反激电路的MOSFTE过热问题

我除错一个总输出46W的反激电路，其有多组输出，以5V/2A输出那组做为为反馈控制的对象，目前问题是：MOSFTE会过热，

附件有线路图，线路图中输出二极管上有RC电路，我全拿掉了

下面是我的一些描述(波形图中黄色是MOSFET VDS、红色是VGS、蓝色是ID电流，其量测自D脚下的shunt resistor的电压)：

wave1.jpg(5V满载，其他轻载)：

VDS看来OK，但Turnoff时，VDS会渐渐下降(这正确吗？)，

同时间，ID电流有一根很大的负电流，而后慢慢回升至0(我一直分析，这是MOSFET过热的来源，目前朝向如下排除这块区域的切换损)，

Turnon时，几乎没有谐振(这是RCD起作用)；

另外米勒效应很严重(我从这边着手)

wave2.jpg：

同样环境，但Rgoff/Rgon(线路图中的R10/R15)由22/200改为10/22奥姆：

Turn off的米勒效应缩小，会继续下修Rgoff/Rgon；

但ID负电流的那期间，并没有改善

请问：
1. ID电流的现象，是正确的吗？如不是，该朝哪个方向优化电路
2. VDS在MOSFET turn-off后，会渐渐下降，这是正确的吗？

3. 另一个现象是，如果加到满载，波形图绘变成没有谐振现象，这是进入CCM模式吗？(wave3波形图，我用的是先前的量测)

4.    MOSFTE会过热，可能是何原因造成的

**** update ****

wave4.jpg：

换了一颗MOS，波形就好多了，也可达到热平衡

但不知是MOS的哪个参数影响到的

此外，DS斜偏，和turn-off时的负电流依然存在，还请提出优化的方向建议