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 |  | | | | MOS的驱动信号gate电压必须大于Vgs(th)的最大值，否则不能正常开启MOS;
开关速度与Ciss有直接关系，也和gate的输入电流有直接关系。当驱动IC的灌电流为200mA时，驱动电流受回路中串联的电阻影响；计算驱动电流可以计算：Vgs-Vgs(th)/R，然后根据Ciss或Qg可以计算出上升沿的时间。
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 |  | | | | 电压嘛，比门槛电压的2倍稍高即可，即：最不利条件下也不要低于门槛电压的2倍，需注意所谓门槛电压有很大的制造离散性。
开通速度（你不考虑关断速度？）嘛，与电压无关（只要电压满足上述要求），只与电压波形的延时和上升沿的dv/dt（或者电流波形的di/dt）有关。
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| | | | | | | 你的意思是电压大于门限电压两倍时，开通速度与电压无关？低于两倍门限电压，大于门限电压时，开通速度与电压有关？
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| | | | | | | | | 没这么说吧，2倍的意思是上拉和下拉同样给力，是针对最低0电平而言。如果你有负压，也在门槛处上下相等，从驱动电平的角度，可获得相同的上拉下拉驱动能力；但驱动能力不仅仅与电压有关，还与上升沿下降沿有关。
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