分享论文：《基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源》

        48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET（gallium nitride field effecttransistor）开辟了一种新方法，可实现前所未有的转换器性能和小型化。评估了采用与适当功率等级相对应的各种拓扑结构的48 V电源架构的DC-DC电源转换中的GaN FET。首先涵盖GaN FET的开关特性分析；然后将GaN FET用于开发各种48 V降压转换器，从同步降压、多电平和多相转换器到LLC谐振转换器；最后提供了选择合适GaN FET的指南。与传统基于MOSFET的转换器相比，这些基于GaN FET的转换器在不增加成本的情况下功率效率和功率密度显著提高。


欢迎大家下载学习：
       基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源.pdf (1.19 MB, 下载次数: 51)

2019-7-23 14:37 上传

点击文件名下载附件
下载积分: 财富 -2

      

作者	单位	E-mail
王健婧	Efficient  Power  Conversion,EI  Segundo,CA 90245,U.S.A
Suvankar  BISWAS	Efficient  Power  Conversion,EI  Segundo,CA 90245,U.S.A
Mohamed H.AHMED	Center for Power Electronic Systems,VirginiaPolytechnic Institute and State University,Blacksburg,VA 24061,U.S.A
Michael  DE  ROOIJ	Efficient  Power  Conversion,EI  Segundo,CA 90245,U.S.A	michael.derooij@epcco.com

论文出处：中 国电源学会——电源学报

http://www.jops.cn/dy/ch/reader/view_abstract.aspx?flag=1&file_no=201902280089&journal_id=dy