40:57
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IGBT也有类似RDSON概念。非常常用。
Coming.Lu
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  • 2018-12-28 08:12:23
  • 倒数4
 
MOS管导通后,电流和压降的关系近似电阻。
IGBT导通后,电流和压降的关系近似电压源。
lidijia
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初级工程师
  • 2018-12-28 19:40:53
  • 倒数3
 
近似电压源是什么意思?
Coming.Lu
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  • 2018-12-29 08:21:40
  • 倒数2
 
本来想说近似二极管的,但又担心等下有人牛角尖说二极管是单向的。
意思就是像二极管那样,不管电流多大,导通压降就是大约0.7V。
当然,IGBT不是0.7V,具体看规格书。
nc965
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最新回复
  • 2019-1-1 09:03:31
  • 倒数1
 
其实二者皆有之
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