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未解决

关于PFC BOOST升压电路mos并联与IGBT并联的区别

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gong777802664
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初级工程师
  • 2019-1-28 16:58:00
10问答币
目前本人在搞一款2.2KW的大功率 PFC电路,单个mos带满载没事,但是温升高,换两个mos后,一上辅助供电就炸其中的一个管子,但是用两个IGBT并就没事,考虑到是不是由于并联不均流,线路阻抗参数不匹配造成的原因外,其他的找不到了,求助万能的大佬们
2019128165326.bmp
2019128165727.bmp
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-28 17:04:46
 
目前来说,在炸管子的瞬间,测电感输出的电流波形,发现开始能正常软启动,后来就突然突然炸掉,求助有遇到类似问题的吗,单个管子就没事
QQ图片20190128170420.jpg
wangdongchun
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总工程师
  • 2019-1-28 22:11:31
 
就是同一型号的管子 也难免存在参数上的差异  所以电流不平衡是非常可能造成炸管的
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-29 08:02:41
 
单管mos就没事,一并联就炸,是不是均流没处理好或者其他原因
wangdongchun
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LV10
总工程师
  • 2019-1-29 12:43:37
 
均流  均压都要注意的
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-29 14:03:55
 
均压指的是?用两个IGBT并联就一点事情没有
wangdongchun
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总工程师
  • 2019-1-29 21:51:46
 
不好意思   输入错误  
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2019-1-29 12:39:37
 
你这个好像不是MOS管并联吧?只坏MOS管,二极管没问题?
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-29 14:03:22
 
是啊  王工,只坏mos,而且大部分情况下只坏其中一个,二极管啥事都没有,用单个mos没事,两个mos就炸,用两个IGBT并联也没事,不知道是驱动不合理还是均流没做好?另外就是均流没做好的话,IGBT不也应该炸吗
ad596142041
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LV3
助理工程师
  • 2019-1-29 19:19:17
 
看一下能否用双脉冲的方式测一下两个IGBT和MOSFET的均流效果,还有你说的两个IGBT和MSOFET的电流是一样的么?还有炸机是在带载的条件下还是没有带载的条件下出现的.
gong777802664
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初级工程师
  • 2019-1-30 08:43:59
 
都是在带同样的满载的情况下一上电就炸管的,满载峰值电流(加电感纹波)为28A,我单个mos电流是47A,就算不均流,单个mos也够了吧,IGBT的电流是32A的两个
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-30 14:37:08
 
王工有什么好的思路吗,本来就是打算用IGBT,但是不懂为什么mos就一上电就穿一个
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-1-31 15:20:15
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王工,你看看14楼的波形,看一下,是因为电流环的事吗
zhuliu09
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副总工程师
  • 2019-1-30 16:40:04
 
你的结果,应该可以不考虑稳定过温导致器件损坏。那么就剩下过电压或者过电流两种情况了。PFC电路,开关管的漏极通过二极管被输出电压钳位,过电压损坏的可能性也不大。所以,我认为应该是过电流导致MOS损坏。接下来就是分析,过电流损坏是怎么发生的。我觉得应该是发生在开通切换的过程中,也就是off-on切换的过程,如果并联的两个MOS不是同时动作的,先动作的管子通过的电流包括电感电流+二极管结电荷充放电电流(假设采用SIC,不考虑反向恢复电流)+两个MOS的输出节电容充放电电流,如果这个切换动作很快,时间很短,那么结电容(二极管+两个MOS的输出电容)电荷一定的情况下,这个充放电电流会很大,比使用一个MOS情况下要大很多的,有可能造成先动作的MOS过电流损坏。使用IGBT时,OFF-ON的切换速度很慢,动作的时间很长,故结电容的充放电电路可能会小一些,同时,IGBT的电流能力也比MOS大一些。
所以,我认为,是由于在OFF-ON切换的时候,由于并联的两个MOS动作不一致,先动作导通的MOS通过的结电容充放电电流过大导致MOS损坏。可以尝试增加驱动电阻,减小驱动电流(注意开关损耗的增加)的方式,减慢OFF-ON的切换速度。也需要优化一下PCB布线,尽量保证两颗MOS的栅驱动回路一致。
gong777802664
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初级工程师
  • 2019-1-31 15:19:41
  • 倒数10
 
mos损坏瞬间的波形是这样的,300W或者500W启动的时候是没事的,满载1KW启动就会出现炸管子的情况,另外就是捕捉到的炸管子瞬间电感电流波形(蓝色10A/div)和输出电压(黄色200V/div)
QQ图片20190131150520.jpg
zhuliu09
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副总工程师
  • 2019-1-31 16:35:39
  • 倒数8
 
输出电压还没有上升到正常值,电源启机就坏掉了。你试过增加栅极驱动电阻,减慢开关速度没?如果软启动过程可调,建议增加软起动的时间。
pdma
  • pdma
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LV6
高级工程师
  • 2019-2-12 09:07:23
  • 倒数5
 
仔细看图片,可以看到电感电流很大的时候,输出电压并没有上升,是不是在MOS坏之前的这段大电流没有完全通过二极管流到输出?这样的话,占空比一直就会很大,电流就会很大。
ad596142041
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助理工程师
  • 2019-2-9 12:11:59
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你能分别测量在1KW时刻两个管子的电流么?看一下是什么样的
han1985
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本网技工
  • 2019-2-1 17:19:52
  • 倒数7
 
并联的两个mos,栅极是直接连的还是分别用2个驱动电阻(如10欧姆)连的?一般情况下栅极电阻是不能直接连的
gong777802664
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初级工程师
  • 2019-2-12 14:30:42
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肯定两个驱动电阻,这点常识还是有的
nc965
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  • 2019-2-12 11:52:40
  • 倒数4
 
MOS与IGBT耐压是否相同?MOS是否总是损坏某个位置的还是随机的?此外,你的电路图和PCB画的不敢恭维啊。
gong777802664
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LV4
初级工程师
  • 2019-2-12 14:29:33
  • 倒数3
 
PCB不是我画的,尴尬,PCB走线确实有点问题
nc965
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最新回复
  • 2019-2-12 18:12:49
  • 倒数1
 
如果IGBT比MOS耐压高,炸MOS而不炸IGBI很正常
如果布线不好,可能会炸
多管并联的均流不仅仅是布线对称、驱动分开。如果可能,二极管也应分开,如果电感也分开(或者绕组分开),基本上就和单管没啥区别了。
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